研究员
王占国

王占国，男，1938年12月生，半导体材料及材料物理学家，中科院院士。1962年毕业于南开大学物理系，同年到中国科学院半导体所工作。曾任中科院半导体所副所长，国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长。现任中国科学院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任、中国电子学会半导体和集成技术分会主任、中国材料研究学会副理事长、国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"专家组副组长、北京市人民政府第八届专家顾问团顾问、天津市人民政府特聘专家和多个国际会议顾问委员会委员以及多所高校特聘和兼职教授。1995年当选为中国科学院院士。
长期从事半导体材料和材料物理研究。其中，人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果，为我国的两弹一星事业发展做出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得多项国际先进水平的成果。近年来，他和他的同事又在半导体低维结构（超晶格、量子点、量子线等）材料生长、性质和量子器件研制方面获得进展。上述成果先后获国家自然科学二等奖和国家科技进步三等奖,中国科学院自然科学一等奖和中国科学院科技进步一、二和三等奖以及何梁何利科学与技术进步奖多项，与合作者一起在国际著名学术刊物发表论文180余篇；先后培养硕士、博士和博士后近百名。
研究方向：半导体低维结构材料生长、性质和量子器件应用；宽禁带半导体材料、器件及物理；有机/无机复合半导体材料与器件研究；大失配异质外延柔性衬底理论与制备技术等。

完成/在研主要项目
1.国家重点基础研究发展规划（973）项目"信息功能材料相关基础问题"首席科学家，2000年10月～2005年9月
2.中国科学院知识创新重大项目"纳米科学与技术"课题"半导体纳米结构材料、器件和物理研究"负责人，2001年6月～2003年10月
3.国家重点基础研究发展规划（973）项目"半导体光电信息功能材料相关基础问?quot;04课题"应变自组织量子点、量子线材料的可控生长和器件应用"负责人，2006年9月～2011年9月。
4.国家自然科学基金重大研究计划"光电信息功能材料"软课题"光电信息功能结构材料和器件"负责人，2007年6月－2007年12月。

代表性论著：
1、"中国材料工程大典""信息功能材料工程"第十一卷、第十二卷和第十三卷主编：王占国陈立泉屠海令化学工业出版社，2006年3月第一版。
2、"纳米半导体技术"王占国陈涌海叶小玲化学工业出版社，2006年4月第一版。

代表性论文：
1.Z.G.Wang,L-A.LedeboandH.G.Grimmeiss；ElectronicPropertiesofNativeDeepLevelDefectsinLPEGaAs；J.ofPhys.,C:SolidStatePhys.,17,259(1984).
2.Z.G.Wang，H.G.GislasonandB.Monemar；AcceptorAssociatesandBoundExcitonsinGaAs:Cu；J.Appl.Phys.,58,230(1985).
3.Z.G.Wang,C.J.Li,F.N.Cao,L.Y.Linetal；ElectrialCharacteristicsofGaAsGrownfromtheMeltinaReducedGravityEnvironment；J.Appl.,Phys.,67,1521(1990)
4.Ren.Guangbao,WangZhanguo（Z.G.Wang）etal；ThcoreticalInvestigationoftheDynamicProcessoftheIlluminationofGaAs;Phys.Rev.B50,5189(1994).
5LianshanWang,XiaoglinLiu,YudeZan,DuWang,JunWang,DachengLuandZhanguoWang（Z.G.Wang）；WurtziteGaNepitaxialgrowthonaSi(001)substrateusingg-Al2O3asanintermediatelayer.Appl.Phys.Lett.,72,109(1998).
6.HanxuanLi,JuWu,ZhanguoWang（Z.G.Wang）et.al.,High-densityInAsnanowiresrealizedinsituon(100)InP.Appl.Phys.Lett.,75,1173(1999)
7.WangZhanguo（Z.G.Wang）,ChenYonghai,LiuFengqiandWuJu,Self-assembledquantumdots,wiresandquantum-dotlasers,J.ofCrystalGrowth227-228,1132(2001)
8.H.Y.Liu,B.Xu,Z.G.Wangetal;Room-temperature,ground-statelasingforred-emittingverticallyalignedInAlAs/AlGaAsquantumdotsgrownonaGaAs(100)substrate.Appl.Phys.Lett,80(20)3769(2002)
9WangZ.G,WuJ,Semiconductornanometerstructuresanddevices,JournaloftheKoreanPhysicalSociety45,S877-S880(2004)
10SunZ.Z,YoonS.F,WuJ,WangZ.G,Sizeself-scalingeffectinstackedInAs/InAlAsnanowiremultilayers,Appl.Phys.Lett,85(21):5061-5063NOV22(2004)
11ZhangZ.Y,WangZ.G,XuB,JinP,SunZ.Z,LiuF.Q,High-performancequantum-dotsuperluminescentdiodes,IEEEPhotonicsTechnologyLetters16(1):27-29JAN(2004)
12．C.L.Zhang,Z.G.WangY.H.Chenetal,SitecontrollingofInAsquantumwiresoncleavededgeofAlGaAs/GaAssuperlattice,Nanotechnology16(8),1379(2005)
13.PengJin,X.L.YeandZ.G.Wang,"Growthoflow-densityInAs/GaAsuantumdotsonasubstratewithanintentionaltemperaturegradientbymolecularbeamepitaxy",Nanotechnology16(12),2775-2778(2005).
14Peng,W.Q;Qu,S.C;Cong,G.W;Wang,Z.G；Synthesisandtemperature-dependentnear-band-edgeemissionofchain-likeMg-dopedZnOnanoparticles；Appl.Phys.Lett,88(10):Art.No.101902MAR62006