研究员
马文全

马文全，博士，研究员，博士生导师。兰州大学物理系毕业，中科院半导体所理学硕士，德国洪堡大学理学博士，博士论文工作是在柏林Paul-Drude固体电子研究所从事的，2001-2004年在美国阿肯色大学物理系从事博士后研究工作。2004年10月加入中科院半导体所，2005年度中科院百人计划入选者。长期从事低维半导体结构的材料生长、物理特性及器件研究工作。近几年主要取得的科研成果有：研制成功短波、中波、长波、甚长波及长/甚长波双色InAs/GaSbII型超晶格红外探测器，中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构超晶格材料X射线衍射卫星峰半宽分别为20、17及21弧秒，为世界最好水平；证实InSb型界面优于混合型界面，首次提出其物理原因在于混合型界面中存在反位缺陷。在国内首次研制成功正入射型量子点红外探测器单管器件，研制成功长波、甚长波及新型电压调制型双色量子点红外探测器。首次报道了横向排列呈六边形分布的量子点阵列新结构及红外吸收特性。主要研究领域或方向：半导体低维结构材料物理，半导体低维结构器件物理，分子束外延，量子点红外探测器，InAs/GaSbII型超晶格红外探测器，量子阱红外探测器，量子点激光器,量子点存储器。联系方式：E-mail:wqma@semi.ac.cn，电话：010-82304089在研/完成项目：1，自然科学基金“高性能长波长InAs/GaSb二类超晶格材料基础研究”,2012.1-2015.12，70万，主持。2，国家973项目“半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构”，2010.1-2014.12，469万，主持。3，自然科学基金重大项目“InAs/GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究”，2013.1-2017.12，416万，参加。代表性论文或著作：1,X.L.Guo,W.Q.Ma*,J.L.Huang,Y.H.Zhang,Y.Wei,K.Cui,Y.L.Cao,andQ.Li,“Electricalpropertiesoftheabsorberlayerformid,longandverylongwavelengthdetectionusingtype-IIInAs/GaSbsuperlatticestructuresgrownbymolecularbeamepitaxy”,Semicond.Sci.Technol.28,045004(2013).2,J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,Y.L.Cao,X.L.GuoandJ.Shao,“HowtousetypeIIInAs/GaSbsuperlatticestructuretoreachdetectionwavelengthof2–3μm”,IEEEJ.QuantumElectron.48,1322(2012).3,J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.L.Cao,Y.Wei,Y.H.Zhang,K.Cui,G.R.DengandY.L.Shi,“MidwavelengthtypeIIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorusingSiOxNypassivation”,Jpn.J.Appl.Phys.51,074002(2012).4，K.Cui,W.Q.Ma*,J.L.Huang,Y.Wei,Y.H.Zhang,Y.L.Cao,Y.X.GuandT.Yang,“Multilayeredtype-IIGaSb/GaAsself-assembledquantumdotstructurewith1.35μmlightemissionatroomtemperature”,PhysicaE.45,173(2012).5,Y.H.Zhang,W.Q.Ma*,Y.L.Cao,J.L.Huang,Y.Wei,K.Cui,andJ.Shao,“Narrow-bandlong-/very-longwavelengthtwo-colortype-IIInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorbychangingthebiaspolarity”,Appl.Phys.Lett.100,173511(2012).6,Y.Wei,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,J.L.Huang,Y.L.Cao,andK.Cui,“HighstructuralqualityoftypeIIInAs/GaSbsuperlatticesforverylongwavelengthinfrareddetectionbyinterfacecontrol”,IEEEJ.QuantumElectron.48,512(2012).7,Y.H.Zhang,W.Q.Ma*,Y.L.Cao,J.L.Huang,,Y.Wei,K.Cui,andJ.Shao,“LongwavelengthinfraredInAs/GaSbsuperlatticephotodetectorswithInSb-likeandmixedinterfaces”,IEEEJ.QuantumElectron.47,1475(2011).8,K.Cui,W.Q.Ma*,Y.H.Zhang,J.L.Huang,,Y.Wei,Y.L.Cao,Z.Jin,andL.F.Bian,“Forwardbiasvoltagecontrolledinfraredphotodetectionandelectroluminescencefromap-i-nquantumdotstructure”,Appl.Phys.Lett.99,023502(2011).9,Y.Wei,W.Q.Ma*,J.L.Huang,Y.H.Zhang,Y.H.Huo,K.Cui,L.H.Chen,andY.L.Shi,“Verylongwavelengthquantumdotinfraredphotodetectorusingamodifieddots-in-a-wellstructurewithAlGaAsinsertionlayers”,Appl.Phys.Lett.98,103507(2011).10,J.L.Huang,W.Q.Ma*,Y.Wei,Y.H.Zhang,Y.H.Huo,K.Cui,andL.H.Chen,“Two-colorIn_0.4Ga_0.6As/Al_0.1Ga_0.9Asquantumdotinfraredphotodetectorwithdoubletunnellingbarriers”,Appl.Phys.Lett.98,103501(2011).