教师个人信息表
姓名周文政性别男

出生年月1975-02-13政治面貌中共党员
籍贯四川达县职称教授
学历研究生学位博士
联系电话邮政编码530004
Emailwzzhou@gxu.edu.cn,zhouwz@mail.sitp.ac.cn
QQ**微信wenzheng75zhou
通讯地址广西南宁市大学东路100号
所在学院物理科学与工程技术学院导师类型校内导师
导师类别硕士研究生导师
指导学科一门类：工学一级学科：材料科学与工程二级学科：材料物理与化学
指导学科二门类：理学一级学科：物理学二级学科：凝聚态物理
学习和工作经历博士，教授，硕士生导师，广西自然科学基金杰出青年基金获得者，副院长。1995年9月至1999年7月，就读于湖南大学应用物理系应用物理专业，于1999年7月获理学学士学位。1999年9月至2002年6月就读于广西大学理学院物理系理论物理专业，主要从事新型金属结构材料的制备和性能研究，于2002年6月获理学硕士学位。2002年7月至今，在广西大学物理科学与工程技术学院从事教学与科研工作，于2004年12月获讲师专业技术职务，于2007年12月获副教授专业技术职务，于2012年12月获研究员专业技术职务，于2013年12月获教授专业技术职务。其间，2004年8月至2007年7月，在中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室攻读电子科学与技术微电子学与固体电子学博士学位，主要从事半导体材料的输运性能研究；半导体量子阱、异质结二维电子气的输运特性研究，于2007年7月获理学博士学位。2007年8月至2009年7月，在华东师范大学物理学博士后流动站从事物理学学科博士后研究工作（理工学院物理学系、信息科学技术学院电子工程系）。
学术兼职广西物理学会秘书长，全国高等学校电磁学研究会常务理事。
主讲课程曾主讲《力学》（双语）、《量子力学》、《电路分析》、《半导体物理》、《半导体概论》、《专业英语》等本、专科课程。现主讲《理论力学》、《半导体器件物理》本科课程。
主要研究方向材料物理、凝聚态物理、半导体材料物理及器件物理
主持（或参与）的主要科研项目1、周文政, 林铁, 李亚巍，商丽燕,高矿红,周远明, 孙雷，魏来明, “AlGaN/GaN异质结二维电子气的零场自旋分裂”，国家自然科学基金青年基金（项目编号：**），2010.1-2012.12，24万。
2、周文政, 林铁，梁先庆，蒋绍周，郑明晖，刘新智，王威，韦尚江，李小娟，常志刚，“III-V族半导体异质结构二维电子气的自旋输运特性”，国家自然科学基金地区基金（项目编号：**），2013.1-2016.12，50万。
3、周文政,梁先庆，蒋绍周，郑明晖，韦尚江，李小娟，常志刚，“窄禁带半导体二维电子的自旋输运量子调控”，广西自然科学基金杰出青年基金（项目编号：2013GXNSFGA019007），2013.4-2016.3，40万。
4、周文政,“III-V族窄禁带半导体二维电子气的自旋输运特性”，中国博士后科学基金: （项目编号：**），2007.12-2009.7，3.0万。
5、周文政, 林铁, 覃善华，王威，“InGaAs/InAlAs二维电子气的输运参数”， 广西大学科研基金项目（项目编号： XB**），2009.11-2011.11，0.5万。
6、周文政, 林铁, 欧阳义芳，覃善华，“InGaAs/InAlAs二维电子气自旋分裂的来源”，广西大学科研基金项目（项目编号： X071109），2007.12-2009.12，1.0万。
取得的主要成果1.W. Z. Zhou, T. Lin, L. Y. Shang, G. Yu, K. H. Gao, Y. M. Zhou, L. M. Wei, L. J. Cui, Y. P. Zeng, S. L. Guo, and J. H. Chu, “Anomalous shift of the beating nodes in illumination-controlled In1-xGaxAs/In1-yAlyAs two-dimensional electron gases with strong spin-orbit interaction”. Phys. Rev. B 81(19), 195312 (2010).
