研究员
赵玲娟

赵玲娟，研究员，博士生导师。1985年、1988年在天津大学电子工程系分别获理学学士、理学硕士学位；毕业后一直在中科院半导体研究所从事半导体激光器及相关集成器件的研究与开发。于1997年9月至1999年9月作为访问学者在美国BrookhavenNationalLab工作两年。作为863项目“宽带可调谐半导体激光器的研究与开发”以及“宽带波长可调谐激光器与半导体光放大器单片集成器件”的课题负责人，主持完成了课题任务指标，研制出了波长调谐范围达40nm的单片集成的半导体可调谐激光器，并且研制出了宽带可调谐激光器和电吸收调制器的单片集成、以及宽带可调谐激光器和半导体光放大器的单片集成。作为课题负责人，完成了自然科学基金重点项目“超高速光信号出了关键技术及集成器件研究”，研制出了多种光时钟恢复集成器件，实现了40Gb/s信号的全光时钟恢复。参与研究了10Gb/s－40Gb/s电吸收调制的DFB激光器模块的研究，参与完成了973项目“InP基光逻辑功能集成芯片材料研究”，国家自然基金重点项目:"光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究"等。曾获中国材料研究学会科学技术一等奖（半导体光电子功能材料集成技术平台，2006年），中国科学院科技进步二等奖（长波长无制冷单模激光器的研究，1991）。目前主要研究方向：InP基光电集成技术；高速率的电吸收调制器，半导体光放大器，半导体可调谐激光器及其相关器件，全光时钟恢复等光子信息处理器件的研究。当前课题组拥有金属有机化学汽相沉积（MOCVD）的材料生长设备、微区光荧光测试分析设备、光电子器件的前后工艺设备以及光电子器件测试分析设备等，建立了以选区外延生长技术和量子阱混杂技术，各种光栅制作技术等为基础的光子集成器件研究与开发的技术平台，具备了研究大规模光子集成回路的基本条件。现招收博士生及硕博连读生
联系方法：中国科学院半导体研究所邮政编码：100083
电话：（010）82304437传真：（010）82304437Email：ljzhao@semi.ac.cn在研及完成的课题：国家“973”项目课题：受迫谐振模式控制机理及时钟恢复集成器件研究（2011-2015）（主持）。自然科学基金重点项目：超高速光信号处理关键技术及集成器件研究，（2008－2011）（主持）。国家“973”项目：InP基光逻辑功能集成芯片材料研究（2006－2010）（参与）。国家“863”项目：宽带波长可控激光器与半导体光放大器的单片集成（2007－2009）（主持）。国家“863”项目：宽带可调谐半导体激光器的研究与开发（2002－2005）（主持）。国家“973”项目：新型量子阱功能材料和器件（2000－20005）（参与）。主要论文：1.Chen,Cheng;Zhao,Lingjuan;,Pan,Jiaoqing;Qiu,Jifang;Liang,Song;Wang,Wei;Lou,Caiyun;“AmplifiedfeedbackDFBlaserfor40Gb/sall-opticalclockrecovery”OpticsCommunicationsv284，p5613–5617，20112.Liu,Y;Ye,N;Zhou,D.B.;Wang,B.J.;Pan,J.Q.;Zhao,L.J.;Wang,W.“ASampledGratingDBRLaserMonolithicallyIntegratedbyUsingSOAswith22mWOutputPowerand51ITU100GHzChannelsover43nm”ChinesePhysicsLetters201128(2)3.Liu,Yang;Ye,Nan;Wang,Bao-Jun;Zhou,Dai-Bing;An,Xin;Bian,Jing;Pang,Jiao-Qing;Zhao,Ling-JuanandWang,Wei,“MonolithicIntegrationofWidelyTunableSampledGratingDBRLaserwithTiltedSemiconductorOpticalAmplifier”,ChineseJournalofSemiconductors,Vol.31,No.7,2010,pp.074003-1~074003-3(EI)4.Sun,Yu;,Pan,JiaoQing;,Zhao,Lingjuan;Chen,Weixi;,Wang,Wei,LiWang,XiaoFanZhao,andCaiYunLou，“All-OpticalClockRecoveryfor20Gb/sUsinganAmplifiedFeedbackDFBLaser”，JournalofLightwaveTechnology,vol.28,no.17,September1,20102521－25255.Zhu,Hongliang;Xu,Xiaodong;Wang,Huan;Kong,Duanhua;,Liang,Song;Zhao,Lingjuan;,andWang,Wei,“TheFabricationofEight-ChannelDFBLaserArrayUsingSampledGratings”IEEE.Photon.Technol.Lett..Vol.22.No.5PP.353-355(2010)(SCI)6.Kong,D.H;Zhu,H.L.;Liang,S.;Zhao,X.F.;Lou,C.X.;Wang,L.;Wang,B.J.;Zhao,L.J.;“All-opticalclockrecoveryusingaridgewidthvariedtwo-sectionpartlygain-coupledDFBself-pulsationlaser.”OpticsCommunications，283(2010)3970–3975(SCI)7.LiuHongbo,ZhaoLingjuan,PanJiaoqing,ZhuHongliang,ZhouFan,WangBaojun,WangWei,MonolithicintegrationofsampledgratingDBRwithElectroabsorptionmodulatorbycombiningselective-area-growthMOCVDandQuantum-wellintermixing,CHINESEPHYSICSLETTERS23(10):3670-3672,OCT20088.ZHAOLing-Juan*,ZHANGJing,WANGLu,CHENGYuan-Bing,PANJiao-Qing,LIUHong-Bo,ZHUHon-Liang,ZHOUFan,BIANJing,WANGBao-Jun,ZHUNing-Hua,WeiWANG，“WavelengthTunableDistributedBraggReflectorLaserIntegratedwithElectro-AbsorptionModulatorbyaCombinedMethodofSelectiveAreaGrowthandQuantumWellIntermixing”，sessioninvitedpaper,SPIE6824,PhotonicsAsia,11-15Nov.,2007,Beijing,China.(2007).9.王路，廖栽宜，程远兵，赵玲娟，潘教青，周帆，王圩”MonolithicallyIntegratedTransceiverwithNovelY-branchBranchbyBundleIntegratedWaveguideforFibreOpticGyroscope”,CHINESEPHYSICSLETTER,Vol.24,No.12,PP.3424-3427,2007.10.WFeng,J.Q.Pan,Y.B.Cheng,Z.Y.Liao,B.J.Wang,F.Zhou,L.J.Zhao,H.L.Zhu,andW.Wang,“SelectivegrowthofabsorptiveInGaAsPlayeronInPcorrugationforaburiedgratingstructure”,Appl.Phys.Lett.,Vol.90,P.011117，2007.11.XieHY,PanJQ,ZhaoLJ,ZhuHL,WangLF,WangW，Dual-wavelengthdistributedfeedbacklaserforCWDMbasedonnon-identicalquantumwell，CHINESEPHYSICSLETTERS23(1):126-128JAN200612."ZhangJing,LiBaoxia,ZhaoLingjuan,WangBaojun,ZhouFan,ZhuHongliang,BianJingandWangWei.AWavelengthTunableDBRLaserIntegratedwithanElectro-AbsorptionModulatorbyaCombinedMethodofSAGandQWI.ChineseJournalofSemiconductors,,26(11):2053～2057,200513.KanQiang，ZhaoLingjuan，ZhouFan，WangBaojun，WangLufeng，andWangWei“WidelyTunableSampled-GratingDBRLaser”，ChineseJournalofSemiconductors，26（5），PP.853-856,2005.14.WenFeng,WeiWang,HongliangZhu,LingjuanZhao,LianpingHouandJiaoqingPan，Characteristicsofoxide-freeInGaAlAslayersgrownbynarrowstripeselectiveMOVPE，SemiconductorScienceandTechnology201083–1086September2005.15.Shu-RongWang，WeiWang，Zhi-HongLiu，Hong-liangZhu，Rui-YingZhang，Ling-JuanZhao，FanZhou，YingDingandLu-FengWang，Anovelextremelybroad-bandsuperluminescentdiodebasedonsymmetricgradedtensile-strainedbulkInGaAs，Jpn.J.Appl.Phys，Vol.43,No.4A,pp1330-1331,2004.16.LuYu,ZhangJing,WangWei,ZhuHong-liang,ZhouFan,WangBao-jun,ZhangJing-yuan,andZhaoLing-juan,WavelengthTuninginTwo-SectionDistributedBraggReflectorLaserbySelectiveIntermixingofInGaAsP-InGaAsPQuantumWellStructure,ChineseJ.Semiconductor,Vol.24,p.903,2003.17.Z.Li,W.Huang,andL.J.Zhao;StudyoftheCorrelationBetweentheCuttingEdgeCurrentBreakdownandtheSimulatedLateralElectricalFieldBoundaryinHighResistivitySiliconDetectorswithMulti-GuardRingStructure;NuclearScienceSymp.,Seattle,WA,23-30October(1999);IEEETrans.Nucl.Sci.Vol.47,No.3,p.729,2000.18.Zhang-WCLi-ZSiddons-DPHuang-TZhao-LJKakuno-EMPietraski-PLi-CJ；Design,SimulationandTestingofLarge-AreaSiliconDriftDetectorsandDetectorArrayforX-RaySpectroscopy；IEEETRANSACTIONSONNUCLEARSCIENCEVol47,Iss4,pp1381-1385,2000.