沈波 教授 教育背景：日本东北大学博士（1995年）
研究方向：宽禁带半导体（凝聚态物理与材料物理研究所）
联系方式：电话 **，传真 **，Email bshen_at_pku.edu.cn
个人主页：http://www.phy.pku.edu.cn/personnel/icmp/bshen.xml
办公地点：
教授、博士生导师、****、国家杰出青年基金获得者个人简历1963年7月出生于江苏省扬州市；
通讯地址：北京大学物理学院，邮编：100871
电子信箱：bshen@pku.edu.cn
电话：; 传真：
1985年7月毕业于南京大学物理系半导体专业，获学士学位；
1988年7月毕业于中国科技大学物理系半导体专业，获硕士学位；
1995年3月毕业于日本东北大学材料科学研究所 (IMR)，获博士学位；
2000年晋升教授；
2003年获国家杰出青年科学基金；
2004年聘为教育部长江特聘教授
曾任日本东京大学产业技术研究所 (IIS) 客座研究员、东京大学先端科技研究中心(RCAST) 客座教授、 日本千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所(AIST)访问教授。
主要研究领域：
（一）宽禁带半导体量子结构材料与器件,主要研究内容包括：III族氮化物半导体异质结构和量子阱的外延生长和缺陷控制，
（二）宽禁带半导体低维物理
III族氮化物半导体功率电子器件与器件物理，
III族氮化物半导体深紫外发光材料和器件，
新型半导体低维结构的量子输运和自旋性质
主要学术成就：1995年迄今一直从事III族氮化物 (又称GaN基) 宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基异质结构MOCVD外延生长，强极化、高能带阶跃氮化物半导体载流子输运性质，GaN基功率电子器件研制等方面取得在国内外同行中有一定影响的重要进展；近年来带领其课题组在AlInN/GaN晶格匹配异质结构和Si衬底GaN基异质结构MOCVD外延生长，AlGaN基深紫外发光材料与器件，InGaN基材料MBE外延生长和p型掺杂、GaN基异质结构二维电子气自旋性质等方面取得了一系列进展。先后主持和作为核心成员参加国家973计划项目，国家863计划项目，国家自然科学基金重大、重点项目，教育部、北京市重点项目，以及军口项目等20多项科研课题，发表SCI收录论文200多篇，论文被引用2200多次，先后在国内外学术会议上做邀请报告20多次，获得/申请国家发明专利近30件，先后获国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。多次担任国际学术会议顾问委员会、程序委员会、组织委员会主席和委员，是国内多个国家重点实验室、科学院重点实验室和国防重点实验室学术委员会委员。现担任北京大学理学部副主任、国家973计划项目首席科学家、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项实施方案编制专家组和总体专家组成员、以及多个国家重点研发专项项目咨询专家组组长和委员。
