研究员
成步文

成步文，研究员，博士生导师，1989年在北京师范大学物理系获学士学位，1992年在北京师范大学低能核物理研究所获硕士学位，2006年在中国科学院半导体研究所获博士学位。1992年入中国科学院半导体研究所工作。他多年来一直致力于硅基光电子材料和器件的研究。近年先后主持完成了多项重要研究课题，取得的主要成果包括：主持研制出用于硅基异质材料生长的超高真空化学汽相淀积（UHV/CVD）系统，利用该设备系统研究了硅基Ⅳ族异质材料的生长机理和生长工艺，深入研究了自组装Ge量子点的动力学过程、形态演化规律及能带结构和光跃迁过程，研究了Si衬底上Ge材料生长的应变弛豫机理和控制，制备出了SiGe/Si量子阱材料、自组装Ge量子点、SiGe/SiHBT材料、SiGe/Si光晶体管材料、Si衬底上弛豫的厚Ge材料等；利用生长的材料研制出SiGe共振腔光电探测器、Ge量子点共振腔光电探测器、Si基Ge长波长光电探测器及阵列、硅基Ge发光二极管、SiGe/Si高速HBT等器件；在国内率先开展硅基GeSn材料外延和器件研究，研制的GeSn光电探测器性能处于国际领先水平。在国内外重要期刊和会议上发表论文150余篇，获得国家发明专利11项。将招收硅基光电子异质结构材料生长和器件研究方向的硕士生和博士生。联系方式：Email：cbw@semi.ac.cn,Tel:010-82304762近年完成/在研的主要项目：1.硅基锗材料外延及其相关器件基础研究，重点基金，(2011-2014,主持)2.基于能带工程的硅基发光材料及光电子原型器件，973课题,(2007.7-2011.8，骨干)3.Si衬底上的高速Ge光电探测器集成技术，863课题，(2006.12-2008.12，主持)4.绝缘层上SiGe材料的制备及弛豫机理研究，自然基金，(2007.1-2009.12，主持)5.Si基光电子学关键器件基础研究，重点基金，(2004.1-2007.12，骨干)6.Ge量子点子带间跃迁光探测器的探索，预研基金，(2004.7-2006.6，主持)7.SiGe/Si单片集成高速OEIC光接收芯片的研究，863课题，(2002.7-2005.10，主持)8.GeSi/SiMQW波长可调光电探测器，863课题，(1998.10-2000.10，主持)近期发表的主要论文：1.ShaojianSu,BuwenCheng,ChunlaiXue,WeiWang,QuanCao,HaiyunXue,WeixuanHu,GuangzeZhang,YuhuaZuo,andQimingWang，GeSnp-i-nphotodetectorforalltelecommunicationbandsdetection，OpticsExpress,19(7):6400-6405,20112.W.Wang,S.J.Su,J.Zheng,G.Z.Zhang,Y.H.Zuo,B.W.Cheng,andQ.M.Wang,“Strainedandstrain-relaxedepitaxialGe1-xSnxalloysonSi(100)”,ChinesePhysicsB,Vol.20,No.6068103，20113.S.J.Su,W.Wang,B.W.Cheng,W.X.Hu,G.Z.Zhang,C.L.Xue,Y.H.Zuo,andQ.M.Wang,“ThecontributionsofcompositionandstraintothephononshiftinGe_1-xSn_xalloys”,SolidStateCommunications,151:647-650，20114.W.Wang,S.J.Su,J.Zheng,G.Z.Zhang,C.L.Xue,Y.H.Zuo,B.W.Cheng,andQ.M.Wang,“FlatteningoflowtemperatureepitaxialGe1-xSnx/Ge/Si(100)alloysviamasstransportduringpost-growthannealing”,AppliedSurfaceScience257(9):4468-4471，20115.S.J.Su,W.Wang,B.W.Cheng,G.Z.Zhang,W.X.Hu,C.L.Xue,Y.H.Zuo,andQ.M.Wang,“EpitaxialgrowthandthermalstabilityofGe_1-xSn_xalloysonGe-bufferedSi(001)substrates”,JournalofCrystalGrowth317(1):43-46，20116.HongweiZhao,WeixuanHu,ChunlaiXue,BuwenChengandQimingWang，DesignofwaveguideintegratedGe-quantum-wellelectro-absorptionmodulators,ChinesePhysicsLetter,28(1):014204,20117.Hai-YunXue,Chun-LaiXue,Bu-WenCheng,Yu-DeYu,andQi-MingWang，HighSaturationPowerandHighSpeedGe-on-SOIPINPhotodetectors，IEEEElectronDeviceLetters,31(7):701-703,20108.AnqiBai,BuwenCheng,XiaofengWang,ChunlaiXue,YuhuaZuo,andQimingWang,FabricationofSilicon-BasedTemplate-AssistedNanoelectrodeArraysandOhmicContactPropertiesInvestigation,J.ofNanoscienceandnanotechnology,10(11):7428-7431,20109.ChunlaiXue,HaiyunXue,BuwenCheng,WeixuanHu,YudeYuandQimingWang,1×4Ge-on-SOIPINPhotodetectorsArrayforParallelOpticalInterconnects,J.LightwaveTechnology,27(24):5687-5689，200910.WeixuanHu，BuwenCheng,ChunlaiXue，HaiyunXue,ShaojianSu,AnqiBai,LipingLuo,YudeYuandQimingWang,ElectroluminescencefromGeonSisubstrateatroomtemperature,APPLIEDPHYSICSLETTERS,95,092102,200911.XueHaiyun，XueChunlai，ChengBuwen，YuYude,WangQiming，“ZeroBiasedGe-on-SiPhotodetectorwithabandwidthof4.72GHzat1550nm”，ChinesePhysicsB,18(6),pp.2542-2544,200912.白安琪，胡迪，丁武昌，苏少坚，胡炜玄，薛春来，樊中朝，成步文，俞育德，王启明，“用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构”，物理学报，58(7),pp.4997-5001,2009