徐应强，男，博士，研究员，博士生导师。
　　1999年毕业于武汉大学物理系，获理学学士学位。2005年毕业于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2005年起主要从事Sb化物红外光电材料MBE生长及相关器件的设计与制造。
　　主要研究领域或方向：
　　低维半导体材料分子束外延生长；GaSb基半导体器件制造。
　　联系方式：
　　电话：；E-mail：yingqxu@semi.ac.cn。
　　在研/完成项目：
　　1、1.7-2.5μmGaInNAsSb/GaAs近红外材料生长与器件应用，国家自然基金面上项目，**
　　2、基于InAs/GaSb超晶格的新型中波红外雪崩光电二极管，国家自然基金面上项目，**
　　3、InAs/GaSbII类超晶格探测器研究，航空科学基金实验室类项目，
　　4、新型Sb化物纳米结构THz器件性能测试，国家重大科学仪器设备开发专项子课题，2012YQ40005　　　
　　代表性论文或著作：
　　1、Xu,Yingqiang,Tang,Bao,Wang,Guowei,Ren,Zhengwei,Niu,Zhichuan,”2-5mInAs/GaSbsuperlatticesinfraredphotodetector”,InfraredandLaserEngineering,40,1403-1406,2011
　　2、徐应强，牛智川，王国伟，汤宝，王娟，任正伟，贺振宏，Sb化物材料与光电器件研究最新进展，《第九届全国分子束外延学术会议》，大会邀请报告。2011年7月4-8，哈尔滨。
　　3、WangGuo-Wei,XuYing-Qiang,GuoJie,TangBao,RenZheng-Wei,HeZhen-Hong,NiuZhi-Chuan,"GrowthandCharacterizationofGaSb-BasedType-IIInAs/GaSbSuperlatticePhotodiodesforMid-InfraredDetection"，Chin.Phys.Lett.,27,245,2010。