杨晋玲,女,博士,研究员,博士生导师。
1968年11月生。1997年在中国科学院物理研究所获博士学位。1997年-2004年,先后在日本东北大学的VentureBusinessLaboratory、德国弗莱堡大学的InstituteforMicrosystemTechnology、瑞士巴塞尔大学的InstituteofPhysics和IBMZurichResearchLaboratory工作。2004年加入中科院半导体研究所。
自1998年以来,一直从事微纳电子机械系统(MEMS/NEMS)器件研究,在国际核心刊物上发表论文70余篇,SCI收录50余篇。SCI总引700余次。为两本丛书撰写了两章节。应邀为纳米技术百科全书《EncyclopediaofNanotechnology》撰写了题为“SurfacedissipationinNEMS/MEMS”的文章。获得专利合作条约(PCT)国际专利1项,欧洲专利3项,申请中国发明专利36项,其中14项授权。
传感技术联合国家重点实验室中国科学院半导体研究所专业点负责人。中国抗癌协会纳米肿瘤学专业委员会常务委员,中国微米纳米技术学会高级会员,现为国际核心期刊IEEEJ.Microelectromech.Syst./BiosensorsandBioelectronics/Nanotechnology/J.Micromech.Microeng./Sensors/Appl.Phys.A以及国内外微纳米技术期刊的审稿人。
负责承担了863计划、973计划、国家自然科学基金重点项目和国家重大科学仪器设备开发专项项目以及中国科学院项目,开展了高性能微纳谐振器件、微纳器件测试平台建设和可靠性研究,取得了一系列有意义的研究成果:
1.首次澄清了微纳悬臂梁的机械能量损耗机理,建立了能量损耗模型,成果多次被MEMS领域著名****的系列文章和综述文章引用。
2.大规模制作了高性能超小悬臂梁,使AFM的力分辨率、扫描速度分别提高了5倍、10倍。Nature新闻专题和NatureMethods研究亮点栏目详细介绍了我们的最新结果。
3.针对癌症早诊要求,研制了新型高性能生化传感器及系统,正在推进器件的临床应用。
4.构建了高性能MEMS振荡器,性能达到国际最好水平,正在将这些成果推向产业化。
5.率先研制了宽频谱的微纳谐振器件表征系统,发展了新型微纳尺度薄膜和器件可靠性表征技术和方法:a)发展了两种新的实验测试技术,建立了理论模型。b)组建了国内首台吹曲测试装置。c)建立了国内首台微纳器件可靠性测试平台。为新型高性能微纳谐振器件研究提供了技术保障。
联系方式:
电话:(010)**;传真:(010)**;E-mail:jlyang@semi.ac.cn。
近年来代表性文章:
丛书
1.杨晋玲,毛旭,袁泉,“无线网络微传感器芯片系统及其在水环境监测中的应用”,第7章,微纳米技术系列丛书。
2.张宁,杨晋玲“纳米生物医学光电子学前沿”,第14章,半导体科学与技术丛书,科学出版社。
3.JinlingYang,“SurfacedissipationinNEMS/MEMS”,《EncyclopediaofNanotechnology》(纳米技术百科全书)。
文章1.J.J.Wang,Y.F.Zhu,X.Wang,S.P.Wang,J.L.Yang,andF.H.YangAHighThroughputCantileverArraySensorforMultipleLiverCancerBiomarkersDetection
IEEESensorsJ.16(2016)15.
2.J.C.Zhao,Q.Yuan,W.Luo,X.Kan,J.Y.Zhang,J.L.Yang,andF.H.Yang
Avacuumencapsulationtechniquewithnovelparasiticoptimizationmethodsforvhfmemsresonators,
IEEEMEMS2016,Shanghai,Jan.24–28,2016,pp.573-576.
3.X.D.Lv,W.W.Wei,J.Y.Zhang,J.L.Yang,andF.H.Yang,
AlinearlowdrivingvoltageMEMSactuatorwithlargelateralstrokedrivenbyLorentzforce,
Tech.Digest,Transducers2015,June21-25,2015,Alaska,USA,pp.2117-2120.
4.B.H.Peng,Q.Yuan,J.C.Zhao,H.Zhao,W.Luo,J.L.Yang,andF.H.Yang,
FrequencystabilityofRFMEMSoscillatorwithencapsulatedresonator,
Tech.Digest,Transducers2015,June21-25,2015,Alaska,USA,pp.1969-1972.
5.X.D.Lv,W.W.Wei,X.Mao,J.L.Yang,andF.H.Yang,
AnovelMEMSactuatorwithlargelateralstrokedrivenbyLorentzforce,
J.Micromech.Microeng.,25(2015)025009.
6.S.P.Wang,J.J.Wang,Y.F.Zhu,J.L.Yang,andF.H.Yang,
Anewdeviceforlivercancerbiomarkerdetectionwithhighaccuracy,
SensingandBio-SensingResearch4,40(2015).
7.Q.Yuan,W.Luo,H.Zhao,B.H.Peng,J.L.Yang,andF.H.Yang,
FrequencyStabilityofRF-MEMSDiskResonators,
IEEETrans.ElectronDev.,62,(2015)1603.
