针对上述问题,该项研究采用第一性原理计算方法,以CsPbBr3与MoSe2为例,研究了两者之间的能带排列以及组成的异质结构的界面物理性质。文中采用杂化泛函HSE06计算方法对它们的带隙,并考虑自旋轨道耦合(SOC)的影响,得到了两者之间准确的能带排列。并对CsPbBr3/MoSe2异质结的界面物理性质给出了直接描述。发现CsPbBr3与MoSe2具有II-型的能带排列,CsPbBr3/MoSe2异质结界面也没有明显的深能级缺陷。该项研究对深入理解LHPs/TMDs异质结的电子结构与界面物理性质具有重要意义,对其在纳米电子器件与光电子器件中的应用具有重要的科学意义和参考价值。

图1 CsPbBr3/MoSe2的能带排列,界面差分电荷密度与投影能带图。
Two-dimensional transition metal dichalcogenides for lead halide perovskites-based photodetectors: band alignment investigation for the case of CsPbBr3/MoSe2
Le Huang, Nengjie Huo, Zhaoqiang Zheng, Huafeng Dong, Jingbo Li
J. Semicond. 2020, 41(5): 052206
doi: 10.1088/1674-4926/41/5/052206
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(来源:半导体学报2020年第5期—钙钛矿半导体光电材料与器件专刊)