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插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究

中国人民大学 辅仁网/2017-07-03

文献详情
插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究
文献类型:会议
作者:卢仲毅[1]
机构:[1]中国人民大学物理系 北京 100872

年:2011
会议名称:中国物理学会2011年秋季学术会议
会议论文集:中国物理学会2011年秋季学术会议论文集
页码范围:1-1
会议地点:杭州
会议开始日期:2011-09-15
语言:中文
摘要:最近发现的插层三元铁硒超导体AyFexSe2(A=K,Rb,Cs,和/或Tl)显示诸多新颖现象.为了澄清这些现象,我们分别研究了没有铁空位的基于完整四方FeSe 层的AFe2Se2,含有四分之一铁空位的4x2 或2x2 超结构的AFe1.5Se2,以及五分之一铁空位的√5 × √5超结构的A0.8Fe1.6Se2 三种情况下的电子结构和相应的磁构型.
作者其他论文



插层三元铁硒超导体的电子结构和磁性质的理论研究.卢仲毅;闫循旺;高淼,等.物理.2011,40(8),527-534.
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