魏学成，男，博士，副研究员，硕士生导师。
2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获材料物理与化学专业博士学位；同年留所工作至今。目前主要从事III族氮化物材料的生长与表征，包括AlN单晶材料生长、半导体材料与器件的光学性质和杂质分布、紫外LED模组可靠性和应用等相关研究工作。
取得的重要科研成果：
主要从事第三代半导体材料AlN单晶生长研究，设计搭建了国内最早的AlN单晶生长炉；开展了LED内量子效率的研究，提出了LED量子阱结构优化和光学表征等创新性设计；完善了二次离子质谱仪表征半导体材料杂质含量的条件，提升了杂质检测限；开展了紫外模组老化和可靠性研究，完成了紫外应用模组的开发设计。在OpticsLetters，OpticsExpress，AppliedPhysicsLetters等发表SCI论文50多篇，申请发明专利20余项，授权10余项（其中第一申请人授权3项），制定国家标准2项。
主要研究领域或方向：
（1）AlN单晶生长研究
（2）半导体材料荧光特性研究
（3）半导体材料痕量杂质研究
（4）紫外LED可靠性研究
联系方式：
电话：（010）**；E-mail：xcwei@semi.ac.cn。
在研项目：
（1）国家自然科学基金面上项目，“基于飞秒激光的高Al组分氮化物薄膜和量子结构的新型光学表征方法研究”，项目负责人，2017.1-2020.12；
（2）国家重点研发计划项目子课题，基于微纳结构材料的单芯片全光谱LED技术研究，子课题负责人，2018.5-2020.4；
（3）国家重点研发计划项目课题，“材料生长”，课题负责人，2016.7-2020.6；
（4）基金委国家重大科研仪器研制项目，高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制，参与，2016.1-2020.12。
代表性论文：
L.Zhang,Y.N.Guo,J.C.Yan,Q.Q.Wu,X.C.Wei,etal.Deepultravioletlight-emittingdiodeswithimprovedperformanceviananoporousAlGaNtemplateOpticsExpress27(4):4917,February2019
XuechengWei,LixiaZhao,JunxiWang,YipingZengandJinminLi，Characterizationofnitride-basedLEDmaterialsanddevicesusingTOF-SIMS，Surf.InterfaceAnal.2014,46,299–302
ZiguoYu,LixiaZhao,X.C.Wei,X.J.Sun,P.B.An,S.C.Zhu,L.Liu,L.X.Tian,F.Zhang,H.X.Lu,J.X.Wang,Y.P.Zeng,J.M.Li，Surfaceplasmon-enhancednanoporousGaN-basedgreenlight-emittingdiodeswithAl2O3passivationlayer，OpticsExpress10/2014;22(S6):A1596
L.Zhang,X.C.Wei,N.X.Liu,H.X.Lu,J.P.Zeng,J.X.Wang,Y.P.Zeng,J.M.Li，ImprovementofefficiencyofGaN-basedpolarization-dopedlight-emittingdiodesgrownbymetalorganicchemicalvapordeposition，AppliedPhysicsLetters01/2011;98
XuechengWei;YouwenZhao;ZhiyuanDong,etal.InvestigationofnativedefectsandpropertyofbulkZnOsinglecrystalgrownbyaclosedchemicalvaportransportmethod，JournalofCrystalGrowth,310(3):639-645,February2008
标准制定：
1.魏学成，赵丽霞，王军喜，曾一平，李晋闽，等《LED发光用氮化镓基外延片》，GB/T30854-2014
2.魏学成，赵丽霞，王军喜，曾一平，李晋闽，等《氮化物LED外延片内量子效率测试方法》，GB/T30655-2014