2.W. Z. Zhou, T. Lin, L. Y. Shang, L. Sun, K. H. Gao, Y. M. Zhou, G. Yu, N. Tang, K. Han, B. Shen, S. L. Guo, Y. S. Gui, and J. H. Chu, “Influence of the illumination on weak antilocalization in an AlxGa1-xN/GaN heterostructure with strong spin-orbit coupling”. Appl. Phys. Lett. 93(26), 262104 (2008).
3.W. Z. Zhou, T. Lin, L. Y. Shang, L. Sun, K. H. Gao, Y. M. Zhou, G. Yu, N. Tang, K. Han, B. Shen, S. L. Guo, Y. S. Gui, and J. H. Chu, “Weak antilocalization and beating pattern in high electron mobility AlxGa1-xN/GaN two-dimensional electron gas with strong Rashba spin-orbit coupling”. J. Appl. Phys. 104(5), 053703 (2008).
4.W. Z. Zhou, W. Wang, Z. G. Chang, Y. Z. Wang, Z. Q. Lan, L. Y. Shang, T. Lin, L. J. Cui, Y. P. Zeng, G. X. Li, C. H. Yu, J. Guo, J. H. Chu, “Effects of scattering on two-dimensional electron gases in InGaAs/InAlAs quantum wells”, J. Appl. Phys. 112(2), 023713 (2012).
5.W. Z. Zhou, T. Lin, L. Y. Shang, G. Yu, K. Han, J. X. Duan, N. Tang, B. Shen, J. H. Chu “Diffusion and ballistic contributions of electron-electron interaction to the conductivity in an Al0.26Ga0.74N/AlN/GaN heterostructure”, Solid State Commun., 151(12), 879-882 (2011).
6.W. Z. Zhou, Z. M. Huang, Z. J. Qiu, T. Lin, L. Y. Shang, D. L. Li , H. L. Gao, L. J. Cui, Y. P. Zeng, S. L. Guo, Y. S. Gui, N. Dai, and J. H. Chu, “Pseudospin in Si δ-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs Single Quantum Well”, Solid State Commun., 142(7), 393-397 (2007).
7.W. Z. Zhou, T. Lin, L. Y. Shang, Z. M. Huang, G. Yu, S. L. Guo, Y. S. Gui, N. Dai, J. H. Chu, L. J. Cui, D. L. Li , H. L. Gao, and Y. P. Zeng, “Weak antilocalization and Beating pattern in an InGaAs/InAlAs quantum well” Solid State Commun., 143(6-7), 300-303 (2007).
8.周文政，林铁，商丽燕，黄志明，朱博，崔利杰，高宏玲，李东临，郭少令，桂永胜，褚君浩 “双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As 赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究” 物理学报，56(7), 4143-4147 (2007).
9.周文政，林铁，商丽燕，黄志明，崔利杰， 李东临，高宏玲， 曾一平， 郭少令， 桂永胜，褚君浩 “InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究” 物理学报，56(7), 4099-4104 (2007).
10.周文政，姚炜，朱博，仇志军，郭少令，林铁，崔利杰，桂永胜，褚君浩 “单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性” 物理学报，55(4)，2044-2048, (2006).
11.王威, 周文政, 韦尚江, 李小娟, 常志刚, 林铁, 商丽燕, 韩奎, 段俊熙, 唐宁，沈波，褚君浩 “GaN/AlxGa1-xN异质结二维电子气的磁电阻研究”，物理学报，61(23)，237302, (2012). （通讯作者）
12.李小娟, 韦尚江, 吕文辉, 吴丹，李亚军，周文政，“一种新方法制备硅/聚（3,4乙撑二氧噻吩）核/壳纳米线阵列杂化太阳能电池”，物理学报，62(10)，108801, (2013).（通讯作者）
13.周文政，代娴，林铁，徐庆庆，褚君浩，“As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究”，广西大学学报.自然科学版，35( 5), 821-826 (2010).
