冉广照 教授 教育背景：
研究方向：半导体物理（凝聚态物理与材料物理研究所）
联系方式：传真 **，Email rangz_at_pku.edu.cn
个人主页：http://www.phy.pku.edu.cn/personnel/icmp/rangz.xml
办公地点：



冉广照

教授、博士生导师
通讯地址：北京大学物理学院，邮编：100871
电子信箱：rangz@pku.edu.cn
传真：

主讲课程：半导体激光物理学
近代物理实验
主研究方向分子半导体：材料，器件及物理
纳米半导体：材料，器件及物理
硅光子学：硅基发光与激光
主要获奖：2005年 北京市科学技术一等奖（排名三）
2007年 国家自然科学二等奖 （排名二）项目：氧化硅纳米硅体系的发光及物理机制
代表论文：Zhao WQ, Ran GZ, Xu WJ, et al.Passivated p-type silicon: Hole injection tunable anode material for organic light emission, APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 073303 Published: FEB 18 2008
Ran GZ, Wu ZL, Ma GL, et al. Improvement of the charge imbalance caused by the use of a p-type silicon anode in an organic light-emitting diode CHEMICAL PHYSICS LETTERS 400, 401-405 DEC 21 2004
Ran GZ, Chen Y, Qin WC, et al.Room-temperature 1.54 um electroluminescence from Er-doped silicon-rich silicon oxide films deposited on n(+)-Si substrates by magnetron sputtering JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90, 5835 DEC 1 2001