光浮区法制备高质量锰氧化物单晶
文献类型：会议
作者：夏天龙[1]
机构：[1]中国人民大学物理系
[2]中国人民大学物理系
[3]中国人民大学物理系
[4]中国人民大学物理系
[5]中国人民大学物理系
[6]中国人民大学物理系
[7]中国人民大学物理系
年：2008
会议名称：中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
页码范围：1
会议地点：中国安徽黄山
会议开始日期：2008-07-27
语言：中文
关键词：浮区法;锰氧化物;衍射实验;提拉;可重复性;磁阻;偏光显微镜;铁电性;劳厄;解理;
摘要：利用光学浮区法成功地进行了一系列锰氧化物单晶的制备,其中庞磁阻材料La_(2-2x)Sr_(1+2x)Mn_2O_7实现了掺杂介于0.34—0.46之间不同掺杂程度的高质量生长。对不同的制备条件(气氛,压力,提拉速度等)系统进行了比较,最终实现了这一系列单晶的可重复性制备。获得的单晶生长速度低至3毫米/小时,实现了已有文献中~([1-3])无法实现的制备条件,同时生长的晶体长度介于8-13厘米之间。通过x射线衍射实验表征以及劳厄定向显示制备的单晶自然解理晶面为ab面,偏光显微镜结果显示单相性较好。考虑到多铁电性材料的需要,作者同时也成功的实现了YMnO_3单晶的浮区法制备,相应的表征以及...
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