研究员
左玉华

左玉华，博士，副研究员，硕士生导师。1997年、2000年分获清华大学材料科学与工程系学士及硕士学位，2003年获中国科学院半导体所微电子学与固体电子学博士学位，师从王启明院士。同年9月进入中国科学院半导体所集成光电子学国家重点实验室工作，从事Si基光电子材料与器件的研究。在Si基光电子器件方面，实现了宽频域调谐的MEMS可调谐滤波器和热光可调谐平顶滤波器，并初步用于新型非致冷红外探测器；研制成功具有高速、高线性和高响应的消逝场耦合的水平波导光电探测器以及Si基键合型高速、高饱和输出的共振腔增强型光电探测器；在Si基新材料研究方面，利用UHV/CVD设备，通过低温亚稳态生长，制备出界面平整清晰的厚层Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5超晶格，并首次采用保偏光纤Mach-Zehnder干涉仪对该材料的电光系数进行了直接测量，在1.55微米处的电光系数约0.24pm/V，仅比GaAs体材料小一倍，验证了电光改性的效果，同时实现了直接电光效应的器件验证。作为项目负责人和主要完成人承担和完成了自然科学基金和973等项目。发表SCI和EI收录论文50余篇，获得授权专利5项。目前作为课题负责人承担多项国家任务。

目前研究领域：全光谱响应的高效、低成本Si基光伏材料和器件
1）新型Si基低维纳米结构材料与器件
2）杂质中间带材料与器件招收硕士研究生。
Tel：010-82304522(office)Fax：010-82305052
E-mail:yhzuo@semi.ac.cn
在研的科研项目：
1.国家自然科学基金重点项目：“运用量子尺寸效应和杂质中间带提高硅基太阳电池效率的研究”No.61036001（2011.1-2014.12）与南京大学合作，负责杂质中间带部分
2.国家自然科学基金面上项目：“高效Si基杂质中间带太阳电池材料及新型光电转换机理研究”No.51072194（2011.1-2013.12）负责人
3.中科院太阳能行动计划：“Si基全光谱太阳能电池可行性基础研究”（2009.7-2011.7）合作主持
已完成的科研项目：
1.973项目：“高速、高线性、窄带响应RCE探测及动态空间电荷效应制约研究”No.2006CB302802(2006.9-2010.9)骨干成员
2.国家自然科学基金面上项目：“Si1-xGex/Si非对称多量子阱及超晶格电光效应人工增强改性及其应用”No.90401001（2005.1－2007.12）项目负责人
3.973项目：“支撑高速度、大容量光网络的光子集成的基础研究”（2000-2005）骨干成员
4.国家自然科学基金重点项目:“Si基光电子学关键器件基础研究”No.60336010（2004-2007）骨干成员
5.国家自然科学基金重点项目:“面向光子集成的半导体光子晶体有源与无源器件关键技术研究”No.60537010（2006-2009）参与
代表性论著：
1.ZuoYH,TaoYL,etal.StructuralandopticalpropertiesofstrainedsiliconnanocrystalsinSi/SiO?2superlatticesforsilicontandemsolarcells.25thEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConferenceandExhibition.2010,Sep6-10,Valencia,poster1.DV.3.70
2.L.Zhao,Y.H.Zuo,C.L.Zhou,H.L.Li,H.W.Diao,W.J.Wang.Ahighlyefficientlight-trappingstructureforthin-filmsiliconsolarcells.SolarEnergy84,2010,110–115
3.Z.H.Ma,C.L.Xue,Y.H.Zuo*.ResearchonImpurityBandPhotovoltaicSolarCells.ChinaIntegratedCircuit,2010,128(1):22-26(inChinese)
4.ZuoYH,CaoQ,ZhangY,ZhangLZ,ChengBW,WangQM.InP-Basedevanescentlycoupledhigh-responsivityphotodiodeswithextremelylowdarkcurrentdensityintegratedadilutedwaveguideat1550nm.TobepublishedinJan.2011,ChinesePhysicsB.
5.ZhangYun,ZuoYu-Hua*,etal.Opticalmatchinglayerstructuresinevanescentcouplingphotodiodesatawavelengthof1.55?m:physics,designandsimulation.ChinesePhysicsB,2009,18(1):0225-06
6.JianchuanGuo,YuhuaZuo,QimingWang,etal.Simulationresearchofnonlinearbehaviorinducedbythecharge-carriereffectinresonant-cavity-enhancedphotodetectors.JournalofLightwaveTechnology,2007,25(9):2783-2790
7.ZhaoL,TuXG,ZuoYH,etal.Electro-opticcoefficientsofSi0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5asymmetricsuperlatticemeasuredbypolarization-maintainingfiber-opticMach-Zehnderinterferometer.Appl.Phys.Lett.,89(14):Art.No.141104，2006
8.Y.H.Zuo,R.W.Mao,Y.Y.Zheng,X.Shi,L.Zhao,W.H.Shi,B.W.Chen,J.Z.Yu,Q.M.Wang.ASi-basedtunablenarrow-bandflat-topfilterwithmultiple-step-typeFabry-Perotcavitystructure.IEEEPhoton.Tech.Lett.,2005,17:2134-2136.
9.R.W.Mao,Y.H.Zuo,C.B.Li,B.W.Cheng,X.G.Teng,L.P.Luo,J.Z.Yu,Q.M.Wang.Demonstrationoflow-costSi-basedtunablelong-wavelengthresonant-cavity-enhancedphotodetectors.Appl.Phys.Lett.,2005,86(3):033502
10.ZuoY.H.,WangL.C.,WangQ.M,etal.1.55?mFabry-Perotthermo-opticaltunablefilterwithamorphous-Siasthecavity.ChineseJournalofSemiconductors,2003,24(9):911-915.
11.ZuoY.H.,HuangC.J.,WangQ.M,etal.1.3?mSi-basedMOEMSopticaltunablefilterwithatuningrangeof90nm.ChineseJournalofSemiconductors,2003,24(11):1140-1143