ShiJJ
澳大利亚Macquarie大学博士（2000年）
凝聚态理论（凝聚态物理与材料物理研究所）
电话 **，传真 **，Email jjshi_at_pku.edu.cn
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e-mail:jjshi@pku.edu.cn
个人简历
2. 硕士学位 (北京，中国科学院物理研究所，1992年)
3. 学士学位 (河南师范大学物理系，1983年)
2. 2000.6--2001.6: 博士后，香港科技大学物理系
3. 1999.12--2000.5: 博士后，澳大利亚Macquarie 大学物理系
4. 1997.2--1999.12: 博士研究生，Macquarie大学物理系
5. 1993.11--1997.1: 1993年11月被河南省人民政府破格晋升副教授，硕士研究生导师，
河南师范大学物理系
6. 1992.2--1993.10: 讲师，河南师范大学物理系
7. 1989.9--1992.1: 硕士研究生，中国科学院物理研究所
2. 计算物理
3. 低维半导体物理
4. 半导体光学和电子学
Hartree--Fock 理论，有限元方法，有限差分方法等。
1. 国家自然科学基金面上项目“无序对InGaN量子阱/纳米线异常发光性质的影响”。
2. 国家自然科学基金重大研究计划项目“无序对石墨烯体系中电子结构和量子效应的影响”。
3. 国家科技部973项目“全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用”。
欢迎对以上工作感兴趣的有志青年学生（者）报考我的博士研究生或做博士后研究。
研究生培养共招收指导研究生16名（博士生4名，硕士生12名）。目前有2名博士和1名硕士研究生在读。
毕业的研究生主要在美国、加拿大、英国等国继续攻读学位或工作，部分在国内高校或研究所工作。
审稿专家Adv. Mater., Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, J. Appl. Phys.等国际、国内十多种重要SCI刊物审稿专家。
主要研究成果列举给出了量子阱中电子扩展态波函数与态密度的正确表达式，是对现有量子力学教科书的有益补充[Phys. Rev. B 55, 4670 (1997); Z. Phys. B 102, 207 (1997)]；
指出纤锌矿氮化物半导体量子异质结构存在五种光学声子模：传播模、准受限模、界面模、半空间模和严格受限模[Phys. Rev. B 68, 165335 (2003); Phys. Rev. B 70, 115318 (2004); Eur. Phys. J. B 44, 401 (2005)]；
讨论了InxGa1-xN类量子点的空间受限与强压电场这一对相互矛盾的因素对激子态和光学性质的影响[J. Appl. Phys. 94, 407 (2003); J. Appl. Phys. 97, 083705 (2005)]；
基于第一性原理计算，我们发现：In原子在InGaN合金中更倾向于均匀分布（体系能量最低）；由于小的能量差（与In均匀分布相比），体系也可以存在由少数In-N原子形成的“小原子团簇”或短的“In-N-In-N-…”原子链；价带顶的价电子高度局域在由少数In-N原子形成的“小原子团簇”周围。正是这些高度局域的价电子显著改进InGaN合金材料的发光效率[Acta Materialia 59, 2773 (2011); Phys. Lett. A 374, 4767 (2010)]；
基于第一性原理计算，我们首次研究了4H-SiC:Al玻璃态铁磁性的物理起因。我们发现4H-SiC中碳空位缺陷的形成能被掺杂的Al原子显著降低。AlSi-VC复合缺陷在SiC带隙中诱导一个半满的窄a1能级，它贡献1μB的净局域磁矩。沿不同的方向，交换参数J既可以取正值，也可以取负值。正是J的强各向异性和a1能级的关联效应直接导致4H-SiC:Al玻璃态铁磁性[Phys. Lett. A 374, 3230-3233 (2010)]；
基于第一性原理计算，我们研究了富Ga的锯齿型InGaN纳米管电子结构和光学性质。结果表明：在InGaN纳米管中，In原子无规替换Ga原子，一些典型的小In-N团簇，短In-N-链和In-N环能够随机形成。电子结构和光学性质不灵敏地依赖于In原子分布。在价带顶和导带底附近有尖的态密度峰，复介电函数的虚部也有一个与带边跃迁密切相关的尖峰。In掺杂能够有效调整带隙、增加带边吸收峰和态密度[J. Phys. Chem. C 114, 21943-21947 (2010)]。
代表性论文
Zhi-qiang Bao, Jun-jie Shi, Mao Yang, Shuai Zhang and Min Zhang, “Magnetism induced by D3-symmetry tetra-vacancy defects in graphene”, Chem. Phys. Lett. 510, 246-251 (2011).
Shuai Zhang, Jun-jie Shi, Shang-guo Zhu, Fei Wang, Mao Yang, and Zhi-qiang Bao, “Indium distribution and light emission in wurtzite InGaN alloys: Several-atom In-N clusters”, Phys. Lett. A 374, 4767-4773 (2010).
Mao Yang, Jun-jie Shi and Min Zhang, “Electronic Structures and Optical Properties of Ga-Rich InxGa1-xN Nanotubes”, J. Phys. Chem. C 114, 21943-21947 (2010).
Mao Yang and Jun-jie Shi, “Glassy Ferromagnetism in Al-Doped 4H-SiC: AlSi-VC Complexes”, Phys. Lett. A 374, 3230-3233 (2010).
Jun-jie Shi, “Interface optical-phonon modes and electron-interface-phonon interactions in wurtzite GaN/AlN quantum wells”, Phys. Rev. B 68, 165335 (2003).
Jun-jie Shi, Xing-li Chu, and E.M. Goldys, “Propagating optical-phonon modes and their electron-phonon interactions in wurtzite GaN/AlxGa1-xN quantum wells”, Phys. Rev. B 70, 115318 (2004).
Jun-jie Shi and Zi-zhao Gan, “Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization on localized excitons in self-formed InGaN quantum dots”, J. Appl. Phys. 94, 407-415 (2003).
Li Zhang, Jun-jie Shi, and T.L. Tansley, “Polar vibration spectra of interface optical phonons and electron-interface optical phonon interactions in a wurtzite GaN-AlN nanowire”, Phys. Rev. B 71, 245324 (2005).
Jun-jie Shi, Cong-xin Xia, Shu-yi Wei, and Zi-xin Liu, “Exciton states in wurtzite InGaN strained coupled quantum dots: Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization”, J. Appl. Phys. 97, 083705 (2005).
