王占国，男，中科院院士，研究员，博士生导师。
　　1938年12月生，1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。半导体材料及材料物理学家，曾任中科院半导体所副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，中国材料研究学会副理事长、国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"专家组副组长、973计划材料领域咨询专家组组长。现任中国科学院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会名誉主任、中国电子学会半导体和集成技术分会名誉主任、中国电子材料行业协会半导体材料分会第四届理事会名誉理事长，北京市人民政府第八届专家顾问团顾问、天津市人民政府特聘专家和多个国际会议顾问委员会委员以及多所高校特聘和兼职教授。1995年当选为中国科学院院士，曾先后任信息技术科学部常委、信息技术科学部副主任，现任第七届中国科学院学部主席团成员。
　　取得的主要科研成果及获得奖励：
　　长期从事半导体材料和材料物理研究。其中，人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果，为我国的两弹一星事业发展做出了贡献。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同—缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单品并对其光电性质作了系统研究。近年来，领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAlAs/InP等量子点(线)与量子点(线)超晶格材料和量子级联激光器和探测器材料生长和大功率量子点激光器、量子级联激光器和探测器以及太赫兹激光器研制方面获得突破。最近，又提出了柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。上述成果先后获国家自然科学二等奖（2001）和国家科技进步三等奖（1990），中国科学院自然科学一等奖（2000）和中国科学院科技进步一（1989）、二（1995，1997）和三等奖（1990），何梁何利科学与技术进步奖（2001），国家重点科技攻关奖以及优秀研究生导师奖等10多项。与合作者一起在国际著名学术刊物发表论文200余篇；先后培养硕士、博士和博士后百余名。
　　主要研究领域或方向：
　　半导体低维结构材料生长、性质和量子器件研制与应用；宽禁带半导体材料、器件及物理；有机/无机复合半导体材料与太阳能光伏器件研究；大失配异质外延柔性衬底理论与制备技术等。
联系方式：
E-mail：zgwang@semi.ac.cn
　　完成/在研主要项目：
　　1.国家重点基础研究发展规划（973）项目"信息功能材料相关基础问题"首席科学家，2000年10月～2005年9月
　　2.国家重点基础研究发展规划（973）项目"半导体光电信息功能材料相关基础问?quot;04课题"应变自组织量子点、量子线材料的可控生长和器件应用"负责人，2006年9月～2011年9月。
　　3.国家自然科学基金重大研究计划重点课题：“半导体量子点中间带光伏电池基础研究"学术骨干，2014年9月－2018年9月。
　　4.国家自然科学基金重大项目子课题：有机/无机复合半导体复合光伏器件结构设计、制备与性质研究，负责人2010年1月–2013年12月
　　代表性论文和论著：
　　1.王占国.2006.信息功能材料工程//王占国，陈立泉，屠海令主编.中国材料工程大典（第11～13卷）.北京：化学工业出版社.
　　2.王占国，陈涌海，叶小玲等.2006.纳米半导体技术.北京：化学工业出版社.
　　3.王占国，郑有炓等，2012.半导体材料研究进展.北京：高等教育出版社.
　　4.ZhangZY,ZhanguoWang(Z.G.Wang),XuB,etal.High-performancequantum-dotsuperluminescentdiodes[J].PhotonicsTechnologyLetters,IEEE,2004,16(1):27-29.
　　5.X.Q.Lv,N.Liu,P.Jin,andZhanguoWang(Z.G.Wang),BroadbandemittingsuperluminescentdiodeswithInAsquantumdotsinAlGaAsmatrix.IEEEPhotonicsTechnologyletters,2008,vol.20,No.20.1742.
　　6.YangAL,SongHP,WeiHY,etal.MeasurementofpolarC-planeandnonpolarA-planeInN/ZnOheterojunctionsbandoffsetsbyx-rayphotoelectronspectroscopy[J].AppliedPhysicsLetters,2009,94(16):163301.
　　7.YuLiu,YonghaiChen,ZhanguoWang(Z.G.Wang),2010，Photoexcitedchargecurrentforthepresenceofpurespincurrent,Appl.Phys.Letts.96,262108
　　8.C.L.Zhang,ZhanguoWang(Z.G.Wang)Y.H.Chenetal,SitecontrollingofInAsquantumwiresoncleavededgeofAlGaAs/GaAssuperlattice,Nanotechnology,2005,16(8):1379
　　9.BaochangCheng,ZhanguoWang(Z.G.Wang),SynthesisandOpticalPropertiesofEuropium-dopedZnSLong-LastingPhosphorescencefromAlignedNanowires,Advancedfunctionalmaterials,2005,15:1883-1890
　　10.王占国.微电子技术极限对策探讨。中国科学院院刊，2007年11月。第22卷第6期，P480
　　11.MengXQ,ChenZQ,JinP,etal.Defectsaroundself-organizedInAsquantumdotsmeasuredbyslowpositronbeam[J].AppliedPhysicsLetters,2007,91(9):093510.
