副研究员
毛旭

毛旭，男，博士，副研究员，硕士生导师。1996和1999年分别在云南大学物理系获得学士和硕士，2006年获中国电子科技集团电子科学研究院物理电子学专业博士学位，2006年至2009年，北京大学微电子研究院微电子学与固体电子学专业博士后，2009年至今在中国科学院半导体研究所开展微机电系统器件、生化传感器和晶圆级低温封装方面工作。长期以来一直从事微机械传感器的研制、封装和测试方面研究。参加新品项目“硅微机械陀螺”成功研制出用于旋转载体的硅微机械陀螺，参加863项目“SOI微机械惯性器件研究”研制出高精度的基于SOI材料微机械加速度计，参加973项目“水环境监测无线网络微传感器芯片系统基础研究”实现谐振器等MEMS器件的圆片级低温气密性键合。“Si基薄膜理论和实验研究”获云南省科学技术奖。申请专利9项，授权专利1项，发表微机械传感器方面的论文30多篇。近期内主要从事：（1）微惯性器件研究（2）微纳光机电研究（3）射频微机电器件研究（4）MEMS/NEMS封装技术的研究承担科研项目：1.国家自然科学基金重点项目：集成微流道及其在肿瘤标志物检测中的应用（2013-2015）2.国家973项目：水环境监测无线网络微传感器芯片系统基础研究（2009-2013）3.重点项目：16×16元光子衰减调光器阵列集成电路研究（2013-2015）4.国家重点实验室开放课题：基于微纳谐振子的高灵敏度原位快速生化检测方法研究（20011-2013）联系方法：电话：（010）82304354，传真：（010）82305141，E-mail：maoxu@semi.ac.cn。近年来代表性文章：1.XuMao，JinlingYang,AnJi,andFuhuaYang，“TwonewmethodstoimprovethelithographyprecisionforSU-8photoresistonglasssubstrate”,J.Microelectromech.Syst.,22,124-130（2013）2.Zhiqiang.Fang,XuMao,JinlingYang,andFuhuaYang“AWafer-LevelSn-RichAu-SnIntermediateBondingTechniquewithHighStrength”,J.Micromech.Microeng.（inrevision）(2013)3.ZhenchuanYang，yuminWei,XuMao,GuizhenYan,Asingle-maskdry-releaseprocessforfabricationofhighaspectratioSOIMEMSdevices,ScienceChina-TechnologicalSciences,56,387-391(2013)4.XuMao,Zhiqiang.Fang,ZheZhang,JinlingYang,ZhimeiQi,andFuhuaYang，“Sn-RichAu-SnHermeticPackagingatWaferLevelandItsApplicationinSPRSensor”,IEEE-NMEM2013,（accepted）(2013)5.XuMao，JinlingYang,AnJi,andFuhuaYang，“TwonewmethodstoimprovethelithographyprecisionforSU-8photoresistonglasssubstrate”,IEEEMEMS2012,Paris,France,Jan.29–Feb.2,337-340（2012）6.XuMao,ZhenchuanYang,ZhihongLi,GuizhenYan,“ASOIMEMSAccelerometerFabricatedwithAnti-FootingTechnique”,NanotechnologyandPrecisionEngineering,8,330-333（2010）7.XuMao,YuminWei,ZhenchuanYang,GuizhenYan,“FabricationofSOIMEMSInertialSensorswithDryReleasingProcess”,IEEESENSORS2009Conference,479-482(2009)8.XuMao,ZhenchuanYang,ZhihongLi,GuizhenYan,“TheMethodofPreventFootingEffectinMakingSOIMicro-mechanicalaccelerometer”,IEEE-NEMS2009,501-504(2009)9.yuminWei,XuMao,ZhenchuanYang，GuizhenYan,“AsinglemaskdryreleasingprocessformakinghighaspectratioSOImemsdevices”,IEEE-NEMS2010,Xiamen,China,（2010）