研究员
王晓亮

王晓亮，男，1963年7月生，博士，博士生导师；中科院半导体所研究员；中科院研究生院教授；西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授；中国电子学会理事；中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长；中国能源学会第二届理事会理事；西安交通大学-中科院半导体所信息功能材料与器件联合实验室副主任、学术委员会委员；中国电子科技集团公司“砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室”学术委员会委员；“电子物理与器件教育部重点实验室”学术委员会委员。长期从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体微电子、光电子材料和器件研究工作。目前研究方向主要包括：（1）宽禁带半导体材料和器件；（2）宽禁带半导体电力电子器件；（3）MOCVD设备研制；（4）高效太阳能电池；（5）半导体传感器。主持国家重大科技专项、863重大项目、自然科学基金重大项目、973项目、中科院知识创新工程重要方向项目等多项国家重大课题的研究工作。1995年起在国内率先开展了GaN基微波功率器件结构材料的研究工作，通过自主创新，取得了重大突破，形成了系统的知识产权，取得了一批具有国内领先水平、国际先进水平的突出研究成果，一些成果达到国际领先水平。并基本建成GaN基微电子外延材料和器件研制平台，实现了外延材料的批量供片。用自主研制的GaN基微电子材料，先后合作研制出我国第一支GaN基HEMT器件、第一支GaN基X波段微波功率器件、第一块GaN基微波单片集成电路。用自主研制的MOCVD设备，研制出了3英寸GaN基微波功率器件材料，强有力地支撑了新一代核心电子器件和电路在我国的发展。2009年10月研制成功我国首台一次可生长7片2英寸（3片3英寸）GaN基外延材料的MOCVD工程化样机，该样机经验证具有很好的重复性、稳定性和可靠性，其综合性能与国外同类设备相当。所取得的MOCVD制造的关键专利技术在2012年以无形资产（2000万）投资到广东中科宏微半导体设备有限公司，促进了我国信息产业核心装备-MOCVD装备的自主创新发展和工程化产业化进程。2009年在国内率先研制出InGaN太阳能电池原型器件；2011年研制成功击穿电压超过1000V的GaN基二端和三端电力电子器件。从九十年代至今在国内外主要学术刊物上发表研究论文140余篇；获得授权国家发明专利29项，实用新型专利1项；已培养并取得博士学位的研究生23名。2006年荣获中国科学院预先研究先进个人荣誉称号。2009年荣获工信部科学技术成果一等奖。2012年荣获“全国优秀科技工作者”荣誉称号。2012年荣获北京市科学技术奖二等奖。在研主要项目：1.　国家科技重大专项3项（2008-2013）2.　“973”项目：InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用（2012-2016）3.　“973”项目：毫米波GaN功率器件和电路研究（2010-2014）4.　高技术项目：大尺寸GaN基材料外延生长研究（2011-2015）5.　中国科学院知识创新工程重要方向项目：3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD装备研制（2011-2013）6.　国家自然科学基金重大项目：GaN基毫米波功率器件与材料的新结构研究（2009-2012）代表性论著：1.　　　　JieqinDing,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,HongChen.A2nmlowtemperatureGaNspacertoimprovethetransportpropertiesoftwo-dimensionalelectrongasinAlGaN/InAlN/AlN/GaNheterostructures.AppliedPhysicsLetters,101,182102(2012)2.　　　　YangBi,XiaoliangWang,CuimeiWang,JianpingLi,HongxinLiu,HongChen,HonglingXiao,ChunFengandLijuanJiang.TheinfluenceofpressureonthegrowthofInAlN/AlN/GaNheterostructure.Eur.Phys.J.Appl.Phys.57,30103(2012)3.　　　　LijuanJiang,XiaoliangWang,HonglingXiao,ZhanguoWang,CuibaiYang,MinglanZhang.PropertiesinvestigationofGaNfilmsimplantedbySmionsunderdifferentimplantationandannealingconditions.AppliedPhysicsA,104,429-432(2011)4.　　　　QingwenDeng,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,HaiboYin,HongChen,QifengHou,DefengLin,JinminLi,ZhanguoWangandXunHou.AninvestigationonInxGa1?xN/GaNmultiplequantumwellsolarcells.JournalofPhysicsD:AppliedPhysics,44,265103(2011).5.　　　　QingwenDeng,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,HaiboYin,HongChen,DefengLin,LijuanJiang,ChunFeng,JinminLi,ZhanguoWang,XunHou.ComparisonofasgrownandannealedGaN/InGaN:MgSamples.JournalofPhysicsD:AppliedPhysics44,345101(2011)6.　　　　XuPan,XiaoliangWang,MengWei,CuibaiYang,HonglingXiao,CuimeiWang.GrowthofGaNfilmonSi(111)substratebyusingAlNsandwichstructureasbuffer.JournalofCrystalGrowth,318,464(2011).7.　　　　XuPan,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,ChunFeng,LijuanJiang,HaiboYin,HongChen.SurfacecharacterizationofAlGaNgrownonSi(111)substrates.JournalofCrystalGrowth,311,29(2011)8.　　　　QifengHou,XiaoliangWang,HonglingXiao,CuimeiWang,CuibaiYang,HaiboYin,QingwenDeng,JinminLi,ZhanguoWang,andXunHou.Influenceofelectricfieldonpersistentphotoconductivityinunintentionallydopedn-typeGaN.AppliedPhysicsLetters,98,10,102104(2011)9.　　　　XiaoliangWang,TangshengChen,HonglingXiao,JianTang,JunxueRan,MinglanZhang,ChunFeng,QifengHou,LijuanJiang,JinminLi,ZhanguoWang.AnInternally-matchedGaNHEMTsDevicewith45.2Wat8GHzforXbandapplication.SolidStateElectronics,53,332-335(2009)10.　　WangXiaoliang,ChenTangsheng,XiaoHongling,WangCuimei,HuGuoxin,LuoWweijun,TangJian,GuoLunchun,LiJinmin.High-performance2mmgatewidthGaNHEMTson6H-SiCwithoutputpowerof22.4W@8GHz.Solid-StateElectronics,52(6),926-929(2008)