研究员
赵德刚

赵德刚，男，1972年出生，博士，研究员，博士生导师，2009年度国家杰出青年科学基金获得者，2011年第十二届中国青年科技奖获得者。1994年、1997年在电子科技大学微电子科学与工程系分别获得学士、硕士学位，2000年在中国科学院半导体研究所获得博士学位。博士毕业后留所工作，主要从事GaN基光电子材料生长与器件研究，尤其是对GaN基紫外探测器的材料生长机理、材料物理及器件物理有较深入的理解和认识。先后研制出高性能的GaN基紫外探测器单元器件、面阵和APD探测器，同时也为实现我国第一支GaN基激光器做出了贡献。主持和承担了国家863、973、自然科学基金等多个项目，在Appl.Phys.Lett.、J.Appl.Phys.等著名学术刊物上发表SCI论文100多篇，国家授权发明专利7项，撰写中文、英文专著各一章。在GaN材料与器件方面都进行了研究，取得的主要学术成绩如下：在GaN材料方面，深入研究了缓冲层原理，创造出一种独特的生长方法，生长出高质量的GaN材料，室温下电子迁移率超过1000cm²/Vs，这是目前国际上报道的最好结果之一；研究了Al原子寄生反应机制，找到了控制寄生反应的方法，生长出高质量的AlGaN、AlN材料；发现室温下GaN材料的应力状态主要取决于外延层和衬底之间的热失配，还发现GaN材料中的“黄光缺陷”和“蓝光缺陷”与刃位错紧密相关，并初步建立了GaN的光学、电学、结构性质的关系。在GaN器件方面，发明了几种紫外探测器新结构，设计出能够监测紫外波长的新型器件，还创新性地提出了利用紫外探测器的响应光谱对p-GaN载流子浓度进行测量的新方法；研究了器件工艺技术，相继制备出高性能的GaN基紫外探测器单元器件、面阵以及紫外APD雪崩探测器，并揭示了欧姆接触和点缺陷对器件的影响机理；解决了GaN、p-AlGaN的一些生长难点，为实现我国第一支GaN基激光器做出了重要贡献。目前主要招收硕博连读生及博士生，联系方式：电话：010-82304208Email:dgzhao@red.semi.ac.cn完成/在研主要项目:1．国家863项目：GaN紫外探测器（2001.7～2004.6）（主持）2．国家863项目：GaN紫外探测器（2004.10～2005.12）（主持）3．中科院项目：GaN紫外探测器的外延材料研究（2002.1～2004.12）（主持）4．国家863项目：太阳盲GaN基紫外探测器阵列（2007.12～2009.10）（主持）5．国家自然科学基金项目：位错和点缺陷对日盲型AlGaN紫外探测器性能的影响机理（2008.1～2010.12）（主持）6．国家杰出青年科学基金项目：GaN基光电子材料与器件的基础问题（2010.1～2013.12）（主持）7．其他项目：正在进行或完成（主持）代表性专著：1）中文：《先进焦平面技术导论》第四章《铝镓氮外延技术》，第204-258页，国防工业出版社，2011年出版2）英文：D.G.ZhaoandD.S.Jiang(2011).GaNBasedUltravioletPhotodetectors,Photodiodes-WorldActivitiesin2011,Jeong-WooPark(Ed.),ISBN:978-953-307-530-3,InTech近年来的代表性论文：1)D.G.Zhao,S.Zhang,D.S.Jiang,J.J.Zhu,Z.S.Liu,H.Wang,S.M.Zhang,B.S.Zhang,andH.Yang,"Astudyonthespectralresponseofback-illuminatedp-i-nAlGaNheterojunctionultravioletphotodetector",J.Appl.Phys.110,053701(2011)2)D.G.Zhao,D.S.Jiang,J.J.Zhu,Z.S.Liu,H.Wang,S.M.Zhang,Y.T.Wang,andH.Yang,“RoleofedgedislocationandSiimpurityinlinkingtheblueluminescenceandyellowluminescenceinn-typeGaNfilms”，Appl.Phys.Lett.95,041901(2009)3)D.G.Zhao,D.S.Jiang,J.J.Zhu,Z.S.Liu,S.M.ZhangandHuiYang,“AGaNphotodetectorintegratedstructureforwavelengthcharacterizationofultravioletlight”，Semicond.Sci.Technol.23,095021(2008)4)D.G.Zhao,D.S.Jiang,J.J.Zhu,Z.S.Liu,S.M.Zhang,J.W.Liang，HuiYang,X.Li,X.Y.Li,andH.M.Gong,“Influenceofdefectsinn^－-GaNlayerontheresponsivityofSchottybarrierultravioletphotodetector”,Appl.Phys.Lett.90,062106(2007)5)D.G.Zhao,D.S.Jiang,J.J.Zhu,Z.S.Liu,S.M.Zhang,J.W.LiangandHuiYang,“Doesanenhancedyellowluminescenceimplyareductionofelectronmobilityinn-typeGaN?”,J.Appl.Phys.102,113521(2007)6)D.G.Zhao,HuiYang,J.J.Zhu,D.S.Jiang,Z.S.Liu,S.M.Zhang,Y.T.Wang,andJ.W.Liang,“EffectsofedgedislocationsandintentionalSidopingontheelectronmobilityofn-typeGaNfilms”,Appl.Phys.Lett.89,112106(2006)7)D.G.Zhao,D.S.Jiang,HuiYang,J.J.Zhu,Z.S.Liu,S.M.Zhang,J.W.Liang,X.P.Hao,L.Wei,X.Li,X.Y.Li,andH.M.Gong,“EffectoflightlySidopingontheminoritycarrierdiffusionlengthinn-typeGaNfilms”,Appl.Phys.Lett.88,252101(2006)8)D.G.Zhao,D.S.Jiang,HuiYang,J.J.Zhu,Z.S.Liu,S.M.Zhang,J.W.Liang,X.Li,X.Y.Li,andH.M.Gong,“Roleofedgedislocationinenhancingtheyellowluminescenceofn-typeGaN”,Appl.Phys.Lett.88,241917(2006)9)D.G.Zhao,J.J.Zhu,Z.S.Liu,S.M.Zhang,HuiYang,andD.S.Jiang,“SurfacemorphologyofAlNbufferlayeranditseffectontheGaNgrowthbymetalorganicvaporchemicaldeposition”,Appl.Phys.Lett.,85,1499(2004)10)D.G.Zhao,S.J.Xu,M.H.Xie,S.Y.Tong,andHuiYang,“StressanditseffectonopticalpropertiesofGaNepilayersgrownonSi(111),6H-SiC(0001),andc-planesapphire”,Appl.Phys.Lett.83,677(2003)