8.X.D.Lv,W.W.Wei,X.Mao,J.L.Yang,andF.H.Yang,
AnovelMEMSelectromagneticactuatorwithlargedisplacement
Sensors&Actuators:A221(2015):22–28.
9.W.W.Wei,Y.F.Zhu,J.L.Yang,andF.H.Yang,
DamageofCrfilmbyoxygenplasma,
AppliedSurfaceScience,301(2014),pp.539–543.
10.Z.Q.Fang1,X.Mao,J.L.Yang,andF.H.Yang,
AWafer-LevelSn-RichAu-SnIntermediateBondingTechniquewithHighStrength,
J.Micromech.Microeng.23.095008(2013).
11.H.Zhao,W.Luo,J.L.Yang,andF.H.Yang,
ANovelAnalyticalMethodforDesigningMicroelectromechanicalFilters,
KeyEngineeringMaterials562-565.1281-1284,(2013).
12.C.Leung,A.Bestembayeva,R.Thorogate,J.Stinson,A.Pyne,C.Marcovich,J.L.Yang,U.Drechsler,M.Despont,T.Jankowski,M.Tsch?pe,andB.W.Hoogenboom,
Atomicforcemicroscopywithnano-scalecantileversresolvesdifferentstructuralconformationsoftheDNAdoublehelix
NanoLett.12,3846(2012).
13.X.Mao,J.L.Yang,A.Ji,andF.H.Yang,
TwonewmethodstoimprovethelithographyprecisionforSU-8photoresistonglasssubstrate
IEEEJ.Microelectromech.Syst.22.124(2013).
14.Y.F.Liu,J.Xie,H.Zhao,W.Luo,J.L.Yang,A.Ji,andF.H.Yang,
AneffectiveapproachforrestrainingelectrochemicalcorrosionofpolycrystallinesiliconcausedbyanHF-basedsolutionanditsapplicationformassproductionofMEMSdevices,
J.Micromech.Microeng.22,035003(2012).
15.Y.F.Liu,J.Xie,M.L.Zhang,J.L.Yang,andF.H.Yang,
Aneffectiveapproachforrestraininggalvaniccorrosionofpolycrystallinesiliconbyhydrofluoric-acid-basedsolutions,
IEEEJ.Microelectromech.Syst.20(2):460–465(2011).
16.Y.F.Zhu,F.X.Zhang,J.L.Yang,H.Y.Zheng,andF.H.Yang,
Stabilityofmechanicalpropertiesforsubmicrometersingle-crystalsiliconcantileverundercyclicload,
IEEEJ.Microelectromech.Syst.20(1):178–183(2011).
17.Y.Han,W.Y.Li,L.X.Cao,X.Y.Wang,B.Xu,B.R.Zhao,Y.Q.Guo,andJ.L.Yang,
Superconductivityinirontelluridethinfilmsundertensilestress,
Phys.Rev.lett.104(1):017003-1–017003-4(2010).
18.R.R.Gruter,Z.Khan,R.Paxman,J.Ndieyira,B.Dueck,B.A.Bircher,J.L.Yang,U.Drechsler,M.despont,R.Mckendry,andB.W.Hoogenboom,
Disentanglingmechanicalandmasseffectsonnanomechanicalresonators,
Appl.Phys.Lett.96(2):023113-1–023113-3(2010).
19.W.Zhou,J.L.Yang,G.S.Sun,X.F.Liu,A.Ji,F.H.Yang,Y.D.Yu,andJ.M.Li,
Fracturepropertiesofsiliconcarbidethinfilmsbybulgetestoflongrectangularmembrane,
IEEEJ.Microelectromech.Syst.17(2):453–461(2008).
20.J.L.Yang,J.Gaspar,andO.Paul,
FracturepropertiesofLPCVDsiliconnitrideandthermallygrownsiliconoxidethinfilmsfromtheload-deflectionoflongSi3N4andSiO2/Si3N4diaphrams,
IEEEJ.Microelectromech.Syst.17(5):1120–1134(2008)
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中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-杨晋玲
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杨晓光,男,博士,副研究员,硕士生导师。2005年、2008年于西北工业大学材料物理与化学专业获学士、硕士学位。2011年于中科院半导体所获博士学位,期间任2009-2010届中科院半导体所学生会主席。博士毕业后于中科院半导体所中科院材料科学重点实验室从事科研工作,研究方向为纳米结构半导体材料、器件 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2020-05-25中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-杨跃德
杨跃德,男,博士,副研究员,硕士生导师。2004年毕业于北京大学物理学院物理学专业获学士学位,同年进入中国科学院半导体所攻读博士,2009年获物理电子学博士学位。2011-2013年在香港科技大学电子及计算机工程学系从事博士后研究工作。长期致力于光学微腔模式特性及半导体微腔激光器的研究。多年来,在9 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2020-05-25中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-杨盈莹
杨盈莹,女,博士,副研究员,硕士生导师。工作于中科院半导体研究所全固态光源实验室,毕业于中科院理化技术研究所,曾于德国马普量子光学所阿秒超快实验室工作学习,在激光物理、激光技术与应用、纳米光子学、非线性光学等领域具有长期的积累和扎实的研究基础。致力于激光探测和激光雷达,超快激光与纳米结构体系的相互作 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2020-05-25中国科学院半导体研究所导师教师师资介绍简介-游经碧
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