伊晓燕，女，博士，研究员，博士生导师。
　　2006年在中科院半导体研究所获得微电子学与固体电子学博士学位。随后在半导体所参加工作，负责大功率LED器件工艺线和新型器件工艺开发工作。2007年加入中国科学院半导体照明研发中心，现任中心总工程师，主要从事新型结构大功率LED研究工作，主要包括氮化镓基发光二极管器件物理研究及结构设计，垂直结构LED研究，氧化锌、石墨烯等新型透明电极材料研究等领域。
　　取得的重要科研成果及所获奖励：
　　十一五期间，作为骨干力量参与“半导体照明工程”重大项目多项课题，先后研制成功低热阻倒装结构大功率LED，条形双透明电极结构LED，低电压薄膜结构LED。目前作为课题负责人承担“十二五”863计划“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目课题“150lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究”，开展高效氮化物LED量子效率提升技术研究。
　　相关领域发表学术论文30余篇，申请发明专利43余项，授权专利7项，中科院成果鉴定4项，北京市科学技术奖一等奖1项。
　　主要研究方向：
　　1)氮化物发光二级管量子效率提升技术研究
　　2)氮化物LED器件工艺与物理研究
　　3)新型光电子器件研究
　　联系方式：
　　E-mail：spring@semi.ac.cn；电话：
　　承担课题：
　　1)2011年-2013年“十二五”863计划重大项目高效半导体照明关键材料技术研发课题《150lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究》
　　2)2008年-2010年中国科学院半导体研究所知识创新工程项目《GaN基LED在大注入电流下的外量子效率研究》
　　主要参与课题：
　　1)2008年-2010年“十一五”863计划重大项目半导体照明工程《半导体照明柔性集成技术的研究》
　　2)2006年-2008年“十一五”863计划重大项目半导体照明工程《新型大功率器件技术研究》
　　3)2006年-2009年“十一五”863计划重大项目半导体照明工程《功率型超高亮度100流明瓦LED产业化制作技术》
　　4)2003年-2006年“十五”科技部攻关项目《功率型高亮度发光二极管芯片及封装产业化关键技术》
　　代表性论文：
　　1.XiaoyanYi,LiangchenWang,GuohongWang,FuhuaYang,JinminLi,FabricationofHighefficiencyLEDswithstripstructure,DSSL2008：422-424(2008)
　　2.XiaoyanYi,LibinWang,JingmeiFan,XiaodongWang,HuaYang,YanLi,LiangchenWang,GuohongWang,FuhuaYang,ResearchandFabricationofHighPowerLEDswithTransparentElectrodes,ProceedingsofSPIE,6841,68410B(2008)
　　3.LiangchenWang,XiaoyanYi,XiaodongWang,GuohongWang,JinminLi,CombinedtransparentelectrodesforhighpowerGaN-basedLEDswithlonglifetime,ICSICTp1055-1057(2009)
　　4.ZhiqiangLiu,TongboWei,EnqingGuo,XiaoyanYi,LianchengWang,JunxiWang,GuohongWang,YiShi,IanFerguson,andJinminLi,EfficiencydroopinInGaN/GaNmultiple-quantum-wellbluelight-emittingdiodesgrownonfree-standingGaNsubstrateAppl.Phys.Lett.99,091104(2011)
　　5.Zhangy,XieH,ZhengH,WeiT,YangH,LiJ,YiX*,SongX,WangG,LiJ,LightextractionefficiencyimprovementbymultiplelaserstealthdicinginInGaN-basedbluelight-emittingdiodes，OpticsExpress20,No.6.2012