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华南师范大学光电子材料与技术研究所导师教师师资介绍简介-梅霆客座教授
本站小编 Free考研考试/2021-05-24
梅霆 客座教授
梅霆 教授
梅霆教授2009年回国就职于华南师范大学,研究兴趣在纳米光子学、光子集成技术、低维量子器件、半导体光电子器件,曾从事光子集成器件、红外量子阱/量子点探测器,非制冷红外成像器件研究工作等。
2000-2009年任教于新加坡南洋理工大学电子及电机学院微电子系、获终身教职、主持多项科研项目,建纳米光子实验室。2007年底获新加坡研究基金会首批重大科研项目千万新元资助,作为首席科学家主持竞争性研究计划(CRP),组织多位海内外教授研究光子芯片和光子操控所需的纳米光学结构,研究基于波导光子集成芯片(PIC)及适用于高密度集成的光子结构如环谐振器、光子晶体(PC)、SP结构、通过环谐振器、PC、SP结构形成强的场分布,强化光子-电子相互作用,以及实现光缓冲、调制等对光的操控。梅霆教授是IEEE资深会员,曾任IEEE光子协会(Photonics Society/LEOS)新加坡分会副主席和理事。
新加坡国立大学电子工程学博士(Ph.D. Electrical Engineering)
1995.9 – 2000.1
浙江大学光学工程工学硕士
1988.9 – 1991.4
浙江大学光学工程工学学士
1984.9 – 1988.7
电机及电子工程师协会(IEEE)资深会员(2006)
2000 – 现在
新加坡南洋理工大学 (Nanyang Technological University, Singapore)
2000.10 – 2009.12
——电机及电子工程系,副教授(终身教职)
2005-
——从事光电子﹑微电子﹑集成电路的教学
2005-
——从事光电子学领域研究: 光子集成器件﹑半导体光电器件﹑纳米晶体材料及器件等
2005-
——纳米光子学实验室负责人
2007-
新加坡微电子所 (Institute of Microelectronics, Singapore)
1997.6 – 2000.10
——微机电系统(MEMS)及大规模集成电路(VLSI)研究员
——从事MEMS﹑光电子和微电子器件的设计与模拟, 集成电路设计:红外焦平面探测器成像阵列(IR-FPA)﹑探测器阵列读出电路(ROIC)﹑离子敏感场效应管探测器((ISFET)﹑压力传感器伺服电路(ASIC)等
浙江大学
1991.4 – 1995.9
——光学工程学助理研究员
——从事光电子器件的设计与制造﹑光电子系统设计: 红外液晶光阀及动态红外仿真系统﹑大屏幕显示全彩色液晶光阀大屏幕显示﹑薄膜微结构研究等
Université de Valenciennes, France
2008.6 – 2008.7
——客座教授,受邀短期访问, 建立与对方的研究合作。
CRP项目首席调研人: 用于新一代光子及电子工程的人工介观结构(NRF-G-CRP 2007-01) ——新加坡国家科研基金会(NRF)
1千万新元
2007 – 现在
有机薄膜晶体管的物理气相沉积研究(RG13/06)—— 新加坡教育部
(MOE)
7.8万新元
2006 – 现在
能带工程与通用InP光子集成器件制造技术(ARC 2/05)——新加坡教育部(MOE)和科技发展局 (A*STAR)
62.7万新元
2005 – 现在
高量子效率的红外量子阱探测器 —— 新加坡教育部(MOE)
10.2万新元
2001 - 2004
基于光子MEMS器件DWDM网应用中的宽带光学开关(RG 43/99) —— 新加坡教育部(MOE)
25万新元
2000 - 2003
光子集成器件设计及制造(RG12/03)—— 新加坡教育部(MOE)
40.5万新元
2004 - 2007
GaAs衬底上固体源分子束外延生长的GaInNAs:Sb 光电二极管(RG 09/01)——新加坡教育部(MOE)
16.6万新元
2001 – 2004
应用在LIDAR中的实延时系统(DSO/C/00/23L)—— 新加坡国防机构国家实验室
1百万新元
2000-2003
论文评审: J. Appl. Phys.; IEEE Trans. Elect. Devices; Optical Comm.; European Phys. Japn. J. App. Phys.; ACSnano, J. Phys. Chem., Appl. Phys. B. etc.
IEEE Laser Electro-Optics Society (LEOS) 新加坡分会副主席 (2004﹑2005)
IEEE Photonics Society 新加坡分会理事 (2009)
IEEE Photonics Global @ Singapore 2008, Technical Committee Member
IEEE Optical MEMS & Nanophotonics conference, Freiburg 2008 & Clearwater 2009, Technical Committee Member
Applications of Optical Metamaterials, Tianjin 2009, International Program Technical Committee
Hery Susanto Djie (Ph.D., with JDSU, California), Li Hui (Ph.D., with Chartered Semiconductor Manufacturing, Singapore), Nie Dong (Ph.D., with Denselight, Singapore), Wang Junming (M.Eng.), Chong Kian Fung (M.Sc.), Davuluri Swetha (M.Sc.), Arunachalam Venkatesan (M.Sc.)
