孟彬彬
研究助理教授、硕士生导师（副研究员） 研究方向： 硬脆材料精密超精密加工技术
E-mail： mengbb@sustech.edu.cn



孟彬彬，2016年毕业于哈尔滨工业大学，获工学博士学位。近年来主持国家自然科学基金、广东省自然科学基金及深圳市科技计划项目（已结题）多项科研课题，作为技术骨干参与国家973计划项目、国家自然科学基金面上项目等多项课题；以第一或通讯作者在International Journal of Mechanical Sciences、Applied Surface Science、Nanoscale research letter等期刊发表SCI论文10篇。核心期刊《金刚石与磨料磨具工程》青年编委，并在“2020极端磨削加工技术研讨会”做特邀报告。
研究领域：
◆ 第三代半导体碳化硅、金刚石等硬脆难加工材料精密超精密加工技术及装备
◆ 复合能场作用下材料微观去除机制及工艺
工作经历：
◆ 2020.8-至今 南方科技大学/机械与能源工程系 研究助理教授、副研究员
◆ 2020.3-2020.8 南方科技大学/机械与能源工程系 Research fellow
◆ 2018.2-2020.3 南方科技大学/武汉大学联培 博士后
◆ 2017.8-2018.2 南方科技大学/机械与能源工程系 Research fellow
◆ 2017.5-2017.8 南方科技大学/机械与能源工程系 访问****
学习经历：
◆ 2011.9 哈尔滨工业大学 航空宇航制造工程 工学博士
◆ 2009.9 哈尔滨工业大学 航空宇航制造工程 工学硕士
◆ 2005.9 山东理工大学 机械设计制造及其自动化 工学学士
代表文章：
1. Meng B, Yuan D, Xu S. Study on strain rate and heat effect on the removal mechanism of SiC during nano-scratching process by molecular dynamics simulation[J]. International Journal of Mechanical Sciences, 2019, 151: 724-732.
2. Meng B, Yuan D, Zheng J, et al. Tip-based nanomanufacturing process of single crystal SiC: ductile deformation mechanism and process optimization[J]. Applied Surface Science, 2019: 144039.
3. Meng B, Yuan D, Xu S. Atomic-scale characterization of slip deformation and nanometric machinability of single crystal 6H-SiC[J]. Nanoscale research letter, 2019, 14: 0-8.
4. Meng B, Yuan D, Xu S. Coupling effect on the removal mechanism and surface/subsurface characteristics of SiC during grinding process at the nanoscale[J]. Ceramics International, 2019, 45(2): 2483-2491.
5. Meng B, Yuan D, Zheng J, et al. Molecular dynamics study on femtosecond laser aided machining of monocrystalline silicon carbide[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 101: 1-9.
6. Meng B, Qiu P, Yuan D, et al. Influence of microstructure on the diamond-machinability of hot-pressed silicon carbide: A molecular dynamics study[J]. Ceramics International, 2019, 45(17), 22872-22879.
7. Zhang F, Meng B, Geng Y, et al. Friction behavior in nanoscratching of reaction bonded silicon carbide ceramic with Berkovich and sphere indenters[J]. Tribology International, 2016, 97: 21-30.
8. Zhang F, Meng B, Geng Y, et al. Study on the machined depth when nanoscratching on 6H-SiC using Berkovich indenter: Modelling and experimental study[J]. Applied Surface Science, 2016, 368: 449-455.
9. Meng B, Zhang Y, Zhang F. Material removal mechanism of 6H-SiC studied by nano-scratching with Berkovich indenter[J]. Applied Physics A, 2016, 122(3): 247.
10. Meng B, Zhang F, Li Z. Deformation and removal characteristics in nanoscratching of 6H-SiC with Berkovich indenter[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 31: 160-165.
11. Meng B, Zheng J, Yuan D, Xu S. Machinability improvement of silicon carbide via femtosecond laser surface modification method[J]. Applied Physics A, 2019, 125(1): 69.