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中国科学院半导体研究所研究生导师简介-陈涌海

半导体研究所 免费考研网/2013-11-24

研究员
陈涌海

陈涌海,博士,研究员,博士生导师,半导体材料科学重点实验室主任,973项目首席助理。1990年在北京大学获得学士学位,1993年在北京科技大学获得硕士学位,1998年在中科院半导体所获得博士学位,多次前往香港科技大学进行合作研究。目前主要研究方向包括:应变自组装纳米结构材料的可控生长和光电性质研究;新型量子点光电器件研究;半导体材料及低维结构的光学偏振性质研究;半导体纳米结构应变自组织生长的蒙特卡罗模拟;磁性半导体材料的磁光电性质研究等。
取得的主要学术成绩:长期从事半导体低维结构材料物理研究工作,将反射差分谱(RDS)推广应用于半导体材料物理研究领域,揭示了半导体界面性质、量子阱不对称性与半导体量子阱平面光学各向异性(RDS信号)之间的内在关系,为半导体界面性质研究提供了新办法,目前国际上用RDS研究量子阱平面光学各向异性的文献全部来自他领导的研究小组。基于RDS技术,他建立了闪锌矿半导体衬底材料表面亚损伤和内应力分布的表征方法。最近又将RDS应用于应变自组织纳米结构生长动力学和低维结构磁光性质研究。在应变自组织纳米结构和大失配异质结构材料研究方面,提出了合金组份调制导致量子线形成的新机理,并得到了实验证实;发展了图形化柔性层、低温生长柔性层以及注氢柔性层等可协变衬底生长技术,并探讨了超薄中间层在协调晶格失配应变的物理机制等。先后主持了国家重点基础规划项目(973项目)、国家自然科学基金重大项目和面上项目、中科院重点项目等6个科研项目。在国际知名学术刊物上发表论文七十余篇,受理国家发明专利8项。曾获1999年度中国科学院院长奖学金优秀奖、2000年中科院自然科学一等奖(排名第九)、2001年中国自然科学二等奖(排名第九)、2004年国家重点基础研究计划(973)先进个人称号等奖励。

完成/在研主要项目(负责人)
1.国家自然科学基金重大项目课题"新型半导体量子结构的设计、制备和表?quot;(2003-2006);
2.973项目课题"大失配异质结构材料生长动力学与柔性衬底"(2001-2005);
3.863项目"光泵浦、光通信用自组装量子点激光器"(2002-2005);
4.国家自然科学基金重大规划项目"磁性半导体异质结构材料和自旋极化半导体激光器"(2003-2005)
5.国家自然科学基金面上项目"半导体材料平面光学各向异性研究"(2000-2002)。
6.国家自然科学基金面上项目"超晶格解理面上应变自组织纳米结构生长和光电性质研究"(2006-2008)。
代表性论著
1.Y.H.Chen,Z.Yang,etal.,Reflectance-differencespectroscopystudyoftheFermi-levelpositionoflow-temperatureGaAs,Phys.Rev.B,vol.55,pp.R7379-R,1997.
2.Y.H.Chen,Z.Yang,etal.,TemperaturedependenceoftheFermilevelinlow-temperature-grownGaAs,Appl.Phys.Lett.Vol.72,pp.1866-,1998.
3.Y.H.ChenandZ.Yang,Theoryoflinearelectro-opticeffectneartheE1andtheE1+D1energies,Appl.Phys.Lett.Vol.73(12),pp.1667-,1998.
4.Y.H.Chen,Z.Yang,etal.,Quantum-wellanisotropicforbiddentransitionsinducedbyacommon-atominterfacepotential,Phys.Rev.B,vol.60(3),pp.1783-,1999.
5.Y.H.Chen,Z.G.Wang,etal.,Polishing-relatedopticalanisotropyofsemi-insulatingGaAsstudiedbyreflectancedifferencespectroscopy,J.Appl.Phys.,vol.88(3),pp.1695-1697,2000.
6.Xiao-LingYe,Y.H.Chen,etal.,Determinationofthevaluesofhole-mixingcoefficientsduetointerfaceandelectricfieldinGaAs/AlxGa1-xAssuperlattices,Phys.Rev.B,vol.63,pp.115317-,2001.
7.Y.H.Chen,X.L.Ye,etal.,Interface-relatedin-planeopticalanisotropyinGaAs/AlxGa1-xAssingle-quantum-wellstructuresstudiedbyreflectancedifferencespectroscopy,Phys.Rev.B,vol.66,pp.195321-,2002.
8.WeijiaWen;Yang,Z.;GuXu;YonghaiChen;etal.Infraredpassbandsfromfractalslitpatternsonametalplate,Appl.Phys.Lett.83,2106(2003)
9.ZongyiQin,YonghaiChen,K.P.Shiu,andZ.Yang,MolecularSegmentalDistortioninRubbedPolystyrene,Macromolecules37(9),3378-3380(2004)
10.F.A.Zhao,Y.H.Chen,X.L.Ye,etal.Growthofnanostructuresoncomposition-modulatedInAlAssurfaces,J.Phys.:Condens.Matter16,7603-7610(2004)
11.ZhaoC,ChenYH,CuiCX,etal.Quantum-dotgrowthsimulationonperiodicstressofsubstrate,JOURNALOFCHEMICALPHYSICS123(9):Art.No.094708SEP12005
12.CuiCX,ChenYH,ZhangCL,etal.AnovelmethodforpositioningofInAsislandsonGaAs(110),PHYSICAE-LOW-DIMENSIONALSYSTEMS&NANOSTRUCTURES28(4):537-544SEP2005
13.W.Lei,Y.H.Chen,B.Xu,X.L.Ye,Y.P.ZengandZ.G.Wang,Ramanstudyonself-assembledInAs/InAlAs/InP(001)quantumwires,Nanotechnology,16,1974(2005).

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