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李丁
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中共党员
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教授
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理学博士
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liding@binn.cas.cn
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硕士研究生导师
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物理科学与工程技术学院
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李丁，副研究员，硕士生导师。2006年7月在天津大学获得理学学士和文学学士双学位； 2012年7月在北京大学获得理学博士学位；2010年1月至2010年7月是美国亚利桑那州立大学访问****；2012年6月至2014年06月在北京大学物理学院从事博士后研究工作；2014年6月至2017年7月在德国莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所（Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für H?chstfrequenztechnik (FBH), Germany）从事博士后研究； 2017年8月至今加入中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士研究组。 李丁博士拥有超过十年的GaN基激光器MOCVD生长经验，主要从事GaN基半导体激光器器件生长以及物理机制等方面的研究，取得了一系列原创性的成果。他外延GaN激光器结构实现电注入情况下，室温脉冲输出功率超过5 W，达到世界一流水平。在材料生长和特性表征、AlGaN超晶格限制层、InGaN量子阱有源层、p-AlGaN/GaN超晶格电学特性改善、器件结构制备工艺优化等方面进行了系统工作，作为第一作者、通讯作者和作者用英文发表SCI论文27篇，SCI Q1论文7篇。其中作为第一作者、通讯作者在国际高水平刊物《Applied Physics Letters》发表论文3篇、《Optics Express》发表论文1篇。在美国、日本、英国、中国等多个国际半导体研究国际学术会议上宣读论文。他作为发明人获得发明专利7个，已经实现了专利转移孵化，目前无形资产评估专利总价值超过1400万元。他成为德国BMBF项目、国家“973”课题、国家“863”计划课题、国家自然科学基金项目、北京市科技计划项目的主要研究人员。成为中国博士后科学基金一等资助项目负责人。这些原创性工作为李丁博士进一步开展GaN基纳米压电光电子器件的研究奠定了坚实基础。 2018年担任广西大学-中国科学院北京纳米能源与系统研究所纳米能源研究中心兼职教授。
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1. 压电光电子学及其应用 2. GaN基半导体激光器 3. 宽禁带半导体/半导体光电学
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[1] D Li, H Zong, W Yang, L Feng, J He, W Du, C Wang, Y Xie, Z Yang, B Shen, G Zhang, X Hu. Stimulated emission in GaN-based laser diodes far below the threshold region. OPTICS EXPRESS. 2014, 22(3): 2536.[2] D Li, W Yang, L F Feng, P W Roth, J He, W M Du, Z J Yang, C D Wang, G Y Zhang, X D Hu. Stimulated emission related anomalous change of electrical parameters at threshold in GaN-based laser diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2013, 102(123501).[3] W Yang, D Li, N Y Liu, Z Chen, L Wang, L Liu, L Li, C H Wan, W H Chen, X D Hu, W M Du. Improvement of hole injection and electron overflow by a tapered AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue laser diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012, 100(**)[4] L F Feng*, Y Li, D Li*, X D Hu, W Yang, C D Wang, Q Y Xing. Precise relationship between voltage and frequency at the appearance of negative capacitance in InGaN diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012, 101(233506).[5] L F Feng, D Li, C Y Zhu, C D Wang, H X Cong, G Y Zhang, W M Du. Deep saturation of junction voltage at large forward current of light-emitting diodes. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2007, 102(945119).[6] L F Feng, D Li, C Y Zhu, C D Wang, H X Cong, X S Xie, C Z Lu. Simultaneous sudden changes of electrical behavior at the threshold in laser diodes. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2007, 102(631026).[7] N Y Liu, D Li, L Wang, L Liu, W Yang, L Li, W Y Cao, C M Lu, C H Wan, W H Chen, X D Hu. Enhanced Hole Transport in Mg-Doped AlxGa1-xN/GaN Superlattices by Strain and Period Modulations. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2012, 51(071001).[8] Y Z Wang, D Li, L Li, N Y Liu, L Liu, W Y Cao, W H Chen, X D Hu. Intersubband transitions in Al0.82In0.18N/GaN single quantum well. CHINESE PHYSICS B. 2011, 20(094207).[9] L Li, L Liu, D Li, L Wang, C H Wan, W H Chen, Z J Yang, G Y Zhang, X D Hu, S J Huang, S Chang, J Liu, W Zhang, Y H Xie. Defect Reduction via Selective Lateral Epitaxy of GaN on an Innovative Masked Structure with Serpentine Channels. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2012, 5(109201).[10] L Liu, L Wang, D Li, N Y Liu, L Li, W Y Cao, W Yang, C H Wan, W H Chen, W M Du, X D Hu, Z C Feng. Influence of indium composition in the prestrained InGaN interlayer on the strain relaxation of InGaN/GaN multiple quantum wells in laser diode structures. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011, 109(073106).[11] L Wang, R Li, D Li, N Y Liu, L Liu, W H Chen, C D Wang, Z J Yang, X D Hu. Strain modulation-enhanced Mg acceptor activation efficiency of Al0.14Ga0.86N/GaN superlattices with AlN interlayer. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2010, 96(061110).[12] L Wang, R Li, Z W Yang, D Li, T Yu, N Y Liu, L Liu, W H Chen, X D Hu. High spontaneous emission rate asymmetrically graded 480 nm InGaN/GaN quantum well light-emitting diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2009, 95(211104).[13] R Li, J M Zhang, L Chen, H B Zhao, Z W Yang, T Yu, D Li, Z C Liu, W H Chen, Z J Yang, G Y Zhang, Z Z Gan, X D Hu, Q Y Wei, T Li, F A Ponce. Donor-related cathodoluminescence of p-AlGaN electron blocking layer embedded in ultraviolet laser diode structure. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2009, 94(211103).
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中国科学院率先行动“****”青年俊才
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