更新日期：2018年8月31日
姓 名 周长见 性 别 男
出生年月 1986年8月 籍贯 开封
民 族 汉族 政治面貌 党员
最后学历 博士研究生 最后学位 工学博士
技术职称 副教授 导师类别 硕导
行政职务Email zhoucj@scut.edu.cn
工作单位 电子与信息学院 邮政编码 510641
通讯地址 华南理工大学宏生科技楼
单位电话 **
个人主页 https://www.researchgate.net/profile/Changjian_Zhou


个人简介
2007年进入清华大学微电子与纳电子学系直接攻读博士学位，2012年7月获得博士学位。先后在清华大学、香港科技大学、香港理工大学从事研究工作，担任研究助理、访问学者等职务。主要研究方向包括射频声学MEMS器件、微/纳传感器、纳米电子器件等。曾赴日本东京大学、美国圣克拉拉大学等进行学术交流访问，在柔性电子器件及传感系统、通孔互连等领域开展合作研究。近年来发表论文60余篇，论文总引用600余次。在微电子器件权威期刊如IEEE Electron Device Letters, Applied Physics Letters, Journal of Micromechanics and Microengineering，Advanced Functional Materials, Nanoscale等以及电子器件顶级会议IEEE Electron Device Meeting等发表多篇论文，其中在新型柔性高频谐振器的研究工作被IOP选为“IOP Select”论文。受邀担任国际著名期刊Advanced Materials, Advanced Energy Materials， Sensors and Actuators，Scientific Reports, Sensors，IEEE EDL等审稿人。
工作经历
2016.09至今：副教授，华南理工大学
2015.02-2016.07 Research Associate， 香港理工大学
2012.11-2015.02：访问学者， 香港科技大学
2013.02-2013.03：访问研究员，东京大学
2012.07-2012.11：科研助理，清华大学
教育经历
2007.09-2012.07：博士 微电子与固体电子学 清华大学
2003.09-2007.07：学士 微电子学 西安电子科技大学
获奖、荣誉称号
2007年获得“陕西省优秀毕业生”称号 (1%)
2009年获得“清华大学社会实践先进个人”称号
2009年获得清华大学微电子所优秀奖学金
2011年获得胡正明奖学金
社会、学会及学术兼职
IEEE高级会员（Senior Member）
中国微米纳米技术学会高级会员
担任Advanced Materials，Scientific Reports，Advanced Energy Materials, Sensors and Actuators, IEEE Electron Device Letters，Applied Physics Letters等10余种期刊审稿人。
研究领域
(1) 面向未来通信（5G通信，卫星通信）的射频前端系统和关键电子元件
(2) 智能传感器与系统集成
(3) 压电声学电子器件
(4) 低维材料电子器件
科研项目
1) 国家自然科学基金（青年项目） 超高频声表面波谐振器的温度漂移与补偿机理研究 2019.01-2021.12
2) 广州市一般项目 深亚微米尺度新型集成电路互连器件研究 2018.04-2020.03
3) 广州市对外科技合作专项 面向卫星移动通信系统手持终端的一体化SIP芯片研发 2018.04-2020.03
4) 装备预研项目 二维材料的掺杂制备和选择性堆垛异质结电学特性研究 2017.11-2019.10
发表论文
（1）代表性论文
近年来发表论文60余篇，论文总引用700余次。以第一作者身份在期刊如Advanced Functional Materials、 Nanoscale、IEEE EDL和电子器件顶级会议IEDM等发表论文20余篇.代表性论文如下：
1.Changjian Zhou, et al. Synthesis and interface characterization of CNTs on graphene. Nanotechnology, 28, 5 054007, 2017.
2.Changjian Zhou, et al. Ferroelectric-Gated Two-Dimensional-Material-Based Electron Devices. Advanced Electronic Materials, **, 2017.
3.Changjian Zhou, et al. Carrier Type Control of WSe2 Field- Effect Transistors by Thickness Modulation and MoO3 Layer Doping. Advanced Functional Materials, 26, 23, 4223-4230, 2016.
4.Changjian Zhou, et al. Low voltage and high on/off ratio field-effect transistors based on CVD MoS2 and ultra high-k PZT gate dielectric. Nanoscale, 2015, 7, 8695-8700, 2015.
