研究员
韩伟华

　韩伟华，理学博士，研究员，博士生导师，中国微米纳米技术学会会员。　　1998年7月在吉林大学电子工程系获理学硕士学位，主要研究GaAs量子阱超辐射发光二极管与光放大器的单片集成。2001年7月在中国科学院半导体研究所获理学博士学位，主要研究SOI材料的键合理论和技术，并荣获中国科学院宝钢优秀学生奖。2004年3月在日本北海道大学集成量子电子学研究中心完成博士后工作，主要从事了GaAs基单电子晶体管低温探测THz光子的研究工作。2004年4月在中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心任副研究员，主要负责电子束曝光设备的运行和技术培训工作，并作为项目负责人，承担了国家自然科学基金等多项科研任务，完成了硅纳米结构晶体管的研制。2009年1月晋升为研究员，作为项目负责人承担了国家863科研任务，主要从事硅基CMOS神经元电路的开发研制。目前承担国家973课题科研任务，主要从事基于飞秒激光纳米光刻技术的GaN基HEMT器件和量子效应硅纳米线晶体管的研发工作。在Appl.Phys.Lett.,IEEEElectron.DeviceLett.,J.Appl.Phys,《半导体学报》等国内外核心学术期刊发表学术论文50余篇，授权及申请专利19项，参加国内外学术会议20余次。多次作为国家自然科学基金项目评审人，《中国物理快报》、《半导体学报》审稿人等。Email:weihua@semi.ac.cn；办公电话：010-82304360；办公地点：3号楼303室完成/在研主要项目[1]国家自然科学基金课题(No.60506017):SOI衬底上单电子晶体管的研制(2006.1-2008.12)；[2]国家自然科学基金课题(No.60776059):非对称库仑岛串联结构的硅基单电子器件的研究(2008.1-2008.12)；[3]国家863计划课题(No.2007AA03Z303):硅基单电子神经元量子电路的研制(2007.12-2010.11);[4]国家973计划课题(No.2010CB934104):纳米器件制备工艺创新与应用基础研究(2010.1-2014.12)。代表性论著[1]X.M.Li,W.H.Han*,H.Wang,L.H.Ma,Y.B.Zhang,Y.D.DuandF.H.Yang，Low-temperatureelectronmobilityinheavilyn-dopedjunctionlessnanowiretransistor,Appl.Phys.Lett.,Vol.102,p.223507,2013[2]X.M.Li,W.H.Han*,L.H.Ma,H.Wang,Y.B.ZhangandF.H.Yang，Low-TemperatureQuantumTransportCharacteristicsinSingleN-channelJunctionlessNanowireTransistors,IEEEElectronDeviceLetters,Vol.34,No.5,pp.581-583,2013[3]Y.B.Zhang,Y.D.Du,Y.K.Chen,X.M.Li,X.Yang,W.H.Han*,andF.H.Yang,Low-TemperaturePerformanceofAccumulation-Modep-ChannelWrap-GatedFinFETs,JournalofNanoscienceandNanotechnology,Vol.13,No.2,pp.804–807,2013[4]Y.D.Du,H.Z.Cao,W.Yan,W.H.Han*,Y.Liu,X.Z.Dong,Y.B.Zhang,F.Jin,Z.S.Zhao,F.H.Yang,X.M.Duan,T-shapedgateAlGaN/GaNHEMTsfabricatedbyfemtosecondlaserlithographywithoutablation,AppliedPhysicsA:MaterialsScience&Processing,Vol.106,No.3,pp.575–579,2012[5]Y.D.Du,W.H.Han*,W.Yan,X.N.Xu,Y.B.Zhang,H.Z.Cao,F.Jin,X.ZDong,Z.S.Zhao,X.M.Duan,Y.Liu,FemtosecondlaserlithographytechniqueforsubmicronT-gatefabricationonpositivephotoresist,OpticalEngineering,Vol.51,No.05,p.054303,2012.[6]W.H.Han*,Y.Xiong,K.Zhao,Y.B.Zhang,F.H.Yang,AnalogCMOSpulse-coupledneuroncircuitwithmultipath-switchingdevice,IEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitsTechnologyProceedings(ICSICT),XiAn,China,Oct.29-Nov.1,2012,P1-95,.[7]Y.B.Zhang,Y.Xiong,X.Yang,W.H.Han*,F.H.YangOnthedrivecurrentofaccumulation-modep-channelSOIbasedwrap-gatedFin-FETs,JournalofSemiconductors,Vol.32,No.3,p.094001,2011[9]Y.B.Zhang,Y.Xiong,X.Yang,Y.Wang,W.H.Han*,F.HYang,ExperimentalStudyontheSubthresholdSwingofSiliconNanowireTransistors,JournalofNanoscienceandNanotechnology,Vol.10,No.11,pp.7113-7116,2010[10]Y.Xiong,W.H.Han*,K.Zhao,Y.B.Zhang,F.H.Yang，AnAnalogCMOSPulseCoupledNeuralNetworkforImageSegmentation，IEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitsTechnologyProceedings(ICSICT),ShangHai,China,Nov.1-4,2010,pp.1883-1885.发明专利[1]陈艳坤，韩伟华，洪文婷，杨富华.纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法,2013.4,中国，CN201310121314.0[2]韩伟华*，陈燕坤，李小明，张严波，杜彦东，杨富华.硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法,2011,中国,CN201110124310.0[3]张严波,韩伟华,杜彦东,杨香,杨富华.半导体晶体管结构及其制造方法,2011,中国,CN201110241106.7[4]杜彦东,韩伟华,颜伟,张严波,杨富华,SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaNHEMT及其制作方法,2011,中国,CN201110392863.4[5]韩伟华，陈艳坤，李小明，杨富华.高性能聚光硅纳米孔阵列太阳能电池及其制备方法,2011,中国,CN201110435947.1[6]韩伟华，熊莹，张严波，赵凯，杨富华.一种神经元电路中利用时间编码控制权重和信息空间整合的方法,2010,中国,CN201010201589.3[7]熊莹，韩伟华，杨富华.具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络发明,2010,中国,CN201010231216.0[8]颜伟，杜彦东，韩伟华，杨富华.利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法,2010,中国,CN201010605875.6[9]韩伟华,熊莹,赵凯,杨香,张严波,王颖,杨富华.基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,2009,中国,CN200910091405.X