于洪宇院长、教授
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于洪宇，目前担任深港微电子学院（国家示范性微电子学院）院长及教授，深圳第三代半导体研究院副院长。作为主要负责人，他成功筹建了深港微电子学院；作为筹建人之一，成功筹建了深圳第三代半导体研究院；代表南科大与清华大学共同牵头筹建未来网络高端器件制造业创新中心；牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省GaN器件工程技术中心，并成立团队；与香港大学、澳门大学、香港科技大学合作，成功招收了首届深港澳实验班学生，为微电子在大湾区的布局做出了重大贡献。享受深圳市政府特殊津贴，英国工程技术学会会士(Fellow of IET)，任中国最高综合类学术期刊Science Bulletin（科学通报英文版）副主编以及《Journal of Semicondictor》编辑。

联系方式：yuhy@sustech.edu.cn

教育经历
2001 年 1 月-2004 年 5 月，获得新加坡国立大学电机与计算机工程系博士学位；
1999 年 7 月-2000 年 12 月，获得加拿大多伦多大学材料系硕士学位；
1994 年 9 月-1999 年 7 月，获得清华大学材料系学士学位；


工作经历
2011年10月至今，受聘于南方科技大学，任教授

2018年至今，担任深港微电子学院院长，深圳第三代半导体研究院副院长。
2018年至今，王阳元《集成电路工业全书》编委会委员
2018年1月到2022年12月，Science Bulletin （《科学通报》）英文版副主编
2011.4至今，天津大学/天津理工大学兼职教授
2011.1至今，Journal of Semiconductors 编委会委员
2010年07月-2012年07月，中国复旦大学，ASIC重点实验室，高级访问****；
2009年07月-2009年08月，澳大利亚新南威尔士大学，太阳能研发中心，高级客座研究员；
2008年01月至2011年10月，新加坡南洋理工大学电子与电工工程学院微电子系，助理教授。纳米器件实验室，副主任；
2004年05月至2008年01月，比利时鲁汶IMEC（全球著名微纳电子研发中心），资深研究员及项目负责人；
2003年01月至2004年05月，新加坡国立大学电机系，研发工程师。


研究简介
于洪宇教授在集成电路工艺与器件方面，包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成（GaN HEMT），取得的一系列创新性工作。发表学术论文370篇以上，其中近170篇被SCI收录，总他引次数超过了4500 次，H 影响因子为38。受邀撰写了4 本专业书籍的章节，并编辑2本书籍，Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Application和Gallium Nitride Power Devices。发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及10项以上国内专利。作为项目负责人，承担超过5000****民币的科研项目。作为PI承担国内外、省、市，以及华为，方正微电子等企业项目科研，经费超过6000万。在南科大建成一个1200平米的洁净间，形成一个完整的 6英寸CMOS工艺实验室，其硬件水平将在华南地区达到领先水平。


所获荣誉
南方科技大学杰出科研奖，2016
深圳市南山区B类领航人才，2016
鹏城****，2014
深圳市海外高层次“孔雀计划”B类人才，2013
深圳市政府特殊津贴，2012
英国工程技术学会，会士（Fellow of IET，2012）
陈振传学术交流奖, 2009
“南洋”助理教授奖, 2008
Tech Sym. VLSI会议亮点文章, 2007年；
IEEE 电子器件协会博士生奖学金, 2004
新加坡国大校长奖学金, 2002
Senior Member of IEEE，2012


代表文章
(1) H. Wang, N. Wang, L.L Jiang, X.P. Lin, H.Y. Zhao, H.Y. Yu*. A novel enhancement mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor
with split floating gates, Chinese Physics B, 2017, 26(4): 047305.
(2) B. Dong, J. Lin, N. Wang, L.L Jiang, Z.D. Liu, K. Cheng, H.Y. Yu*. Investigation of gate pulse induced interface trap behaviours and its relationship with threshold voltage instability in Algan/Gan-On-Si MIS-Hemts. International Conference on Advanced Electronic Science and Technology, 2016.
(3) B. Dong, J. Lin, N. Wang, L.L. Jiang, Z.D. Liu, X.Y. Hu, K. Cheng, H.Y. Yu*. Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement. Aip Advances, 2016, 6(9): 450-1170.
(4) T.L. Duan, S.X. Zhang, L.L. Jiang, B. Tang, J. Yan, C. Zhao, H.L. Zhu, H.Y. Yu*. Overshoot stress on ultra-thin HfO2 high- layer and its impact on lifetime extraction. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(12): 1-1.
(5) L. Hong, Rusli, X.C. Wang, H.Y. Zheng, H. Wang, X.Y. Xu, H.Y. Yu*. Light trapping in hybrid nanopyramid and nanohole structure silicon solar cell beyond the Lambertian limit. Journal of Applied Physics, 2014, 116(7): 074310.
(6) W.J. Liu, X.A. Tran, Z. Fang, H.D. Xiong, H.Y. Yu*. A Self-Compliant One-Diode-One-Resistor Bipolar Resistive Random Access Memory for Low Power Application. IEEE Electron Device Letters, 2014, 35(2): 196-198.
(7) W.J. Liu, X.W. Sun, X.A. Tran, Z. Fang, Z.R. Wang, F. Wang, L. Wu, J.F. Zhang, J. Wei, H.L. Zhu, H.Y. Yu*. Observation of the Ambient Effect in BTI Characteristics of Back-Gated Single Layer Graphene Field Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(8): 2682-2686.
(8) W.J. Liu, J. Wei, X.W. Sun, H.Y. Yu*. A Study on Graphene—Metal Contact. Crystals, 2013, 3(1):257-274.
(9) Z. Wang, H.Y. Yu*, X.A. Tran, Z. Fang, J.H. Wang, H.B. Su. Transport properties of HfO2?x based resistive-switching memories. Physical Review B Condensed Matter, 2012, 85(19): 2202-2208.
(10) H.Y. Yu*, Y. Sun, N. Singh, G.Q. Lo, D.L. Kwong. Perspective of flash memory realized on vertical Si nanowires. Microelectronics Reliability, 2012, 52(52): 651–661.
专著：
(1) H.Y. Yu. Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Applications, Nova Science Publishers, 2014.
(2) H.Y. Yu*. Electrical properties of ultrathin hafnium-based high-K dielectrics and their applications insub-22 nm CMOS devices, Nova Science Publishers, 2014.
(3) J.S. Li, H.Y. Yu*. Enhancement of Si-based solar cell efficiency via nanostructure integration, Springer, 2011.
(4) H.Y. Yu*. Metal Gate Electrode and High-K Dielectrics for Sub-32 nm Bulk CMOS Technology: Integrating Lanthanum Oxide Capping Layer for Low Threshold-Voltage Devices Application, IN-TECH, 2010.