5.Changjian Zhou, et al. Flexible structured high-frequency film bulk acoustic resonators for flexible wireless electronics. Journal of Micromechanics and Microengineering, 25, 055003-1-055003-8, 2015. (IOP Select and Highlights of 2015).
6.Changjian Zhou, et al. Resistance determination for sub-100 nm carbon nanotube vias. IEEE Electron Device Letters, 36, 1, 71-73, 2015.
7.Changjian Zhou, et al. Visible-light photoresponse of AlN-based film bulk acoustic wave resonator. Applied Physics Letters, 102, 191914, 2013.
8.Changjian Zhou, et al. Temperature-compensated high-frequency surface acoustic wave device. IEEE Electron Device Letters, 34, 12, 1572-1574, 2013.
9.Changjian Zhou, et al. Surface acoustic wave resonators based on (002) AlN/Pt/diamond/silicon layered structure. Thin Solid Films, 548, 425–428, 2013.
10.Changjian Zhou, et al. Finite element analysis of lateral field excited thickness shear mode film bulk acoustic resonator. COMPEL: The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering, 31, 6, 1892-1900, 2012.
11.Changjian Zhou, et al. Surface acoustic wave characteristics based on c-axis (006) LiNbO3/diamond/silicon layered structure. Applied Physics Letters, 99, 022109, 2011.
12.Changjian Zhou, et al. Ultra flexible pseudo-lamb wave RF resonators based on ZnO/PI and AlN/PI structures. IEDM (IEEE Electron Devices Meeting) 2012, San Fransisco, Dec. 10-12, 5.4.1 - 5.4.4, 2012.
13.Changjian Zhou, et al. Study of surface acoustic wave characteristics based on AlN/LiNbO3/diamond layered structure. Journal of Tsinghua University: Scienece and Technology (in Chinese), 52, 4, 544-549, 2012.
14.(Invited talk) Changjian Zhou, et al. Electrical characterization of carbon nanotube vias for sub-100 nm technology nodes. IEEE Electron Devices and Solid-State Circuits, Chengdu, Jun. 18-20, 2014.
15.Changjian Zhou, et al. Integration of Diamond-like carbon and AIN for acoustic wave devices. IEEE Electron Devices and Solid-State Circuits, Hong Kong, Jun 3-5, 2013.
16.(Invited talk) Changjian Zhou, et al. Post-CMOS Integration of AlN based Film Bulk Acoustic Wave Resonator for System on Chip Microwave Circuit. The 17th National Conference on Compound semiconductor materials, Microwave devices and Optoelectronic devices, Kaifeng, Nov.7-9, 2012.
17.Vyas, Anshul A., Changjian Zhou*, and Cary Y. Yang. On-chip Interconnect Conductor Materials for End-of-Roadmap Technology Nodes. IEEE Transactions on Nanotechnology, In press, 2017.
Salahuddin Raju, Changjian Zhou*, Bin Li and Mansun Chan.Temperature Compensated Super-High-Frequency (2-8 GHz) Surface Acoustic Wave Devices. IEEE VLSI-TSA, Hsinchu, Taiwan, Apr. 24-27, 2017.
出版专著和教材
Changjian Zhou, Xiangguang Tian, Tian-Ling Ren. High-Performance Acoustic Devices for Wireless Communication and Sensor Applications. In: Huang QA. (eds) Micro Electro Mechanical Systems. Micro/Nano Technologies. Springer, Singapore.
科研创新
1) 周长见，李斌。一种温度补偿表面声波器件及其制备方法，申请号：**9.8。
2) 周长见，李斌，严伟，李国元。一种集成碳纳米管和石墨烯的互连结构及其制造方法，申请号：**4.1。
3）周长见，吕喆，冯志红，蔚翠。一种MSM光电探测器及其制作方法，申请号：**9.0。
教学活动
本科生必修课程：半导体器件 48学时
本科生选修课程：微纳电子机械系统导论 32学时
研究生课程：Introduction to MEMS 32学时
指导学生情况
在读博士研究生生1名，硕士研究生7名。