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南方科技大学电子与电气工程系导师教师师资介绍简介-化梦媛
本站小编 Free考研考试/2021-06-12
化梦媛--助理教授 个人主页
以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体材料和器件可以突破传统硅器件的理论极限，是新一代电力电子器件的重要发展方向。化梦媛博士主要研究工作集中在氮化镓基功率器件领域，特别是在先进制造工艺、器件表征技术、器件稳定性与可靠性研究、以及器件物理研究等。在IEEE Electron Device Lett.、IEEE Transaction on Electron Devices、Appl. Phys. Lett.、Phys. Status Solidi A等本领域内国际高水平期刊共发表论文50余篇，引用1000余次。在国际顶级的电子器件会议IEEE?IEDM上做报告4次，在2017年国际会议ISPSD上获得最佳青年学术奖（The Charitat Award）。在国际氮化物半导体会议（ICNS） 、MRS春季会议等国际会议上做邀请报告8次。申请美国专利1 项。化梦媛博士自2018年9月起加入南方科技大学电子与电气工程系担任助理教授，研究课题将继续集中在新一代宽禁带半导体器件。
教育经历 2013-2017：香港科技大学，电子与计算机工程系，博士学位
2009-2013：清华大学，数学物理基础科学班，学士学位
工作经历 2018.09-至今：南方科技大学，电子与电气工程系，助理教授
2017.09-2018.09：?香港科技大学，电子与计算机工程系，博士后
研究简介 宽禁带半导体器件
氮化镓电力电子器件
半导体器件工艺和制备
半导体器件物理及仿真
可靠性、稳定性研究
研究领域：
宽禁带半导体器件
所获荣誉 2017年，最佳青年学术奖，IEEE
代表文章 1.M. Hua, J. Chen, C. Wang, L. Liu, J. Wei, L. zhang, Z. Zheng, and Kevin J. Chen, ‘E-mode p-FET-bridge HEMT for Higher?VTH?and Enhanced Stability’, in?2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2020.
2.Chen,?M. Hua, J. Jiang, J. He, J. Wei, and Kevin J. Chen, "Reliability and Stability of Normally-off GaN Power MIS-FETs with LPCVD-SiNxGate Dielectric,"?2020?Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD’20), Vienna, Austria, Sep. 3-7, 2020.
3.Wang,?M. Hua, S. Yang, L. Zhang, and Kevin J. Chen, "E-mode?p-n?Junction/AlGaN/GaN HEMTs with Enhanced Gate Reliability,"?2020 Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD’20), Vienna, Austria, Sep. 3-7, 2020.
4.Y. Liao, Zhang, Z. Gao, Q. Qian, and?M. Hua*,"Tunable Properties of the Novel Ga2O3?Monolayer for Electronics and Optoelectronics Applications," in?ACS Applied Materials & Interfaces, accepted, April 2020.
5.J. Chen,?Hua*,?J. Wei, J. He, C. Wang, Z. Zheng, and K. J. Chen, "?Reverse-bias-stress-induced?VTH?Instability in Schottky-type p-GaN Gate HEMTs," in?IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, accepted, July?2020.
6.Wang,M. Hua*,?J. Chen, S. Yang, Z. Zheng, J. Wei, L. Zhang, and K. J. Chen, "E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs,"?IEEE Electron Device Letters, vol. 41, no. 4, pp. 545-548, April 2020.
7.Hua, S. Yang, Z. Zheng, J. Wei, Z. Zhang, and K. J. Chen, "Effects of Substrate Termination on Reverse-Bias Stress Reliability of Normally-Off Lateral GaN-on-Si MIS-FETs,"?2019 Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD’19), Shanghai, China, May 19-23, 2019.
8.Hua, S. Yang, J. Wei, Z. Zheng, J. He, and K. J. Chen, ‘Hole-Induced Degradation in E-Mode GaN MIS-FETs: Impact of Substrate Terminations’,?IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 1, pp. 217–223, Jan. 2020, doi: 10.1109/TED.2019.**.
9.M. Hua, X. Cai, S. Yang, Z. Zhang, Z. Zheng, N. Wang, and K. J. Chen, ‘Enhanced Gate Reliability in GaN MIS-FETs by Converting the GaN channel into Crystalline Gallium Oxynitride’,?ACS Applied Elec. Material,?2019.
10.Cai*,?M. Hua*, Z. Zhang, S. Yang, Z. Zheng, Y. Cai, K. J. Chen, and N. Wang, ‘Atomic-scale identification of crystalline GaON nanophase for enhanced GaN MIS-FET channel’,?Applied Physics Letters, vol. 114, no. 5, p. 053109, Feb. 2019.
11.Hua,X. Cai, S. Yang, Z. Zhang, Z. Zheng, J. Wei, N. Wang, and K. J. Chen, ‘Suppressed Hole-Induced Degradation in E-mode GaN MIS-FETs with Crystalline GaOxN1-x?Channel’, in?2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2018, pp. 30.3.1-30.3.4.
招聘信息 本课题组目前正在招聘研究助理教授、博士后、科研助理、博士生、硕士生，同时欢迎来自国内外的优秀访问****和交流学生，有意加入者请将简历发送至：huamy@sustech.edu.cn。
联系方式 地址：深圳市南山区南方科技大学C栋213室
电邮：huamy@sustech.edu.cn
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