邓宁,2002年在西安交通大学电信学院获得博士学位。 2002年9月进入清华大学微电子所博士后流动站,2003年出站留校。2005年晋升为副教授。主讲半导体物理与器件。2008年5月-7月在荷兰TUDelft做访问; 2008年10月—2009年9月在美国UCLA做访问,从事自旋器件和存储的研究。 在国内外重要学术期刊和会议发表论文50余篇。专利8项,授权3项。获第十一届霍英东基金及教育部骨干教师计划资助。
通信地址:北京清华大学微电子学研究所,邮编100084
Tel. ext 302
Email: ningdeng@tsinghua.edu.cn
主持的项目有:国家自然科学基金 “室温下向半导体内的自旋极化注入的研究”、教育部科学技术研究重点项目“电流导致磁化翻转非挥发存储器的研究”、863重大项目“新型存储介质的研究”、教育部985项目“纳电子器件研究”、985校基金“高速低功耗量子点非挥发存储器的研究”和“同位素纯半导体器件的研究”,211有机电子学子课题“分子电子器件”。
目前主要研究方向为自旋电子器件和自旋非挥发存储器的研究。
主要包括:
1. 新型材料( SiGe 、 C 系)中自旋注入和自旋输运的研究
2. 基于自旋的器件物理和新型器件
3. 自旋转移矩动力学的器件应用
4. 纯电流驱动的磁非挥发存储器