魏同波，男，博士，研究员，博士生导师。2007年7月在中科院半导体研究所获工学博士学位，在半导体所照明研发中心工作至今，期间于2015-2016年在美国康奈尔大学电子工程系访学，第三批青促会会员。主要从事宽禁带氮化物单晶生长、AlGaN和InGaN材料外延生长与结构设计以及相关光电器件研究，先后主持和参加国家重点研发计划、自然基金、863项目和院属项目等十余项。近年来，系统开展了GaN单晶衬底生长、纳米结构LED和日盲探测器、深紫外LED以及二维范德华外延氮化物等相关研究，取得的研究成果先后14次被半导体领域著名杂志CompoundSemiconductor和SemiconductorToday作为Highlight报道，2次被Appl.Phys.Lett.选为Featuredarticle。已在国内外杂志发表论文130余篇，其中作为第一作者或通讯作者在Adv.Mater.、J.Am.Chem.Soc.、Appl.Phys.Lett.、Otp.Lett.等杂志发表SCI论文70余篇，共申请专利40多项，引用1200多次。
主要研究领域或方向：
1.新型微纳光电子器件
2.深紫外发光和探测
3.氮化物晶体材料
联系方式:
Email：tbwei@semi.ac.cn；Tel:
在研/完成项目:
1.国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项，第三代半导体新型照明材料与器件研究（2018YFB**），2018-2021，在研，主持，项目首席
2.国家自然基金面上项目：石墨烯上准范德华外延AlN及辅助剥离垂直结构深紫外LED研究（**），2020-2023，在研，主持
3.北京市自然科学基金面上项目，二维石墨烯柔性转移氮化物LED的生长与机制研究（**），2018-2020，在研，主持
4.国家自然基金面上项目：GaN基纳米柱LED选区外延及相关光电基础科学问题研究（**），2015-2018，结题，主持
5.863重大项目子课题：大尺寸氮化镓衬底制备与同质外延技术研究（2014AA032605），2014-2016，结题，主持
6.国家自然基金面上项目：半极性准同质外延绿光LED及量子效率提升技术研究（**），2013-2016，结题，主持
7.863重大项目子课题：GaN同质衬底及外延技术研究（2011AA03A103），2011-2013，结题，主持
8.国家自然基金青年基金：M面蓝宝石非极性与半极性GaN衬底生长及相关材料问题研究（**），2009-2011，结题，主持
代表性论文：
1.HainaCi,HongliangChang,RuoyuWang,TongboWei*(通讯作者),YunyuWang,ZhaolongChen,etal.,EnhancementofHeatDissipationinUltravioletLight-EmittingDiodesbyaVerticallyOrientedGrapheneNanowallBufferLayer,Adv.Mater.31,**(2019)
2.ZhaolongChen,ZhiqiangLiu,TongboWei*(通讯作者),ShenyuanYang,ZhipengDou,YunyuWang,etal.,ImprovedEpitaxyofAlNFilmforDeep-UltravioletLight-EmittingDiodesEnabledbyGraphene,Adv.Mater.31,**(2019)
3.HongliangChang,ZhaolongChen,WeijiangLi,JianchangYan,Ruihou,ShenyuanYang*,ZhiqiangLiu,GuodongYuan,JunxiWang,JinminLi,PengGao*,TongboWei*(通讯作者),Graphene-assistedquasi-vanderWaalsepitaxyofAlNfilmforultravioletlightemittingdiodesonnano-patternedsapphiresubstrate,Appl.Phys.Lett.114,091107(2019)
4.RuilinMeng,XiaoliJi,ZhengLou,JiankunYang,YonghuiZhang,ZihuiZhang,WengangBi,JunxiWang,TongboWei*(通讯作者),High-performancenanoporous-GaNmetal-insulator-semiconductorultravioletphotodetectorswithathermaloxidizedbeta-Ga2O3layer,Opt.Lett.44,2197(2019)
5.ZhaolongChen,XiangZhang,ZhipengDou,TongboWei*(通讯作者),ZhiqiangLiu,YueQi,etal.,High-brightnessbluelight-emittingdiodesenabledbyadirectlygrowngraphenebufferlayer,Adv.Mater.30,**(2018)
6.YueQi,YunyuWang,ZhenqianPang,ZhipengDou,TongboWei*(通讯作者),PengGao*,etal.,FastGrowthofStrain-freeAlNonGraphene-bufferedSapphire,J.Am.Chem.Soc.**(2018)
7.ZhuoXiong，TongboWei*(通讯作者),YonghuiZhang，XiangZhang,ChaoYang,ZhiqiangLiu,etal.,Selective-areagrowthofperiodicnanopyramidlight-emittingdiodearraysonGaN/sapphiretemplatespatternedbymultiple-exposurecolloidallithography,Nanotechnology28,114003(2017)
8.TongboWei*(通讯作者),JiankunYang,YangWei*,ZiqiangHuo,XiaoliJi,YunZhang,etal.,Cross-stackedcarbonnanotubesassistedself-separationoffree-standingGaNsubstratesbyhydridevaporphaseepitaxy,ScientificReports6,28620(2016)
