研究员
张兴旺

张兴旺，博士，研究员，博士生导师，中科院“百人计划”。1972年10月生于安徽怀宁，分别于1994和1999年从兰州大学获理学学士和博士学位。1999年至2001年在香港中文大学电子工程系进行博士后研究，2001年至2004年任德国乌尔姆大学固体物理系博士后及洪堡学者，于2004年7月加入中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室，任研究员，并入选中科院“百人计划”。现任中国空间科学学会微重力科学与应用研究专业委员会委员，是Nat.Nanotechnol.,Appl.Phys.Lett.,Mater.Today等二十余种学术期刊的审稿人。取得的主要学术成绩：利用双离子束辅助沉积技术，首次成功制备出异质外延生长的立方氮化硼（c-BN）薄膜，这一突破性进展为实现c-BN薄膜作为高温电子材料奠定了基础，得到国际同行科学家的广泛关注和高度评价。同时在c-BN薄膜的成核和生长机理、掺杂、电学和光学性质研究等方面都有新的发现和创新。此外，在ZnO材料与器件研究方面也取得了重要进展，如利用金属表面等离激元增强了ZnO薄膜的近带边发射并首次实现了ZnO基LEDs电致发光的增强；阐明了氢相关缺陷对ZnO电学性质的影响。承担的研究项目包括：中国科学院“百人计划”项目、国家自然科学基金项目、科技部863计划、973计划项目以及中国科学院战略性先导科技专项等。在Nat.Mater.,Appl.Phys.Lett.等学术杂志发表SCI收录论文90余篇，SCI论文被他引700余次，获授权发明专利12项。研究成果曾获北京市科技进步二等奖，并获中科院优秀研究生指导教师奖一次。目前主要从事宽带隙半导体材料及器件，光伏材料与器件，石墨烯及其他二维原子晶体材料的制备及特性研究。现招收材料物理与化学专业博士和硕士研究生及博士后。联系方式：Email:xwzhang@semi.ac.cn；Tel:10-82304569。承担科研项目情况：科技部纳米研究重大科学研究计划：新型硅纳米结构器件物理，(2010－2014)中科院战略性先导科技专项：熔体材料空间生长，(2012-2016)科技部973计划：全组分可调III族氮化物半导体材料和器件物理，(2012-2016)中科院重大重要方向性项目：石墨烯在光调制器件中的前瞻性研究，(2012-2014)国家自然科学基金：超高密度磁存储用FePt纳米颗粒阵列的制备及其性质研究，(2011－2013)863计划项目：表面等离激元增强ZnO基LED的紫外电致发光研究，(2009－2011)代表性论文：1.　　　　S.G.Zhang,X.W.Zhang^*,F.T.Si,J.J.Dong,J.X.Wang,X.Liu,Z.G.Yin,andH.L.Gao,OrderedZnOnanorods-basedheterojunctionlight-emittingdiodeswithgraphenecurrentspreadinglayer,Appl.Phys.Lett.101,121104(2012).2.　　　　H.L.Gao,X.W.Zhang^*,Z.G.Yin,H.R.Tan,W.Song,S.G.Zhang,J.H.Meng,andX.Liu,Plasmonenhancedpolymersolarcellsbyspin-coatingAunanoparticlesonindium-tin-oxidesubstrate,Appl.Phys.Lett.101,133903(2012).3.　　　　J.J.Dong,X.W.Zhang^*,Z.G.Yin,J.X.Wang,S.G.Zhang,F.T.Si,H.L.Gao,andX.Liu,UltravioletelectroluminescencefromorderedZnOnanorodarray/p-GaNlightemittingdiodes,Appl.Phys.Lett.100,171109(2012).4.　　　　S.G.Zhang,X.W.Zhang^*,Z.G.Yin,J.X.Wang,J.J.Dong,H.L.Gao,F.T.Si,S.S.Sun,andY.Tao,Localizedsurfaceplasmon-enhancedelectroluminescencefromZnO-basedheterojunctionlight-emittingdiodes.Appl.Phys.Lett.99,181116(2011).5.　　　　J.J.Dong,X.W.Zhang^*,Z.G.Yin,S.G.Zhang,H.R.Tan,J.X.Wang,Y.Gao,F.T.Si,andH.L.Gao,ControllablegrowthofhighlyorderedZnOnanorodarraysviainvertedself-assembledmonolayertemplate.ACSAppl.Mater.Interfaces3,4388-4395(2011).6.　　　　J.Yang,J.B.You,C.C.Chen,W.C.Hsu,H.R.Tan,X.W.Zhang,ZiruoHong,andY.Yang^*Plasmonicpolymertandemsolarcell.ACSNano,5,6210-6217(2011).7.　　　　J.B.You,X.W.Zhang^*,S.G.Zhang,J.X.Wang,Z.G.Yin,H.R.Tan,W.J.Zhang,Paul.K.Chu,B.Cui,A.M.Wowchak,A.M.Dabiran,andP.P.Chow,Improvedelectroluminescencefromn-ZnO/AlN/p-GaNheterojunctionlight-emittingdiodes.Appl.Phys.Lett.,96,201102(2010).8.　　　　J.J.Dong,X.W.Zhang^*,J.B.You,P.F.Cai,Z.G.Yin,Q.An,X.B.Ma,P.Jin,Z.G.Wang,andPaulK.Chu,EffectsofhydrogenplasmatreatmentontheelectricalandopticalpropertiesofZnOfilms:identificationofhydrogendonorsinZnO,ACSAppl.Mater.Interfaces2,1780-1784(2010).9.　　　　J.B.You,X.W.Zhang^*,P.F.Cai,J.J.Dong,Y.Gao,Z.G.Yin,N.F.Chen,R.Z.Wang,andH.Yan,EnhancementoffieldemissionoftheZnOfilmbythereducedworkfunctionandtheincreasedconductivityviahydrogenplasmatreatment.Appl.Phys.Lett.,94,262105(2009).10.　　S.Qu,X.W.Zhang^*,Y.Gao,J.B.You,Y.M.Fan,Z.G.Yin,andN.F.Chen,CompositiondeviationofarraysofFePtnanoparticlesstartingfrompoly(styrene)–poly(4-vinylpyridine)micelles,Nanotechnology19,135704-7(2008).11.　　J.B.You,X.W.Zhang^*,Y.M.Fan,S.Qu,andN.F.Chen,SurfaceplasmonenhancedultravioletemissionfromZnOfilmsdepositedonAg/Si(001)bymagnetronsputtering.Appl.Phys.Lett.,91,231907(2007).12.　　X.W.Zhang^*,N.F.Chen,F.Yan,andWernerA.Goedel,HeteroepitaxialGold(111)NanoringsonMicaSubstrates.Appl.Phys.Lett.,86,203102(2005).13.　　X.W.Zhang^*,H.Yin,H.-G.Boyen,P.Ziemann,andM.Ozawa,Effectsofcrystallinequalityonthephasestabilityofcubicboronnitridethinfilmsundermedium-energyionirradiation,DiamondRelat.Mater.14,1482-1488(2005).14.　　X.W.Zhang,H.-G.Boyen^*,N.Deyneka,P.Ziemann,F.Banhart,andM.Schreck,Epitaxyofcubicboronnitrideon(001)-orienteddiamond.NatureMaterials,2,312(2003).15.　　X.W.Zhang^*,S.P.Wong,Y.W.Cheung,andF.Zhang,ElectricaltransportpropertiesofNiSi₂layerssynthesizedbymetalvaporvacuumarcionimplantation---Temperaturedependenceandtwobandmodel.Appl.Phys.Lett.,80,249(2002).