副研究员
张峰

张峰，男，博士，副研究员，硕士生导师。　　　2008年获得厦门大学理学博士学位，主要从事SiC紫外光电探测器研究。2009年至2011年任美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）博士后，主要从事SiC基MOS铁电器件与复杂氧化物原子层沉积（ALD）研究。2011年至今任职于中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室。目前为中国科学院青年创新促进会成员，IEEE会员，美国材料研究学会（MRS）会员和美国真空学会（AVS）会员。
　　SiC紫外光电探测器研究方面，首次将Al₂O₃薄膜应用于4H-SiC基Schottky、MSM、p-i-n及MOS紫外光电探测器，并获得了国际上量子效率最高的4H-SiC基MSM紫外光电探测器。在SiC基MOS铁电器件与复杂氧化物原子层沉积研究方面，首次自行搭建了具备原位监测功能的铁电薄膜ALD设备，首次利用ALD技术在SiC衬底上沉积Pb(Zr,Ti)O₃（PZT）铁电薄膜，实现了对原子层沉积过程的原位傅里叶红外监测。在此基础上，研制了4H-SiC基MOS铁电器件，性能达到国际水平。在国际SCI刊物上发表文章近30篇。作为科研骨干承担过美国自然科学基金（NSF）和美国FENA基金，目前负责国家自然科学基金，北京市重大科技计划项目，北京市自然科学基金。
主要研究领域：
1.SiC基Schottky、MOSFET等功率器件的研制
2.原子层沉积技术在SiC基器件中的应用研究
3.铁电，铁磁及多铁性薄膜（BiFeO₃）的原子层沉积研究
联系方式：
电子邮箱：fzhang@semi.ac.cn；办公电话：010-82304232。
主持项目：
国家自然科学基金：原子层沉积铁酸铋薄膜的生长和铁电性能研究2012-2014
北京市科技计划（重大）：4英寸碳化硅外延生长技术研究2013-2014
北京市自然科学基金：原子层沉积Al₂O₃薄膜在SiC基MOS器件中的应用研究2013-2015
国家电网项目：碳化硅材料外延关键技术研究
中国科学院青年创新促进会2012-2015
参与项目：
广东省重大项目：第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队2011-2015
代表性论文或著作：
(1)　F.Zhang*,G.S.Sun,L.Zheng,S.B.Liu,B.Liu,L.Dong,L.Wang,W.S.Zhao,X.F.Liu,G.G.Yan,L.X.Tian,Y.P.Zeng“Interfacialstudyandenergy-bandalignmentofannealedAl₂O₃filmspreparedbyatomiclayerdepositionon4H-SiC”,JournalofAppliedPhysics,113,044112(2013)
(2)　F.Zhang*,G.S.Sun,H.L.Huang,Z.Y.Wu,L.Wang,W.S.Zhao,X.F.Liu,G.G.Yan,L.Zheng,L.Dong,andY.P.Zeng“High-performance4H-SiCbasedmetal-insulator-semiconductorultravioletphotodetectorswithSiO₂andAl₂O₃/SiO₂films”,IEEEElectronDeviceLetters,32,1722(2011).
(3)　F.Zhang,Y.Perng,T.Wu,T.Chung,G.P.Carman,C.Locke,S.Thomas,S.E.Saddow,andJ.P.Chang*“StructuralandelectricalpropertiesofatomiclayerdepositedPb(Zr,Ti)O_x/Al₂O₃ultrathinfilmson4H-SiC”,JournalofAppliedPhysics,109,124109(2011)
(4)　F.Zhang,W.F.Yang,H.L.Huang,X.P.Chen,Z.Y.Wu*,H.L.Zhu,H.J.Qi,J.K.Yao,Z.X.Fan,andJ.D.Shao,“High-performance4H-SiCbasedmetal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorswithAl₂O₃/SiO₂films”,AppliedPhysicsLetters,92,251102(2008).
(5)　F.Zhang,H.L.Zhu,W.F.Yang,Z.Y.Wu*,H.J.Qi,H.B.He,Z.X.Fan,andJ.D.Shao,“Al₂O₃/SiO₂filmspreparedbyelectron-beamevaporationasUVantireflectioncoatingson4H-SiC”,AppliedSurfaceScience,254,3045(2008).