闫建昌，男，博士，研究员，硕士生导师。
中国科学院青年创新促进会会员，北京市科技新星计划入选者。
清华大学电子工程系学士学位，中科院半导体所博士，2015-2016年度法国巴黎第十一大学访问****。2009年加入中国科学院半导体照明研发中心，长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UVLED）领域十余年，负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目，取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域著名研究机构开展了学术交流合作，并与产业界建立了良好的互动合作关系。
主持承担国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”，国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上MOCVD外延出高质量AlN材料，材料质量为国际最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相关研究获得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半导体界知名网站报导。主持自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”，成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射。发表学术论文五十余篇，申请国家发明专利三十多项。获中科院成果鉴定两项，2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖，2018年度北京市科技新星计划入选者。
主要研究领域方向：
氮化物宽禁带半导体材料和器件，高效/新型紫外发光器件
联系方式：
E-mail：yanjc@semi.ac.cn；电话：
在研/完成项目：
1、国家重点研发计划课题“固态紫外光源高Al组分结构材料的外延及产业化技术研究”（2016.07-2021.06）
2、国家自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”（2014.01-2017.12）；
3、国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”（2011.01-2013.12）；
4、国家自然科学基金项目“垂直结构紫外LED的研究”（2011.01-2013.12）；
代表性论文：
1、QingqingWu,JianchangYan*,LiangZhang,XiangChen,TongboWei,YangLi,ZhiqiangLiu,XuechengWei,YunZhang,JunxiWangandJinminLi."GrowthmechanismofAlNonhexagonalBN/sapphiresubstratebymetal–organicchemicalvapordeposition."CrystEngComm19,no.39(2017):5849-5856.
2、JianchangYan*,YingdongTian,XiangChen,YunZhang,JunxiWangandJinminLi.DeepultravioletlasingfromAlGaNmultiple-quantum-wellstructures.PhysicaStatusSolidiC13,no.5-6(2016):228-231.
3、ChenXiang,YanJianchang*,ZhangYun,TianYingdong,GuoYanan,ZhangShuo,WeiTongbo,WangJunxiandLiJinmin."ImprovedCrystallineQualityofAlNbyEpitaxialLateralOvergrowthUsingTwo-PhaseGrowthMethodforDeep-UltravioletStimulatedEmission."IEEEPhotonicsJournal8,no.5(2016):**.
4、Y.D.Tian,J.C.Yan,Y.Zhang,Y.H.Zhang,X.Chen,Y.A.Guo,J.X.WangandJ.M.Li."FormationandcharacteristicsofAlGaN-basedthree-dimensionalhexagonalnanopyramidsemi-polarmultiplequantumwells."Nanoscale8,no.21(2016):11012-11018.
5、JianchangYan*,JunxiWang,YunZhang,PeipeiCong,LiliSun,YingdongTian,ChaoZhaoandJinminLi."AlGaN-baseddeep-ultravioletlight-emittingdiodesgrownonHigh-qualityAINtemplateusingMOVPE."JournalofCrystalGrowth414,(2015):254-257.
6、YingdongTian,JianchangYan*,YunZhang,XiangChen,YananGuo,PeipeiCong,LiliSun,QinjinWang,EnqingGuo,XuechengWei,JunxiWangandJinminLi."Stimulatedemissionat288nmfromsilicon-dopedAlGaN-basedmultiple-quantum-welllaser."OpticsExpress23,no.9(2015):11334-11340.
7、JunxiWang*,JianchangYan*,YananGuo,YunZhang,YingdongTian,ShaoxinZhu,XiangChen,LiliSunandJinminLi."RecentprogressofresearchonIII-nitridedeepultravioletlight-emittingdiode."ScientiaSinicaPhysica,Mechanica&Astronomica45,no.6(2015):067303.
8、PengDong,JianchangYan*,JunxiWang,YunZhang,ChongGeng,TongboWei,PeipeiCong,YiyunZhang,JianpingZeng,YingdongTian,LiliSun,QingfengYan,JinminLi,ShunfeiFanandZhixinQin."282-nmAlGaN-BasedDeepUltravioletLight-EmittingDiodeswithImprovedPerformanceonNano-PatternedSapphireSubstrates."AppliedPhysicsLetters102,no.24(2013):241113.
9、J.C,Yan*,J.X.Wang,P.P.Cong,L.L.Sun,N.X.Liu,Z.Liu,C.ZhaoandJ.M.Li."ImprovedPerformanceofUV-LEDbyP-AlGaNwithGradedComposition."PhysicaStatusSolidiC,Vol8,No2(2011):461-463.
10、YanJianchang*,WangJunxi,LiuNaixin,LiuZhe,RuanJun,andLiJinmin.“HighqualityAlGaNgrownonahightemperatureAlNtemplatebyMOCVD.”JournalofSemiconductors,30,no.10(2009):103001.