一种改进的基于人体静电冲击模型应力的瞬态功率模型

曹鑫¹, 曹健^1,†, 王艺泽², 王源², 张兴^1,2,†

1. 北京大学软件与微电子学院, 北京 102600
2. 北京大学微电子学研究院, 北京 100871

收稿日期:2017-11-09修回日期:2018-03-01出版日期:2018-09-20

基金资助:国家自然科学基金(61774005)和北京市自然科学基金(4162030)资助

Improvements on Transient Power Law Model under HBM Stress

CAO Xin¹, CAO Jian^1,†, WANG Yize², WANG Yuan², ZHANG Xing^1,2,†

1. School of Software and Microelectronics, Peking University, Beijing 102600
2. Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871

Received:2017-11-09Revised:2018-03-01Published:2018-09-20

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1. 探讨2016版国际胰瘘研究小组定义和分级系统对胰腺术后患者胰瘘分级的影响.PDF(500KB)

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摘要/Abstract

摘要： 提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model, HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件, 模拟MOS管遭受的HBM应力, 得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明, 两者保持线性关系, 并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比, 改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度, 可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生, 给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。
中图分类号:
-->TP333

引用本文

曹鑫, 曹健, 王艺泽, 王源, 张兴. 一种改进的基于人体静电冲击模型应力的瞬态功率模型[J]. 北京大学学报自然科学版, 2018, 54(5): 946-950.
CAO Xin, CAO Jian, WANG Yize, WANG Yuan, ZHANG Xing. Improvements on Transient Power Law Model under HBM Stress[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis, 2018, 54(5): 946-950.





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