研究员
张韵

张韵，男，博士，研究员，硕士生导师，****青年项目引进人才。清华大学电子工程系学士，佐治亚理工学院电子及计算机工程系博士。曾在美国高平（Kopin）半导体公司III-V部门从事研发工作。2012年4月开始在半导体所工作。具备多年GaN、GaAs基器件的设计、制造工艺及器件物理分析经验。
　　2006年至2008年，作为器件制备工艺和设计的主要贡献者，参与美国国防部先进研究项目局（DARPA）在深紫外光电探测器领域的项目“DeepUltravioletAvalanchePhotodetectors(DUVAP)”。在国际上首次提出使用紫外光加强型湿法刻蚀的方法，降低GaN基PIN紫外光雪崩光电二极管（APD）的表面漏电流，进而在GaN体衬底上首次实现了雪崩光电增益超过10⁴（IEEEPhoton.Technol.Lett.19(21),1744–1746,2007）。2008年，再次原创性地提出使用双台面表面耗尽层设计，进一步降低APD的表面漏电，器件在20V反向偏压下暗电流仅有3fA（Appl.Phys.Lett.94(22),221109-1–3,2009），雪崩光电增益在360nm下达到10⁵，在280nm下也达到10⁴。经第三方检测（弗吉尼亚大学Campbell教授实验组），该器件在265nm实现了具备单光子探测能力的盖革模式工作(IEEEPhoton.Technol.Lett.21(20),1526–1528,2009)，性能处于同期世界最好水平。
2008年至2010年，参与完成了DARPA部署在可见光波段激光器领域的项目“VisibleInGaNInjectionLasers(VIGIL)”。利用不到一年的时间，独立开发了一整套InGaN基半导体激光器的制成和测试技术，在同时参与该项目的诸多北美科研机构中，率先在c面GaN体衬底上实现了420nm蓝紫光和460nm蓝光InGaN基半导体激光器的室温连续激射。2011年，通过大量实验数据，首次证实了渐变AlGaN电子阻挡层能够大幅度提升InGaN基蓝光激光器的性能（J.Appl.Phys.109(8),083115-1–5，2011），得到了国际半导体界的广泛重视（SemiconductorToday，May9,2011）。
在光电子器件领域取得了丰硕成果的同时，在GaN基大功率电子器件方面也有丰富的经验和世界领先的成果。2006年至2011年，作为器件制备工艺的主要开发者，参与完成了美国自然科学基金项目“NovelHigh-PerformanceIII-NHBTsforNext-Genegration”。2011年，在蓝宝石衬底上实现了世界上首个最高响应频率（f_T）大于5.3GHz的GaN基射频异质结双极晶体管（HBT），最高功率输出频率（f_max）为1.3GHz（IEEEElectronDeviceLett.32(8),1065–1067，2011）。2012年，在GaN体衬底上达到了141KA/cm²的世界最高电流密度以及3.05MW/cm²的最高功率密度（Phys.StatusSolidiA,209(3),497-500，2012）。
迄今为止已在国际高水平学术期刊发表GaN方面文章20余篇，及40余篇国际会议文章和1项美国专利申请。相关研究成果先后4次被半导体网络杂志SemiconductorToday作为热点报道并获得广泛关注。
主要研究领域或方向：
　　　1.GaN基大功率异质结双极晶体管（HBT）及其在射频电子领域的应用；
　　　2.GaN基大功率高电子迁移率场效应管（HEMT）及其在高效节能的电力电子领域的应用；
　　　3.AlGaN基深紫外半导体激光器（LD）及发光二极管（LED）
　　　4.AlGaN基深紫外雪崩光电二极管（APD）
联系方式：
　　　E-mail：yzhang34@semi.ac.cn；　电话：010-82305494
在研/完成项目：
　　　中组部****青年项目
代表性论文：
1、Y.-C.Lee,Y.Zhang,Z.M.Lochner,H.-J.Kim,J.-H.Ryou,R.D.Dupuis,andS.-C.Shen,"GaN/InGaNheterojunctionbipolartransistorswithultra-highd.c.powerdensity(>3?MW/cm²),"Phys.StatusSolidiA,209(3),497-500(2012).
2、Y.Zhang,T.-T.Kao,J.P.Liu,Z.Lochner,Y.-C.Lee,S.-S.Kim,J.-H.Ryou,R.D.Dupuis,andS.-C.Shen,“Effectsofastep-gradedAl_xGa_1-xNelectronblockinglayerinInGaN-basedlaserdiodes,”J.Appl.Phys.109(8),083115-1–5(2011).
3、Y.Zhang,S.-C.Shen,H.J.Kim,S.Choi,J.-H.Ryou,R.D.Dupuis,andB.Narayan,“Low-noiseGaNultravioletp-i-nphotodiodesonGaNsubstrates,”Appl.Phys.Lett.94(22),221109-1–3(2009).
4、S.Choi,H.J.Kim,Y.Zhang,X.Bai,D.Yoo,J.Limb,J.-H.Ryou*,S.-C.Shen,P.D.Yoder,andR.D.Dupuis,“Geiger-modeoperationofGaNavalanchephotodiodesgrownonGaNsubstrates,”IEEEPhoton.Technol.Lett.21(20),1526–1528(2009).
5、S.-C.Shen,Y.Zhang,D.Yoo,J.-B.Limb,J.-H.Ryou,P.D.Yoder,andR.D.Dupuis,“PerformanceofdeepultravioletGaNavalanchephotodiodesgrownbyMOCVD,”IEEEPhoton.Technol.Lett.19(21),1744–1746(2007).
6、R.D.Dupuis,S.Shen,andY.Zhang,"TreatmentofsurfaceofsemiconductordeviceinvolvesformingetchedsurfacefromcompositioncomprisingnitrideofgroupIIIelement,"US2010072518-A1.