14.周文政，代娴，林铁，商丽燕，崔利杰，曾一平，褚君浩，“In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气的零场自旋分裂”，广西大学学报.自然科学版，35( 6),1027-1031(2010).
15.周文政 欧阳义芳 覃善华 钟夏平 吴伟明,“Al1-xFex混合粉末的机械化合金化”，广西大学学报（自然科学版）, 29(2), 101-104 (2004).
16.K. H. Gao，W. Z. Zhou, Y. M. Zhou, Guolin Yu, T. Lin, S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, Y. Gu, Y. G. Zhang, and D. G. Austing, “Magnetoresistance in high-density two-dimensional electron gas confined in InAlAs/InGaAs quantum well”, Appl. Phys. Lett. 94(15), 152107 (2009).
17.Lei Sun, Wenzheng Zhou, Guolin Yu, Liyan Shang, Kuanghong Gao, Yuanming Zhou, Tie Lin, Lijie Cui, Yiping Zeng, Junhao Chu, “Strong Spin-orbit Interactions in an InAlAs/InGaAs/InAlAs Two-dimensional Electron Gas by Weak Antilocalization Analysis”, J. J. Appl. Phys. 48(6), 063004 (2009).
18.Ouyang Yifang, Zhou Wenzheng, Zhong Xiaping, and Qin Shanhua, “Mechanical alloying of Fe25Al75-xTix mixed powders”; Mater. Trans., 45(5), 1774-1777 (2004).
19.覃善华,周文政,欧阳义芳,钟夏平,吴伟明,“纳米Al2O3-Mg(三氧化二铝—镁）和Al2O3-MgO(三氧化二铝—氧化镁）混合粉末的制备”, 电子元件与材料；23(2), 4-6 (2004).
20.钟夏平，周文政，欧阳义芳，吴伟明,“机械合金化制备Al5Fe2金属间化合物”；中国科学学报，1(6), 3-6 (2004).
21.L. Y. Shang, T. Lin, W. Z. Zhou, L. M. Wei, Y. F. Wei, Y. H. Sun, S. L. Guo, P. X. Yang,and J. H. Chu, “Spin-related magnetoresistance oscillations in the inversion layer on bulk p-Hg1-xCdxTe”, J. Appl. Phys. 109(11), 113717 (2011).
22.T. Lin, L.Y. Shang, W. Z. Zhou, X. J. Meng, J. L. Sun, G. Yu, S. L. Guo, J. H. Chu, “Competing conduction mechanisms of two-dimensional electrons and bulk-like electrons in the n-type surface of the naturally oxidized p-type HgCdTe thin film”, Appl. Phys. A, 106(3), 703-707 (2012).
23.商丽燕，林铁，周文政，黄志明，李东临，高宏玲，崔利杰，曾一平，郭少令，褚君浩，“In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性” 物理学报，57(4), 2481-2485 (2008).
24.商丽燕，林铁，周文政，郭少令，李东临，高宏玲，崔利杰，曾一平，褚君浩，“两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律”物理学报，57(6), 3818-3822 (2008).
25.商丽燕，林铁，周文政，李东临，高宏玲，曾一平，郭少令，俞国林，褚君浩，“In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应” 物理学报，57(8), 5232-5236 (2008).
26.高宏玲,李东临,周文政,商丽燕,王宝强,朱战平,曾一平,“不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究”,物理学报，56(8), 4955-4959 (2007).
27.朱博， 桂永胜， 周文政， 商丽燕， 郭少令， 褚君浩 ，吕捷， 唐宁， 沈波， 张福甲 “Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应”，物理学报，55(5), 2498-2503，(2006).
28.朱博，桂永胜，周文政，商丽燕，仇志军，郭少令，张福甲，褚君浩，“窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究”，物理学报，55(6), 2955-2960 (2006).
29.余晨辉，罗向东，周文政，罗庆洲，刘培生，“新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究”，物理学报，61(20), 207301 (2012).