Professor Sir John Pendry, Imperial College, UK
Professor Henry I Smith, Massachusetts Institute of Technology, USA
Professor Ronald Edgar Burge, University of Cambridge, UK
Professor Michael A Fiddy, University of North Carolina at Charlotte
Professor Karl Berggren, Massachusetts Institute of Technology, USA
Dr. Jean Pierre Huignard, Thales France TRT
Professor Chennupati Jagadish, Australia National University
Professor B. S. Ooi, Lehigh University, USA
Professor Gamani Karunasiri, Naval Postgraduate School, USA
Professor Elhadj Dogheche, Université de Valenciennes
1. Hu, Y., Qian, H., Mei, T., Guo, J., White, T., “Facile synthesis of magnetic metal (Mn, Co, Fe, and Ni) oxide nanosheets”, Materials Letters 2010
2. Du, L., Zhang, X., Mei, T., Yuan, X., “Localized surface plasmons, surface plasmon polaritons, and their coupling in 2D metallic array for SERS”, Optics Express, 18(3), 1959-1965, 2010
3. Darmawan, S., Tobing, L.Y.M., Mei, T., “Coupling-induced phase shift in a microring-coupled mach-zehnder interferometer”, Optics Letters, 35(2), 238-240, 2010
4. Tobing, L.Y.M.A.L., Darmawan, S., Lim, D.R., Chin, M.-K., Mei, T., “Relaxation of critical coupling condition and characterization of coupling-induced frequency shift in two-ring structures”, IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics, 16(1), **, 77-84, 2010
5. Pan, S.S., Li, G.H., Wang, L.B., Shen, Y.D., Wang, Y., Mei, T., Hu, X., “Atomic nitrogen doping and p-type conduction in SnO2”, Applied Physics Letters, 95(22), 222112, 2009
6. Xu, C., Mei, T., “Inductively coupled argon plasma-enhanced quantum-well intermixing: Cap layer effect and plasma process influence”, IEEE Journal of Quantum Electronics, 45(8), 910-916, 2009
7. Hu, Y., Mei, T., Guo, J., White, T., “Temperature-triggered self-assembly of ZnO: From nanocrystals to nanorods to tablets”, Inorganic Chemistry, 46(26), 11031-11035, 2007
8. Xu, C.D., Mei, T., Chin, M.K., Dong, J.R., Chua, S.J., “Built-in electric field enhancement/retardation on intermixing”, Applied Physics Letters, 91(18), 181111, 2007
9. Mei, T., “Fourier transform-based kp method of semiconductor superlattice electronic structure”, Journal of Applied Physics, 102(5), 53708, 2007
10. Xu, C.D., Mei, T., Dong, J.R., “Determination of diffusion lengths for intermixed quaternary quantum well with polarized edge-emitting photoluminescence”, Applied Physics Letters, 90(19), 191111, 2007
11. Mei, T., Li, H., Karunasiri, G., Fan, W.J., Zhang, D.H., Yoon, S.F., Yuan, K.H., “Normal incidence silicon doped p-type GaAs/AlGaAs quantum-well infrared photodetector on (1 1 1)A substrate”, Infrared Physics and Technology, 50, 119-123, 2007
12. Mei, T., “Interpolation of quaternary III-V alloy parameters with surface bowing estimations”, Journal of Applied Physics, 101(1), 13520, 2007
13. Nie, D., Mei, T., Xu, C.D., Dong, J.R., “Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing”, Applied Physics Letters, 89(13), 131103, 2006
14. Nie, D., Mei, T., Tang, X.H., Chin, M.K., Djie, H.S., Wang, Y.X., “Argon plasma exposure enhanced intermixing in an undoped InGaAsP/InP quantum-well structure”, Journal of Applied Physics, 100(4), 46103, 2006
15. Nie, D., Mei, T., Djie, H.S., Ooi, B.S., Zhang, X.H., “Improving crystal quality of InGaAs/GaAs quantum dots by inductively coupled Ar plasma”, Applied Physics Letters, 88(25), 251102, 2006
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17. Nie, D., Mei, T., Djie, H.S., Chin, M.K., Tang, X.H., Wang, Y.X., “Analysis of inductively coupled argon plasma-enhanced quantum-well intermixing process for multiple bandgap implementation”, Journal of Crystal Growth, 288(1), 32-35, 2006
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23. Djie, H.S., Ho, C.K.F., Mei, T., Ooi, B.S., “Quantum well intermixing enhancement using Ge-doped sol-gel derived Si O2 encapsulant layer in InGaAsInP laser structure”, Applied Physics Letters, 86(8), 81106, 1-3, 2005
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T. Mei, Anxi Xu, Monghua Xia, Peifu Gu, Xu Liu, Jinfa Tang, "Three-board high effective infrared cross polarizer", Chinese Patent ZL 921 141440, 1992.
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