一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计

张瀚尊¹, 贾嵩^2,?, 杨建成¹, 王源²

1. 北京大学微电子学研究所, 北京 1008712. 北京大学微电子器件与电路重点实验室, 北京 100871

收稿日期:2020-07-08修回日期:2020-12-16出版日期:2021-09-20

A Charge Recycling Scheme with Read and Write Assistfor Low Power SRAM Design

ZHANG Hanzun¹, JIA Song^2,?, YANG Jiancheng¹, WANG Yuan²

1. Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 1008712. Key Laboratory of Microelectronic Devices andCircuits, Peking University, Beijing 100871

Received:2020-07-08Revised:2020-12-16Published:2021-09-20

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摘要/Abstract

摘要： 为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗, 提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列。与传统设计性比, 辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷, 并重新用于下一个周期的位线充电。提出的SRAM存储器采用标准14 nm FinFET spice模型搭建, 电源供电电压为0.8 V。仿真结果表明, 与传统设计相比, 提出的存储阵列的功耗可以降低23％~43％, 并将SNM 和WNM至少提高25％和647.9％。

引用本文

张瀚尊, 贾嵩, 杨建成, 王源. 一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计[J]. 北京大学学报自然科学版, 2021, 57(5): 815-822.
ZHANG Hanzun, JIA Song, YANG Jiancheng, WANG Yuan. A Charge Recycling Scheme with Read and Write Assistfor Low Power SRAM Design[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, 2021, 57(5): 815-822.





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