30.K. H. Gao, Guolin Yu, Y. M. Zhou, W. Z. Zhou, T. Lin, J. H. Chu, N. Dai, D. G. Austing, Y. Gu, and Y. G. Zhang, “Experimental study of weak antilocalization effects in a two-dimensional system: Anomalous dephasing rate”, Phys. Rev. B 79(8), 085310 (2009).
31.Y. W. Li, Z. G. Hu, F. Y. Yue, W. Z. Zhou, P. X. Yang and J. H. Chu, “Effects of deposition temperature and post-annealing on structure and electrical properties in (La0.5Sr0.5)CoO3 films grown on silicon substrate”, Appl. Phys. A, 95(3), 721-725 (2009).
32.K. H. Gao, G. Yu, Y. M. Zhou, W. Z. Zhou, T. Lin, J. H. Chu, N. Dai, A. J. SpringThorpe, and D. G. Austing “Transport properties of AlGaAs/GaAs parabolic quantum wells” J. Appl. Phys. 105(1), 013712 (2009).
33.L. M. Wei, K. H. Gao, X. Z. Liu, W. Z. Zhou, L. J. Cui, Y. P. Zeng, G. Yu, R. Yang, T. Lin, L. Y. Shang, S. L. Guo, N. Dai, J. H. Chu, and D. G. Austing, “Spin dependence of electron effective masses in InGaAs/InAlAs quantum well”, J. Appl. Phys. 110(6), 063707 (2011).
34.Y. M. Zhou, K. H. Gao, G. Yu, W. Z. Zhou, T. Lin, S. L. Guo, J. H. Chu, and N. Dai, “Gate-controlled electron_electron interactions in an In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure”, Solid State Commun., 150(5-6), 251-253 (2010).
35.朱博， 桂永胜，仇志军，周文政，姚炜，郭少令， 褚君浩， 张福甲 “窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡”物理学报，55(2), 786-790 (2006).
36.SHANG Li-Yan, YU Guo-Lin, LIN Tie, ZHOU Wen-Zheng, GUO Shao-Ling, DAI Ning, CHU Jun-Hao, “Spin Splitting in In0.53Ga0.47As/InP Heterostructures”, CHIN.PHYS.LETT. 25(6), 2194-2197, (2008).
37.Y. M. Zhou, G. Yu, L. M. Wei, K. H. Gao, W. Z. Zhou, T. Lin, L. Y. Shang, S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, and D. G. Austing, “Experimental approaches to zero-field spin splitting in a gated high-mobility In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure: Weak antilocalization and beating pattern”, J. Appl. Phys. 107(5), 053708 (2010).
38.黎光旭，叶姗，彭雯琦，周文政，蓝志强，“HfCl4、ZrCl4掺杂对NaAlH4、LiAlH4储氢性能的影响”，广西大学学报.自然科学版，38( 4),467-475 (2013).
39.Y. M. Zhou, L. Y. Shang, G. Yu, K. H. Gao, W. Z. Zhou, T. Lin, S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, and D. G. Austing, “Transport properties of a spin-split two-dimensional electron gas in an In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure”, J. Appl. Phys. 106(7), 073722 (2009).
40.Xiaojuan Li, Wenhui Lu, Weiling Dong, Qi Chen, Dan Wu, Wenzheng Zhou, and Liwei Chen, “Si/PEDOT hybrid core/shell nanowire arrays as photoelectrodes for photoelectrochemical watersplitting”, Nanoscale, 5(12), 5257-5261 (2013).
41.HAN Kui(韩奎), TANG Ning(唐宁), DUAN Jun-Xi(段俊熙), LU Fang-Chao(卢芳超), LIU Yu-Chi(刘禹驰), SHEN Bo(沈波), ZHOU Wen-Zheng(周文政), LIN Tie(林铁), SUN Lei(孙雷),YU Guo-Lin(俞国林), CHU Jun-Hao(褚君浩)，“Oscillations of Low-Field Magnetoresistivity of Two-Dimensional Electron Gases in Al0.22Ga0.78N/GaN Heterostructures in a Weak Localization Region”, CHIN. PHYS. LETT. 28 (8), 087302, (2011).
