研究员
朱洪亮

朱洪亮，研究员，博导。1957年生。长期致力于半导体光电子材料和器件的研究和开发；曾赴德国联邦邮政技术研究中心、香港中文大学作过多年访问学者；在国家“八、五”至“十二、五”计划期间参与和承担完成了多项国家重点项目和国家自然科学基金项目。分别在1996、1997和2006年获中国科学院科技进步一等奖、国家科技进步二等奖（排名第三）和中国材料研究学会科学技术一等奖（排名第二），1999年获国务院颁发的政府特殊津贴和证书。目前主要从事半导体光电子功能集成材料和光子集成器件、电吸收调制激光器、新型光伏材料和太阳能电池的研究等。发表了100多篇研究论文，获得了数十项国内外授权发明专利。
研究领域：半导体光电子功能集成材料和光子集成器件，新型光伏材料和高效太阳能电池研究。
研究方向：1.半导体光电子功能材料和器件；2.高速电吸收调制激光器（EML）阵列集成器件；3.新型光伏材料和太阳能电池研究.完成/在研主要项目：
1．40Gb/sDFB+EA集成光源芯片的研究；
2．10X10Gb/s单片光子集成芯片（PIC）研究；3.电吸收调制激光器阵列集成芯片及应用开发；
4．新型光伏材料和背结触太阳能电池研究.
招收硕、博生。
E-mail:zhuhl@red.semi.ac.cn;Tel:010-82304437

近期代表性论著：1.HongliangZhu,XiaodongXu,HuanWang,etal.,“TheFabricationofEight-ChannelDFBLaserArrayUsingSampledGratings”IEEE.Photon.Technol.Lett..Vol.22.No.5PP.353-355(2010).2.ZhuH.L,LiangS,ZhaoL.J,KongD.H,andWangW.“Researchstatusofelectro-absorptionmodulatedlasers”,Asiacommunicationandphotonicsconferenceandexhibition,Dec.8-12,2010,shanghai。P.SuO2(Invited).3.H.L.ZhuandW.Wang,Methodformanufacturingselectiveareagrownstacked-layerelectro-absorptionmodulatedlaserstructure.美国专利号：US7,476,558B2，授权日：2009/01/13.4.ZhuHongLiang,LiangSong,ZhaoLingJuan,KongDuanHua,ZhuNingHua,WangWei，Aselectiveareagrowthdoublestackactivelayerelectroabsorptionmodulatorintegratedwithadistributedfeedbacklaser，ChineseScience，54，3627（2009）5.HWang,HLZhu,LHJia,XFChenandWWang,FabricationandPerformanceofIndex-CoupledDFBLaserwithSampledGrating,Semicond.Sci.Technol.24，015001(2009)6.DuanhuaKong,HongliangZhu,SongLiang,etal,.Aridgewidthvariedtwo-sectionindex-coupledDFBself-pulsationlaserwithawidecontinuouslytunablefrequencyrange,JPhys.D:Appl.Phys.42.125105(2009)7.HuanWang,HongLiangZhu,XiangFeiChen,DuanHuaKong,LieSongWang,WeiZhang,YangLiu,LingJuanZhaoandWeiWang,ControlofLasingWavelengthbySampledGratinginComplex-CoupledDFBLaser,Semicond.Sci.Technol.24,015004(2009)8.SLiang,HLZhu,XLYeLJZhao,JQPan,L.J.ZhaoandWWang,AnomalouscoarseningofSelf-assembledInAsquantumdotsonvicinalGaAs(100)substrates,JPhys.D:Appl.Phys,42，055310(2009)