更新日期：2018年7月13日
姓 名 卢星 性 别 男
出生年月 1986年10月 籍贯 山西右玉县
民 族 汉族 政治面貌 群众
最后学历 博士研究生 最后学位 哲学博士
技术职称 副教授 导师类别 硕导
行政职务Email eelux@scut.edu.cn
工作单位 电信 邮政编码
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单位电话


个人简介
卢星博士近年来一直从事宽禁带氮化物半导体材料和器件的理论与应用研究，多项研究指标处于国际或国内领先水平，作为项目负责人或骨干研究人员先后主持或参与了包括国家自然科学基金青年项目、广东省前沿与关键技术创新专项资金粤港合作专题项目、广州市科技计划对外科技合作项目以及国家重点研发计划在内的多项科研项目，已发表SCI或EI收录论文近30篇，SCI引用超过200次，合作出版化合物半导体相关的英文论著一部，多次在顶级国际学术会议上报告相关研究成果，受到业界和学界的广泛关注。
工作经历
2017年7月 — 至今 华南理工大学 副教授
2016年11月 — 2017年6月 西安交通大学 副教授
2016年 7月 — 2017年6月 香港科技大学 副研究员
2015年 2月 — 2016年10月 西安交通大学 助理教授
教育经历
2010年9月 — 2015年6月 香港科技大学 电子及计算机工程 博士
2005年9月 — 2010年7月 复旦大学 微电子学 学士
发表论文
1.X. Lu, L. Zhou, L. Chen, X. Ouyang, B. Liu, J. Xu, and H. Tang, “Schottky x-ray detectors based on a bulk β-Ga2O3 substrate”, Applied Physics Letters, 112, 103502, Mar 2018.
2.X. Lu, C. Liu, H. Jiang, X. Zou, and K. M. Lau, ” High performance monolithically integrated GaN driving VMOSFET on LED “, Electron Device Letters, IEEE. 38, 6, 752-755, 2017. (Featured in SemiconductorToday)
3.X. Lu, K. Yu, H. Jiang, A. Zhang, and K. M. Lau, " Study of Interface Traps in AlGaN/GaN MISHEMTs Using LPCVD SiNx as Gate Dielectric", Electron Devices, IEEE Transactions on, 64, 3, 2017.
4.X. Lu, C. Liu, H. Jiang, X. Zou, A. Zhang and K. M. Lau, “Monolithic integration of enhancement-mode Vertical driving transistors on InGaN/GaN light emitting diodes”, Applied Physics Letters, 109, 053504, Aug 2016.
5.X. Lu, H. Jiang, C. Liu, X. Zou and K. M. Lau, “Off-state leakage current reduction in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by combining surface treatment and post-gate annealing”, Semiconductor Science and Technology, 31, 055019, 2016.
6.X. Lu, C. Liu, H. Jiang, X. Zou, A. Zhang and K. M. Lau, “Ultralow reverse leakage current in AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes grown on Bulk GaN substrate”, Applied Physics Express, 9, 031001, Jan 2016.
7.X. Lu, J. Ma, H. Jiang, C. Liu, P. Xu and K. M. Lau, “Fabrication and characterization of gate-last self-aligned AlN/GaN MISHEMTs with in-situ SiNx gate dielectric”, Electron Devices, IEEE Transactions on. 62, 6, 1862, June 2015.
8.X. Lu, J. Ma, H. Jiang and K. M. Lau, “Low trap states in in situ SiNx/AlN/GaN metal-insulator- semiconductor structures grown by metal-organic chemical vapor deposition”, Applied Physics Letters, 105, 102911, Sept 2014.
9.X. Lu, J. Ma, Z. Liu, H. Jiang, T. Huang, and K. M. Lau, "In-situ SiNx gate insulator by MOCVD for low- leakage-current ultra-thin-barrier AlN/GaN MISHMETs on Si," Physica Status Solidi A, 211, 4, 775-778, Mar 2014.
10.X. Lu, J. Ma, H. Jiang, and K. M. Lau, "Characterization of in situ SiNx thin film grown on AlN/GaN heterostructure by metal-organic chemical vapor deposition," Applied Physics Letters, 104, 032903, Jan 2014.
11.X. Lu, J. Ma, C. P. Yue, and K. M. Lau, "A GaN-based Lamb-wave oscillator on silicon for high-temperature integrated sensors," Microwave and Wireless Components Letters, IEEE, 99, 6, 318, May 2013.
12.X. Lu, C. M. Lee, S. Y. Wu, H. P. Ho and K. M. Lau,"GaN-based S0-wave sensors on silicon for chemical and biological sensing in liquid environments," Sensors Journal, IEEE, 13, 4, 1245, April 2013.
出版专著和教材
?Z. Liu, T. Huang, Q. Li, X. Lu, and X. Zou, “Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies: Compound Semiconductor Materials and Devices”, Morgan & Claypool Publishers, 2016.