姓名
王永顺
性别
男


出生年月
1957.12.28
职称
教授

办公室
电子与信息工程学院1405

电话
**

Email
wangysh@mail.lzjtu.cn

简介 王永顺，男，汉族，工学博士。现任兰州交通大学教授，博士生导师，电子科学与技术系系主任。主要从事电路与系统、模拟集成电路设计、新型半导体器件和交通信息器件的教学与研究工作。1989年6月在清华大学半导体器件与物理专业获得工学硕士学位。2005年6月在兰州大学微电子学与固体电子学专业获得工学博士学位。2009-2011年主持完成甘肃省科技支撑计划项目和兰州市科技发展计划项目等4项，并通过了甘肃省科学技术厅组织的科技成果鉴定，3项达到国内领先水平，1项达到国际先进水平。目前主持国家自然科学基金项目一项。近年来在《Semiconductor Science and Technology》、《SCIENCE CHINA Information Sciences》、《Journal of Semiconductors》等高水平期刊发表学术论文30余篇，其中，EI检索12篇，SCI检索6篇。依托兰州交通大学，以本人为学科带头人建立了《甘肃省集成电路工程研究中心》和《甘肃省微电子行业技术中心》。


研究方向 新型半导体器件、模拟集成电路设计、交通信息器件


科研项目1. 国家自然科学基金项目《静电感应晶体管栅源击穿电压的提高与关键工艺研究》（**）合同书，2013.1-2017.12；（主持）。
2. 甘肃省科技支撑计划《单片低压差输出电压调整器的研究与开发》（097GKCA052），2009.1-2011.6（主持）。
3. 兰州市科技发展计划项目《耐高压大电流静电感应晶体管的研制与开发》2013-4-17，2013.1-2016.6（主持）。
4. 兰州市科技发展计划项目《开关电源管理电路IP核的设计与开发》（2009-1-1），2009.1-2011.6（主持）。
5. 兰州市科技发展计划项目《新型硅单晶光伏电池的开发与产业化》（07-2-46），2007.1-2009.6（主持）。


代表性论文 [1] Wang Yongshun, Feng Jingjing, Liu Chunjuan Wang Ziting Zhang Caizhen. Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure. Science China: Information Sciences. (Accepted for publication in Aug. 2012, SCI 收录)
[2] Wang Yongshun, Feng Jingjing, Liu Chunjuan, Wang Zaixing, Zhang Caizhen, and Chang Peng. Improvement on the dynamical performance of a power bipolar static induction transistor with a buried gate structure. Chinese Journal of Semiconductors. Vol. 32, No.11 Nov. 2011, P114005-1?5(EI收录)
[3]Wang Yongshun, Li Hairong, Wang Ziting and Li Siyuan. Improvements on High Voltage Performance of Power Static Induction Transistors. Chinese Journal of Semiconductors，Vol. 30, No.10 Apr. 2009, P 104003-1~5(EI收录).
[4] Wang Yongshun, Liu Chunjuan, Gu Shengjie and Zhang Caizhen. Ohmic contact behaviour of Co/C/4H-SiC structures. Chinese Journal of Semiconductors，Vol. 32, No.4 Apr. 2011, P 04003-1-4(EI收录).
[5] Wang Yongshun, Luo Xianliang, Li Hairong, Wang Ziting, Wu Rong, Zhang Caizhen and Li Siyuan. Improvements on Radiation-Resistant Performance of Static Induction Transistor. Science China: Information Sciences. Vol.53, No.5, 2010, (SCI 收录)
[6] Wang Yongshun, Li Hairong, Wu Rong and Li Siyuan. Mechanism of Reverse Snapback on I-V Characteristics of Power SITHs with Buried Gate Structure. Chinese Journal of Semiconductors. Vol.29, No.3 Mar. 2008. P101-106.(EI收录)
[7] Yongshun Wang, Rong Wu, Chunjuan Liu and Ziting Wang. Researches on the Injected Charge Potential Barrier Occurring in the Static Induction Transistor in the High Current Region. Semiconductor Science and Technology. 23 (2008) Feb. P152-156. (SCI收录)
[8] Wang Yongshun, Wu Rong, Liu Chunjuan and Li Siyuan. Improvement on High Current Performances of Static Induction Transistor. Chinese Journal of Semiconductors, Vol.28, No.8， Aug. 2007. P1192-1197.(EI收录)
[9] Yongshun Wang, Siyuan Li, Dongqing Hu. Dependence of I-V Characteristics on Structural Parameters of Static Induction Transistor. Solid-State Electronics. 48(2004) P55-59.(SCI收录)
[10] Yongshun Wang, Siyuan Li, JianHong Yang and Dongqing Hu. A Novel Buried-Gate Static Induction Transistor with Diffused Source Region. Semiconductor Science and Technology. 19 (2004) P152-156. (SCI收录)
[11] Wang Yongshun, Li Siyuan and Hu Dongqing. A Microwave High Power Static Induction Transistor with Dielectrics Gate Structure. Chinese Journal of Semiconductors. Vol.25, No.1 Jan. 2004. P19-25.(EI收录)
[12] Wang Yongshun, Li Siyuan and Hu Dongqing. Static Induction transistor with Planar Type Buried Gate. Chinese Journal of Semiconductors. Vol.25, No.2 Feb. 2004. P126-132. (EI收录)
[13] Wang Yongshun, Liu Su, Li Siyuan, and Hu Dongqing. Electrical Performance of Static Induction Transistor with Mixed I-V Characteristics. Chinese Journal of Semiconductors. Vol.25, No.3, Mar. 2004. P266-271. (EI收录)
[14] Liu Chunjuan and Liu Su. Dependence of Transient Performances on the Potential Distribution in the Channel of Static Induction Thyristor. Chinese Journal of Semiconductors，Vol. 33, No.4 Apr. 2012, (EI收录).
[15] Zhang Caizhen, Wang Yongshun, Liu Chunjuan and Wang Zaixing. A New Static Induction Thyristor with High Forward Blocking Voltage and Excellent Switching Performances. Vol. 31, No.3. 2010 (EI收录).


专利及获奖 2012年获甘肃省科学技术进步三等奖1项。
2012年获兰州市科学技术进步二等奖1项。
2013年获兰州市科技进步一等奖1项。
2015年获得甘肃省高等学校科学研究优秀成果奖1项。