　　12.LvXQ,LiuN,JinP,etal.BroadbandemittingsuperluminescentdiodeswithInAsquantumdotsinAlGaAsmatrix[J].PhotonicsTechnologyLetters,IEEE,2008,20(20):1742-1744.
　　13.ZhangZY,HoggRA,XuB,etal.Realizationofextremelybroadbandquantum-dotsuperluminescentlight-emittingdiodesbyrapidthermal-annealingprocess[J].Opticsletters,2008,33(11):1210-1212.
　　14.W.Lei,Y.H.Chen,ZhanguoWang(Z.G.Wang),Reviewpaper：OrderingofSelf-AssembledQuantumWiresonInP(001)Surfaces.One-DimensionalNanostructures，Chapter12:291，Springer.Editor:Z.M.Wang.2007
　　15.WuJ,ChenYH,ZhanguoWang(Z.G.Wang).EpitaxialSemiconductorQuantumWires[J].JournalofNanoscienceandNanotechnology,2008,8(7):3300-3314.
　　16.ChenJY,LiuJ,WangT,etal.Monolithicallyintegratedterahertzquantumcascadearraylaser[J].Electronicsletters,2013,49(25):1632-1633.
　　17.LiangJ,HonglingX,XiaoliangW,etal.EnhancedperformanceofInGaN/GaNmultiplequantumwellsolarcellswithpatternedsapphiresubstrate[J].JournalofSemiconductors,2013,34(12):124004.
　　18.ChiD,QuS,ZhanguoWang(Z.G.Wang),etal.HighefficiencyP3HT:PCBMsolarcellswithaninsertedPCBMlayer[J].JournalofMaterialsChemistryC,2014,2(22):4383-4387.
　　19.ChiD,QiB,WangJ,etal.High-performancehybridorganic-inorganicsolarcellbasedonplanarn-typesilicon[J].AppliedPhysicsLetters,2014,104(19):193903.
　　20.QuS,WangX,XiaoH,etal.AnalysisoftransconductancecharacteristicofAlGaN/GaNHEMTswithgradedAlGaNlayer[J].TheEuropeanPhysicalJournalAppliedPhysics,2014,66(02):20101.
　　21.LiH,LiuX,SangL,etal.DeterminationofpolarC‐planeandnonpolarA‐planeAlN/GaNheterojunctionbandoffsetsbyX‐rayphotoelectronspectroscopy[J].physicastatussolidi(b),2014,251(4):788-791.
　　22.FengY,LiuG,YangS,etal.InterfaceroughnessscatteringconsideringtheelectricalfieldfluctuationinundopedAlxGa1?xN/GaNheterostructures[J].SemiconductorScienceandTechnology,2014,29(4):045015.
　　23.LiuK,QuS,ZhangX,etal.Sulfur-dopedblacksiliconformedbymetal-assistchemicaletchingandionimplanting[J].AppliedPhysicsA,2014,114(3):765-768.
　　24.LiuY,ChenY,WangC,etal.EffectiveperiodpotentialinahybridmesoscopicringwithRashbaspin–orbitinteraction[J].PhysicsLettersA,2014,378(5):584-589.
　　25.TanF,QuS,WangL,etal.Core/shell-shapedCdSe/PbSnanotetrapodsforefficientorganic–inorganichybridsolarcells[J].JournalofMaterialsChemistryA,2014,2(35):14502-14510.
　　26.Yong-ZhengH,Feng-QiL,Li-JunW,etal.ConfinedandInterfacePhononsinChirpedGaAs-AlGaAsSuperlattices[J].ChinesePhysicsLetters,2014,31(6):064211.
　　27.HeK,QuanW,Hong-LingX,etal.High-VoltageAlGaN/GaN-BasedLateralSchottkyBarrierDiodes[J].ChinesePhysicsLetters,2014,31(6):068502.
　　28.Fang-LiangY,Jin-ChuanZ,Dan-YangY,etal.DesignandFabricationofSix-ChannelComplex-CoupledDFBQuantumCascadeLaserArraysBasedonaSampledGrating[J].ChinesePhysicsLetters,2014,31(1):014209.
　　29.HengZ,Shao-YanY,Gui-PengL,etal.Mobilitylimitedbyclusterscatteringinternaryalloyquantumwires[J].ChinesePhysicsB,2014,23(1):017305.
　　30.Jian-XiaW,Lian-ShanW,Shao-YanY,etal.EffectsofV/IIIratioona-planeGaNepilayerswithanInGaNinterlayer[J].ChinesePhysicsB,2014,23(2):026801.
　　31.TanF,QuS,YuP,etal.Hybridbulk-heterojunctionsolarcellsbasedonallinorganicnanoparticles[J].SolarEnergyMaterialsandSolarCells,2014,120:231-237.