杨晓光，男，博士，副研究员，硕士生导师。
2005年、2008年于西北工业大学材料物理与化学专业获学士、硕士学位。2011年于中科院半导体所获博士学位，期间任2009-2010届中科院半导体所学生会主席。博士毕业后于中科院半导体所中科院材料科学重点实验室从事科研工作，研究方向为纳米结构半导体材料、器件与物理，先后承担或参与科技部国家重大科学研究计划项目、国家自然科学基金委重大研究计划、面上项目及青年项目等科研项目。
主要研究领域方向：
1）量子点、纳米线等低维纳米结构半导体材料的MBE和MOCVD生长研究；
2）新型高效量子点中间能带太阳能电池研究；
3）新型高性能半导体纳米线电子器件研究。
研究联系方式：
E-mail：xgyang@semi.ac.cn；办公电话：
在研/完成项目：
新型高效量子点中间能带太阳能电池材料及器件研究，自然基金重大研究计划重点项目，350万元，骨干；
新型半导体纳米线的可控生长和表征，科技部重大研究计划，314.6万元，骨干；
新型高效硅掺杂InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究，26万元，主持；
硅基III-V族纳米线选区横向生长及其高迁移率3D晶体管研究，90万元，参与。
代表性论文：
W.N.Du,X.G.Yang,H.Y.Panetal.Controlled-DirectionGrowthofPlanarInAsSbNanowiresonSiSubstrateswithoutForeignCatalysts,NanoLett.,Vol.16(2016)pp.877-882.
X.G.Yang,K.F.Wang,Y.X.Guetal.ImprovedefficiencyofInAs/GaAsquantumdotssolarcellsbySi-doping,SolEnergMat&SolC,Vol.113(2013)pp.144-147.
X.H.Ji,X.G.Yang,W.N.Duetal.InAs/GaSbcore-shellnanowiresgrownonSisubstratesbymetal-organicchemicalvapordeposition,Nanotechnology,Vol.27(2016)pp.275601.
W.N.Du,X.G.Yang,H.Y.Panetal.TwodifferentgrowthmechanismsforAu-freeInAsSbnanowiresgrowthonSisubstrate,Cryst.Growth&Des.,Vol.15(2015)pp.2413-2418.
F.Xu,X.G.Yang,S.Luoetal.EnhancedperformanceofquantumdotsolarcellsbasedontypeIIquantumdots,J.Appl.Phys.,Vol.116(2014)pp.33102.