更新日期：2018年9月3日
姓 名 刘玉荣 性 别 男
出生年月 1968年4月 籍贯 江西吉安县
民 族 汉族 政治面貌 党员
最后学历 博士研究生 最后学位 工学博士
技术职称 教授 导师类别 硕导
行政职务Email phlyr@scut.edu.cn
工作单位 电子与信息学院 邮政编码 510640
通讯地址 广州市天河区五山路华南理工大学30号楼（宏生楼）
单位电话 **


个人简介
刘玉荣，男，中共党员，博士，教授，硕士研究生导师。1991年7月毕业于江西大学物理系半导体物理专业。1996年和2007年分别于四川大学物理系凝聚态物理专业和华南理工大学微电子学与固体电子学专业获得硕士和博士学位。1996年至今一直在华南理工大学从事教学与科研工作，多次应邀到香港大学进行学术访问研究。先后主讲半导体物理、半导体器件、集成电路工艺原理、微电子学概论、深亚微米器件建模与仿真、集成传感器制造技术等本科和研究生课程。先后主持国家自然科学基金和广东省自然科学基金等科研项目各2项，作为核心成员参加国家自然科学基金、省部级项目等4项。已发表科研论文60余篇，其中被SCI、EI、ISTP检索40多次。申请专利超过20件（已授权发明专利4件，实用新型专利10件）。目前的主要研究领域包括薄膜晶体管及其集成技术、传感器与信息感知技术、可穿戴柔性电子器件与系统集成等。
工作经历
1996年至今一直在华南理工大学从事教学与科研工作，2012年被聘任为教授，其间多次应邀到香港大学电机与电子工程系进行学术访问研究。
教育经历
(1) 2004.9–2007.6, 华南理工大学, 微电子学与固体电子学, 博士
(2) 1993.9–1996.7, 四川大学, 凝聚态物理, 硕士
(3) 1987.9–1991.7, 江西大学, 半导体物理, 学士
科研项目
主持在研项目：
（1）基于压电应变栅氧化物薄膜晶体管的柔性触觉传感器研究，国家自然科学基金项目；
（2）电阻栅氧化物薄膜晶体管制备及其性能研究，广东省自然科学基金项目
发表论文
近年代表性科研论文：
(1) Yu-Rong Liu (#)(*); Jie Liu; Song, Jia-Qi; Lai, Pui-To; Yao, Ruo-He, Indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistor with a planar split dual-gate structure, Modern physics Letters B, 2017, 31(35): **.
(2) Y R Liu(#)(*); H Huang; P T Lai ; W J Wu; R S Chen,Effects of annealing temperature of NbLaO gate dielectric on electrical properties of ZnO thin-film transistor, J. Phys. Commun., 2017, 1(1): 035003.
(3) Liu, Yu-Rong(#)(*); Zhao, Gao-Wei; Lai, Pai-To; Yao, Ruo-He, Improvement in the electrical performance and bias-stress stability of dual-active-layered silicon zinc oxide/zinc oxide thin-film transistor, CHINESE PHYSICS B, 2016, 25(8): 088503.
(4) Liu, Yurong(#)(*); Mo, Shufeng; Yao, Ruohe; Lai, Pui To, Negative gate-bias instability of ZnO thin-film transistors studied by current-voltage and capacitance-voltage analyses , Journal of Vacuum Science & Technology B, 2014, 32(6): 061208
(5) Liu Yu-Rong(#)(*); Su Jing; Lai Pei-Tao; Yao Ruo-He, Positive gate-bias temperature instability of ZnO thin-film transistor , Chinese Physics B, 2014, 23(6)：068501.
(6) Yuan Liu, Wei-Jing Wu, Zhi-Feng Lei, Lei Wang, Qian Shi,Yu-Rong Liu, Yun-Fei En, and Bin Li, Instability of Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors Under Transmission Line Pulsed Stress，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 35（12）：1254.
(7) Y. R. Liu#)(*), R. Liao, P. T. Lai, and R. H. Yao, Bias-Stress-Induced Instability of Polymer Thin-Film Transistor Based on Poly(3-Hexylthiophene), IEEE Transactions on device and materials reliability, 2012, 12 ( 1): 58-62.
(8) L. F. Deng, Y. R. Liu, H. W. Choi, J. P. Xu, C.M. Che, and P. T. Lai, Effects of Annealing Temperature and Gas on Pentacene OTFTs With HfLaO as Gate Dielectric, IEEE Transactions on device and materials reliability, 2012, 12 ( 1): 107-112.
(9) Yurong Liu#)(*), P T Lai, Ruohe Yao and Linfeng Deng, Interface states in polymer thin-film transistors based on poly(3-hexylthiophene), Semicond. Sci. Technol. 2012, 27 (5): 055015.
(10) Liu Yu-Rong#)(*), Lai Pei-Tao, and Yao Ruo-He, High-photosensitivity polymer thin-film transistors based on poly(3-hexylthiophene), Chin. Phys. B, 2012, 21( 8): 088503.
科研创新
授权发明专利：
(1) 刘玉荣(#)(*); 姚若河; 耿魁伟, 集成化电容式微加工超声换能器及其制备方法， **7.X
(2) 刘玉荣(#)(*); 姚若河; 耿魁伟; 韦岗,一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法，**6.4
(3) 张丹丹; ; 姚若河; 韦岗, 刘玉荣(*)，柔性化电容式微加工超声换能器及其制备方法，
**9.4
(4) 刘玉荣(#)(*); 姚若河; 韦岗, 一种柔性集成化超声换能器及其制备方法，**4.3