研究员
汪连山

　汪连山，男，研究员，博士生导师。1999年2月毕业于中国科学院半导体研究所，获半导体材料工学博士学位。1998年8月至1999年8月在香港理工大学电子信息工程系做访问学者，主要研究AlGaN/GaN紫外探测器。1999年10月至2006年10月新加坡材料研究与工程研究院（IMRE）ResearchScientist,主要研究宽带隙氮化物半导体材料与器件,先后实现了GaN基蓝光、绿光及紫外光发光二极管,并与日本富士通量子器件(FujistuQuantumDevice)公司合作率先研制成功InGaN蓝光激光器。2006年10月至2011年8月华中科技大学武汉光电国家实验室（筹）教授,主要从事半极性面氮化镓材料、图形衬底制备技术、ZnO纳米结构制备技术等研究工作，其中，2009年2月至7月英国巴斯大学电子电机工程系访问教授，主要研究GaN体衬底HVPE制备和自分离技术。2011年9月至2013年4月中国科学院半导体所半导体照明中心研究员，主要从事基于金属基板和表面光子晶体的高效大功率LED芯片研发及产业化。2013年5月内调至中国科学院半导体材料研究所材料科学重点实验室，主要从事薄膜LED和半极性面偏振光LED研发。迄今发表学术论文90多篇，累计引用450余次，取得发明专利7项，并受邀为AppliedPhysicsLetters、IEEEPhotonicsTechnologyLetters、ElectrochemicalSociety(ECS)JournalofSolid-StateScienceandTechnology、ElectrochemicalandSolidStateLetters、《光学学报》等期刊论文评审人和广东省科技咨询及产学研项目评审专家。主要研究领域或方向·　　　　　宽带隙半导体材料与器件·　　　　　微纳光电子器件与系统集成联系方式：·　　　　　办公室地点:3号楼315A·　　　　　电　　话：010-82304236·　　　　　电子邮箱:ls-wang@semi.ac.cn·　　　　　网　页：http://people.ucas.ac.cn/~wls20130612在研/完成项目1．国家自然科学基金面上项目“半极性面偏振光LED外延技术及性能研究”(2013.01-2016.12，80万)2．广东省战略新兴产业LED项目“基于电镀镍金属基板和表面光子晶体结构的高效大功率LED芯片研发及产业化”(2013.01-2015-06,240万)3．973项目“MOCVD新型反应腔设计、LED缺陷抑制和量子效率调控”(2011.11-2013.12,251.9万)4．863项目“基于图形衬底的高效白光LED外延芯片产业化制备技术研究”(2011.01-2013.12,91.7万)5．国家科学基金面上项目“半极性小面InGaN量子阱结构生长与多色光合成研究”(2008.1-2010.12,30万)6．湖北省科技专项项目“GaN基LED外延片的生长技术及其大功率芯片的研究及产业化(2008.1-2010.12,500万)代表性论著1.DaiKe-Hui;WangLian-Shan;HuangDe-Xiu,SohChew-Beng,ChuaSoo-Jin,“InfluenceofsizeofZnOnanorodsonlightextractionenhancementofGaN-basedlight-emittingdiodes”,ChineseAppl.Phys.Lett.,28,098501(2011)2．LianshanWang,ZhiqinLu,Sheng.Liu,andZhechuanFeng,“Shallow-deepInGaNmultiplequantumwellsystemfordual-wavelengthemissiongrownonsemi-polar(112)facetGaN”,J.ElectronicMaterials40,1572(2011)3.KehuiDai,ChewBengSoh，SooJinChua,LianshanWang,DexiuHuang,“InfluenceofthealignmentofZnOnanorodarraysonlightextractionenhancementofGaN-basedlight-emittingdiodes”,J.Appl.Phys.109，083110(2011)4.HanYan,Zhi-yinGan,Lian-shanWang,Xiao-huiSongandShengLiu,“InitialGrowthofAlInGaNonPolarGalliumNitrideSubstratesunderBiaxialStrain:First-principleSimulations”InternationalJournalofNonlinearSciences&NumericalSimulation11(7),545-549(2010)5.S.Tripathy,S.Vicknesh,L.S.Wang,V.K.X.Lin,S.A.Oh,R.Grover,K.Y.Zang,J.Arokiaraj,J.N.Tan,S.Shannigrahi,A.Ramam,S.J.Chua,“GaNandZnOfreestandingmicromechanicalstructuresonSOIsubstrates”,PhysicaStatusSolidi(a),205，1168-1172(2008)6.C.B.Soh,K.Y.Zang,L.S.Wang,S.Y.Chow,S.J.Chua,“DeeplevelsassociatedwithdislocationannihilationbyAlpre-seedingandsilicondeltadopinginGaNgrownonSi(111)substrates”,PhysicaStatusSolidi(a),205,266(2008)7.K.Y.Zang,Y.D.Wang,L.S.Wang,S.Y.Chow,S.J.Chua,“DefectreductionbyperiodicSiNxinterlayersingalliumnitridegrownonSi(111)”,JournalofAppliedPhysics101,093502(2007)8.K.Y.Zang,Y.D.Wang,L.S.Wang,S.Tripathy,S.J.Chua,C.V.Thompson,“NanoheteroepitaxyofGaNonananoporearrayofSi(111)surface”,ThinSolidFilms515,4505-4508(2007)9.H.L.Zhou,S.J.Chua,S.Y.Chow,H.Pan,Y.W.Zhu,Y.P.Feng,L.S.Wang,K.Y.Zang,W.Liu,S.Tripathy,“CharacteristicsofthreadingdislocationsinZnOgrownonfacet-controlledepitaxialovergrownGaNtemplates”,JournalofPhysics:CondensedMatter19,356203(2007)10.S.Vicknesh,S.Tripathy,VivianK.X.Lin,L.S.Wang,S.J.Chua,“FabricationofdeeplyundercutGaN-basedmicrodiskstructuresonsiliconplatforms”,AppliedPhysicsLetters90,071906(2007)11.H.L.Zhou,SJ.Chua,K.Y.Zang,L.S.Wang,S.Tripathy,N.Yakovlev,O.Thomas,“InGaNmultiplequantumwellsgrownonELOGaNtemplatesandtheopticalpropertiescharacterization”,JournalofCrystalGrowth298,511(2007)12.SH.L.Zhou,aS.J.ChuaH.Pan,J.Y.Lin,Y.P.Feng,L.S.Wang,W.Liu,K.Y.Zang,andS.Tripathy,“tructuralpropertiesofZnOGrownonGaN/sapphiretemplates:thetransitionfromnanorodstothinfilms”,ElectrochemicalandSolid-StateLetters,10(3),H98-H100(2007)13.L.S.Wang,S.Tripathy,B.Z.Wang,S.JChua,“GaNepilayersonnanopatternedGaN/Si(111)templates:opticalandstructuralcharacterization”,AppliedSurfaceScience253,214-218(2006)14.S.Tripathy,L.S.Wang,S.JChua,“CharacterizationofGaNlayersgrownonsilicon-on-insulatorsubstrates”,AppliedSurfaceScience253,236-240(2006)15.L.S.Wang,S.Tripathy,B.Z.Wang,J.H.Teng,S.Y.Chow,S.J.Chua,“NanoscaleepitaxialovergrowthprocessandpropertiesofGaNlayersonSi(111)substrates”,AppliedPhysicsLetters89,011901(2006)16.K.YanZang,Y.D.Wang,S.J.Chua,L.S.Wang,“NanoscalelateralepitaxialovergrowthofGaNonSi(111)”,AppliedPhysicsLetters87,193106(2005)17.L.S.Wang,S.Tripathy,S.J.Chua,K.Y.Zang,“InGaN/GaNmulti-quantumwellstructureson(111)-orientedbondedsilicon-on-insulatorsubstrates”,AppliedPhysicsLetters87,111908(2005)18.L.S.Wang,K.Y.Zang,S.Tripathy,S.J.Chua,“Effectsofperiodicdelta-dopingonthepropertiesofGaN:SifilmsgrownonSi(111)substrates”,AppliedPhysicsLetters85,5881(2004)