42.X. Z. Liu, Y. G. Xu, G. Yu, L. M. Wei, T. Lin, S. L. Guo, J. H. Chu, W. Z. Zhou, Y. G. Zhang, and David J. Lockwood, “The effective g-factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well investigated by magnetotransport measurement”, J. Appl. Phys. 113(3), 033704 (2013).
43.N. Tang, B. Shen, M. J. Wang, Z. J. Yang, K. Xu, and G. Y. Zhang, T. Lin, B. Zhu, W. Z. Zhou, and J. H. Chu “Effective mass of the two-dimensional electron gas and band nonparabolicity in AlxGa1-xN/GaN heterostructures”, Appl. Phys. Lett. 88(17), 172115 (2006).
44.K. H. Gao, G. Yu, Y. M. Zhou, L. M. Wei, T. Lin, L. Y. Shang, L. Sun, R. Yang, W. Z. Zhou, N. Dai, J. H. Chu, D. G. Austing, Y. Gu, and Y. G. Zhang, “Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells”, J. Appl. Phys. 108(6), 063701 (2010).
45.N. Tang, B. Shen, K. Han, Z. J. Yang, K. Xu, G. Y. Zhang, T. Lin, B. Zhu, W. Z. Zhou, L. Y. Shang, S. L. Guo, and J. H. Chu, “Origin of split peaks in the oscillatory magnetoresistance in AlxGa1–xN/GaN heterostructures”, J. Appl. Phys. 100(7), 073704 (2006).
46.Ning Tang, Bo Shen, Xiao-Wei He, Kui Han, Zhi-Jian Yang, Zhi-Xin Qin, Guo-Yi Zhang, Tie Lin, Bo Zhu, Wen-Zheng Zhou, Li-Yan Shang, and Jun-Hao Chu “Influence of the illumination on the beating patterns in the oscillatory magnetoresistance in AlxGa1?xN/GaN heterostructures”, Phys. Rev. B 76(15), 155303 (2007).
47.N. Tang, B. Shen, M. J. Wang, K. Han, Z. J. Yang, K. Xu, and G. Y. Zhang, T. Lin, B. Zhu, W. Z. Zhou, and J. H. Chu “Beating patterns in the oscillatory magnetoresistance originated from zero-field spin splitting in AlxGa1-xN/GaN heterostructures”, Appl. Phys. Lett. 88(17), 172112 (2006).
48.Ning Tang, Bo Shen, Kui Han, Xiao-Wei He, Chun-Ming Yin, Zhi-Jian Yang, Zhi-Xin Qin, Guo-Yi Zhang, Tie Lin, Wen-Zheng Zhou, Li-Yan Shang, Jun-Hao Chu, “Influence of the illumination on the subband structure and occupation in AlxGa1?xN/GaN heterostructures”, Appl. Phys. A 96(4), 953–957 (2009).
49.K. Han, B. Shen, N. Tang, Y.Q. Tang, X.W. He, Z.X. Qin, Z.J. Yang, G.Y. Zhang, T. Lin, B. Zhu, W. Z. Zhou, J.H. Chu, “Observation of the transition from diffusive regime to ballistic regime of the 2DEG transport property in AlxGa1-xN/GaN heterostructures”, Phys. Lett. A, 366(3), 267-270 (2007).
50.N. Tang, B. Shen, X. W. He, K. Han, Y. Q. Tang, Z. J. Yang, Z. X. Qin, G. Y. Zhang, T. Lin, B. Zhu, W. Z. Zhou, L. Y. Shang, and J. H. Chu, “Influence of the illumination on the spin splitting of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures”, PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, 5(6), 2339-2341 (2008).

数据更新日期2016-01-15填报责任人周文政
本信息由教师个人提供，文责自负！