副研究员
王晓峰

王晓峰，男，博士，副研究员，硕士生导师。
2004年毕业于北京大学微电子所获博士学位，研究方向基于碳纳米管的场效应晶体管。2004年到2008年，韩国水原三星电子半导体研究所，高级工程师。主要从事新型半导体存储器器件及工艺研究。2008年至今任职于中科院半导体所集成中心，从事相变存储器器件及工艺研究。主要研究成果包括：提出基于普通光学光刻和牺牲侧墙工艺制备最小尺寸达17nm的金属电极间隙阵列；基于电子束曝光负胶工艺和剥离工艺制备相变材料纳米线自对准位于电极间隙间的器件结构；基于电子束曝光负胶工艺和剥离工艺制备相变材料量子点自对准位于电极间隙间的器件结构。所报道阈值电流为当时最小。近年来负责和参与了多项国家自然科学基金、863、973等科研项目，在国内外核心期刊发表和合作发表论文多篇余篇，培养博士、硕士多名。
主要研究方向：新型半导体存储器器件及工艺，纳电子学，半导体微纳加工技术，
联系方式：
电话010-82305403，E-mail:wangxiaofeng@semi.ac.cn
主要项目情况：
l、国家自然科学基金青年项目，纳米尺度相变存储器热量调控工程中包裹层机理的器件级研究，30万元,2012年1月至2014年12月。
2、973项目，低维量子结构设计与制备，子课题，120万元，2011年1月至2013年12月。
3、国家自然科学基金重点项目，半导体的几何增强磁电阻研究，子课题，100万元，2013年1月至2017年12月。
代表性论文及专利：
1.“Selectiveandlithography-independentfabricationof20nmnano-gapelectrodesandnano-channelsfornanoelectrofluidicsapplications”.Nanotechnology21(2010)75303(SCI)
2.“Fullylithographyindependentfabricationofnanogapelectrodesforlateralphase-changerandomaccessmemoryapplication”,APL96,2135052010(SCI)
3.“UnderstandingofThermalEngineeringforVerticalNanowirePhase-ChangeRandomAccessMemoryPartiallyWrappedbyLow-ConductivityLayer”,JJAP,51(2012)024302(SCI)
4.“Aself-alignedprocessforphase-changematerialnanowireconfinedwithinmetalelectrodenanogap“,APL,99,173107,2011,(SCI)
5.“Alithography-independentandfullyconfinedfabricationprocessofphase-changematerialsinmetalelectrodenanogapwith16-μAthresholdcurrentand80-mVSETvoltage”,ApplPhysA，DOI10.1007/s00339-012-7083-3(SCI)
6.“ASelf-AlignedProcesstoFabricateMetalElectrode-QuantumDot/Nanowire-MetalElectrodeStructurewith100%Yield”,CHIN.PHYS.LETT.Vol.29,No.9(2012)098102(SCI)
7.“Simpleandlow-costfabricationofametalnanoplugonvarioussubstratesbyelectrolessdeposition”,JournalofSemiconductors，2011，046001(EI)
已授权专利：
1.一种高密度相变存储器的制备方法，ZL.201010139053.3
2.垂直相变存储器的制备方法，ZL.201010113827.5
3.纳流体晶体管的制备方法，ZL.200910237096.2
4.平面相变存储器的制备方法，ZL201010283557.2
5.一种平面相变存储器的制备方法，ZL.201010531375.2
6.平面相变存储器的制备方法，ZL201010520209.2
7.一种相变存储器的制作方法，ZL201010139182.2
8.应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法，ZL200910091406.4
9.一种纳米尺寸相变存储器的制备方法，ZL200810240934.7
10.一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，ZL200810240935.1