研究员
韦欣

韦欣，男，博士，研究员，研究生导师。
1974年10月生，1995年、1998年分别于吉林大学获半导体物理与半导体器件物理专业学士、硕士学位。2002年于中科院半导体所获得微电子学与固体电子学博士学位。后一直留所工作。其中分别于2004——2005年于日本德岛大学进行博士后研究，2008年7月到2009年6月在美国德克萨斯州立大学奥斯汀分校做访问学者。
目前的研究方向主要包括GaAs、InP与GaSb基光电子器件结构的MOCVD生长和器件制备，尤其是红外波段探测器和激光器、垂直腔面发射激光器的研制和开发，以及表面等离激元在半导体光电子器件中的应用。曾参与多项国家863项目和自然科学基金项目的研究工作。研究内容包括，可见光激光器与发光管、长波长垂直腔面发射激光器、高功率垂直腔面发射激光器、大功率半导体激光器单管和列阵、14XX纳米大功率光纤拉曼放大器泵源等。作为课题组长或实际负责人承担的项目包括：2007~2010，国家自然科学基金重点项目《高功率垂直腔面发射激光器的研制》，项目编号：60636030，副组长和具体负责人；2010~2012，某特殊项目，课题负责人；2010~2012，国家自然科学基金面上基金《表面等离子体调制的单模面发射激光器的研究》，项目编号：60906028，项目负责人；2011~2012，某中国科学院创新基金项目，课题负责人；2012~2016，国家重点基础研究发展计划（973计划）2012年拟立项项目，高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证，项目编号：2012CB619200，子课题负责人。联系方式：E-mail：weix@semi.ac.cn；电话：010-82304183