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2017年拟推荐国家自然科学奖项目材料公示
本站小编 Free考研/2020-05-25
附件是中国科学院半导体研究所2017年拟推荐国家自然科学奖公示材料，公示期：2017年1月3日-2017年1月13日。如对公示内容有异议，请以书面形式于2017年1月13日前向中国科学院半导体研究所成果管理与转化处反映。
联系人：曹永胜
电话：010-82304880
邮箱：yscao@semi.ac.cn
2017年1月3日
相关话题/中国科学院 半导体
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近日，中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室李京波研究员和魏钟鸣研究员的研究团队，与中国科学院化学研究所/天津大学胡文平研究员、美国再生能源国家实验室汪林望博士的研究组合作，在二维β-Cu2S纳米片的相变研究中取得新进展。 材料的维度对其基本性能有重要影响，近年有研究表明，即使相同的化学组成但维 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所在高质量InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列外延生长研究方面取得重要进展
准一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性，在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等重要领域展现出广阔的应用前景。尤其是，基于半导体纳米线的晶体管具有尺寸小、理论截止频率高等优点，为未来在微处理器芯片上实现超大规模集成电路开拓了新的方向。在III-V族半导体材料中，InAs具有小的电子 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所等在纳米点棒异质结的超低频拉曼光谱研究取得重要进展
CdS纳米棒（左）和CdSe/CdS点棒异质结（右）的结构示意图、拉曼光谱以及振动幅度分布图。 胶体半导体纳米微晶，如CdSe纳米点、CdS纳米棒因其光致发光和光致发光效率很高且发射波长的粒径可调等优良光学和电学性质而在光电器件等方面有重要应用。目前这些应用已经拓展到了激光二极管、激光器、显示屏以 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所研制出高效平面异质结钙钛矿太阳能电池
钙钛矿太阳能电池是近几年兴起的一类具有巨大应用前景的太阳能电池，它具有光电转换效率高、成本低以及制备工艺简单等突出优点。经过几年的快速发展，钙钛矿太阳能电池的效率已从初始的3.8%迅速提高到22.1%，已接近或超过传统高效薄膜太阳能电池（如铜铟镓硒或碲化镉等），进一步发展，可与硅及砷化镓等单晶太阳能 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所揭示了铜、银等金属在共价型和离子型半导体材料中的异常扩散机理
铜和银由于其高导电率是半导体器件最常用的电极和导线材料。银的导电率要比铜更好一些，但铜相对来说更便宜一些。另外在选择铜和银作为半导体器件电极材料时我们还需要考虑它们在半导体材料中的可扩散性，这是因为当它们在半导体材料中扩散会显著改变器件的性能和稳定性。同时，作为半导体材料的常用掺杂物，铜和银经常是通 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所实现了半导体中光学声子的可分辨边带拉曼冷却
2012年诺贝尔物理学奖授予了法国科学家Serge Haroche和美国科学家David Wineland。他们两位在过去数十年里，在光与原子(离子)相互作用的最基本层面上，即单量子态水平上展现腔量子电动力学效应。实验技术的进步又促使人们又开始关注基于固体量子态的腔QED效应及其量子调控。 固体与 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所超晶格实验室在一维/二维异质结研究上取得新进展
近日，中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室李京波研究员和魏钟鸣研究员的研究团队，在一维/二维（1D/2D）异质结制备及生长机理的研究中取得新进展。 半导体异质结是由不同的半导体材料相互接触而形成的结构。组成异质结的两种材料具有不同的物理性质，这也使异质结常常表现出单一材料所不具备的一些特殊 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所揭示了半导体界面电荷转移机理
与传统的太阳能电池相比,染料敏化太阳能电池具有原材料丰富、生产过程中无毒无污染、生产成本较低、结构简单、易于制造，生产工艺简单，易于大规模工业化生产等优势，在清洁能源领域具有重要的应用价值。在过去二十多年里，染料敏化太阳能电池吸引了世界各国众多科学家的研究，在染料、电极、电解质等各方面取得了很大进展 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所等在各向异性二维材料物性研究方面取得系列进展
二维层状晶体材料，比如石墨烯和和二硫化钼（MoS2）等，具有优良的电学性能和光学性能，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件，晶体管和光电器件。近几年来，平面内各向异性的二维晶体材料，如黑磷(BP)，二硫化铼(ReS2)和二硒化铼(ReSe2)等，由于其具备的独特性质和在纳米器件方面 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25半导体所在Si衬底上生长Ga基半导体纳米线方面取得重要进展
Si是现代CMOS工艺不可或缺的材料，而III-V族半导体广泛应用于光电子、超高速微电子和超高频微波等器件中。长期以来，科学家们试图在Si衬底上外延高质量III-V族半导体。但由于晶格不匹配会导致生长的III-V族半导体质量较差。当材料降低到纳米尺度，由于应力可以得到有效释放，上述困难得以缓解。例如 ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研 2020-05-25