9.ZhuoXiong,TongboWei*(通讯作者),YonghuiZhang,JunxiWang,JinminLi,Multiple–exposurecolloidallithographyforenhancinglightoutputofGaN-basedlight-emittingdiodesbypatterningNi/Auelectrodes,OpticsExpress24,A44(2016)
10.LiangShan,TongboWei*(通讯作者),YuanpingSun,YonghuiZhang,ZhuoXiong,etal.,Super-alignedcarbonnanotubespatternedsapphiresubstratetoimprovequantumefficiencyofInGaN/GaNlight-emittingdiodes,OpticsExpress23,A957(2015)
11.TongboWei*(通讯作者),XiaoliJi,KuiWu,HaiyangZheng,ChengxiaoDu,QingfengYan,etal.,Efficiencyimprovementanddroopbehaviorinnanospherical-lenslithographicallypatternedbottomandtopphotoniccrystalInGaN/GaNlight-emittingdiodes,Opt.Lett.39,379(2014)
12.TongboWei*(通讯作者),ZiqiangHuo,YonghuiZhang,HaiyangZheng,YuChen,JiankunYang,etal.,EfficiencyenhancementofhomoepitaxialInGaN/GaNlight-emittingdiodesonfreestandingGaNsubstratewithdoubleembeddedSiO2photoniccrystals,Opt.Express22,A1093(2014)
13.YonghuiZhang,TongboWei*(通讯作者),ZhuoXiong,Liang,Shang,YingdongTian,etal.,EnhancedopticalpowerofGaN-basedlight-emittingdiodewithcompoundphotoniccrystalsbymultiple-exposurenanosphere-lenslithography,Appl.Phys.Lett.105,013108(2014)
14.XiaoliJi,TongboWei*(通讯作者),FuhuaYang,HongxiLu,XuechengWei,PingMa,etal.,Efficiencyimprovementbypolarization-reversedelectronblockingstructureinGaN-basedlight-emittingdiodes,Opt.Express22,A1001(2014)
15.KuiWu,TongboWei*(通讯作者),DingLan,XuechengWei,HaiyangZheng,YuChen,etal.,Phosphor-freenanopyramidwhitelight-emittingdiodesgrownon(10-11)planesusingnanospherical-lensphotolithography,Appl.Phys.Lett.103,241107(2013)
16.ChengxiaoDu,TongboWei*(通讯作者),HaiyangZheng,LianchengWang,ChongGeng,QingfengYan,etal.,Size-controllablenanopyramidsphotoniccrystalselectivelygrownonp-GaNforenhancedlightextractionoflight-emittingdiodes,Opt.Express21,25373(2013)
17.TongboWei*(通讯作者),KuiWu,DingLan,QingfengYan,YuChen,ChengxiaoDu,etal.,SelectivelygrownphotoniccrystalstructuresforhighefficiencyInGaNemittingdiodesusingnanospherical-lenslithography,Appl.Phys.Lett.101,211111(2012)
18.TongboWei*(通讯作者),KuiWu,YuChen,JieYu,QingfengYan,YiyunZhang,etal.,Improvinglightoutputofvertical-stand-typeInGaNlightemittingdiodesgrownonfree-standingGaNsubstratewithself-assembledconicalarrays,IEEEElectronDeviceLetter33,857(2012)
19.TongboWei*(通讯作者),QingfengKong,JunxiWang,JingLi,YipingZeng,GuohongWang,etal.,ImprovinglightextractionofInGaN-basedlightemittingdiodeswitharoughenedp-GaNsurfaceusingCsClnano-islands,Opt.Express19,1065(2011)
20.ZhiqiangLiu,TongboWei*(通讯作者),EnqingGuo,XiaoyanYi,LianchengWang,JunxiWang,etal.,EfficiencydroopinInGaN/GaNmultiple-quantum-wellbluelight-emittingdiodesgrownfree-standingGaNsubstrate,Appl.Phys.Lett.99,091104(2011)