高义华发布者：admin 发布时间：2015-06-02 14:40 浏览次数：次编辑
高义华于1998年中科院物理所毕业并取得博士学位，1999年3月赴日本National Institute for Materials Science (NIMS，原名为National Institute for Research in Inorganic Materials，后经几个研究所合并而成NIMS)工作，2006年3月回国，现任华中科技大学物理学院和武汉光电国家实验室的楚天学者特聘教授和博士生导师。大力协助武汉光电国家实验室和王中林院士创建纳米能源与器件中心(Center for Nano Energy and Devices)，负责国家自然科学基金2项、教育部新世纪人才基金、博士点基金和回国人员启动基金、湖北省杰出人才基金等，作为骨干参与1项973课题。接收和发表48篇SCI论文，其中26篇第1作者或通讯作者SCI文章: 1篇荣登Nature；6篇Appl. Phys. Lett.；1篇Appl. Phys. Lett. 被专家评为有极大原创性并作为优秀文章被选入APS与AIP的镜像期刊；另1篇Appl. Phys. Lett.被选为当期杂志封面；2篇Nanotechnology等。全部文章被SCI他引504次, 单篇最高SCI引用228次；最近5年被SCI他引270次，单篇最高SCI引用129次(2012年3月14日查)。
Nature 415, 599 (2002)利用Ga填充碳纳米管研制世界“最小温度计”, 在世界上首次研究纳米物质在液态下的膨胀性质。 2005年9月30日，高义华和他的二位领导：Prof. Yoshio Bando(组长)、Prof. Dmitri Golberg(副组长)，因为新型纳米管的研制和纳米温度计的发明一起荣获第16届国际上很有声望的日本“筑波杰出科学家奖”Tsukuba Prize [由1973年获物理学诺贝尔奖的江崎玲於奈教授 (Leo Esaki)颁奖；记者招待会上，江崎玲於奈教授、2000年获化学诺贝尔奖的白川英树教授(Hideki Shirakawa)和茨城知事桥本等人陪同3位Tsukuba Prize获得者留影纪念]。此文章被ISI评为1% Top 文章，被引258次，同期20篇Nature文章中第4名，前后3期57篇中第12名。它被选为2002年国际重大科技新闻，以nanothermometer (碳纳米温度计)为词搜索，显示此研究被包括New Scientist的The world’s No.1 Science & Technology News Service、纽约时报、 Scientific American、德国媒体、中国新华社和中国网等在内的600多家国际/国内媒体和研究机构报道，还进入中国的少儿科技博览。在美国被选入高中化学教科书 Introductory Chemistry 《化学入门》。剑桥大学材料科学家N. Mathur在Nature 419, 573-575 (2002)评论，此纳米温度计可实现计算机内芯片等微区域的温控。
迄今，高义华共获得8项日本和美国专利, 正在申请2项中国专利。分别在新加坡、中国湘潭和日本大阪作过3次大会邀请报告。被选为全国自然科学奖通讯与会议评审人(2011年)、国家自然科学基金通讯评审专家和全国优秀博士论文通讯评审人，被Adv. Mater.，Small和Adv. Funct. Mater.、物理学报和Chinese Physics B等权威杂志聘为审稿人。
高义华现从事 (1) ZnO/NiO芯壳一维纳米阵列的LED研究；(2)可编织太阳能电池中量子点光敏化研究等4个方面的研究。高义华指导其学生，通过2年多潜心研究，融合热动平衡、力平衡和电平衡等众多基本物理原理和概念，原创性发现一种新效应—电液压膨胀效应(Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 083112)，此机制与高义华、Yoshio Bando教授在2002年研制的Ga填充纳米温度计的热效应机制完全不同，这为MNEMs提供了一种新的力效应工作机制。
代表性工作
[1] Yihua Gao, Yoshio Bando*. Nature 415(6872), 599 (2002). Cited 262 times until May-12-2012.
主要工作
[12] M. Sun & Y.H. Gao*. Nanotechnology 23, 065704 (2012).
[11] Y.H. Gao*, M. Sun* et al. Appl. Phys. Lett. 99, 083112 (2011). 专家评价为极大原创性工作.
[10] M. Sun, Y.H. Gao* et al. Nanotechnology 22, 145705 (2011).
[9] X.Y. Han, Y.H. Gao* et al. J. Phys. D Appl. Phys. 43, 145102 (2010).
[8] Y.H. Gao, Y. Bando*et al. Appl. Phys. Lett. 83, 2913-2915 (2003). (封面文章).
[7] Y.H. Gao*, Y. Bando et al. Appl. Phys. Lett. 81, 4133(2002).
[6] Y.H. Gao* & Y. Bando. Appl. Phys. Lett. 81, 3966(2002).
[5] Y.H. Gao*, Y. Bando et al. Appl. Phys. Lett. 81, 2267 (2002).
[4] Y.H. Gao*, Y. Bando et al. J. Appl. Phys. 91, 1515 (2002).
[3] Y.H. Gao*, Y. Bando et al. Appl. Phys. Lett. 79, 4565 (2001).
[2] Y.H. Gao, Z. Zhang*et al. J. Mater. Res. 12, 1640(1997).
[1] Y.H. Gao*, D.M. Zhanget al. J. Appl. Phys. 76, 7456(1994).