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通讯地址：北京交通大学 光电子技术研究所 邮编：100044

教育背景 1995年7月于中国科学院长春光学机密机械与物理研究所获得博士学位，1997年7月于复旦大学表面物理国家重点实验室博士后出站，1997年7月至今在北京交通大学作副教授和教授，其间先后在1998年4月—1999年4月于香港科技大学作高访，2001年7月—2002年8月于日本北海道大学作研究员。
工作经历
研究方向 光电功能材料与器件物理
发光、显示与新能源技术
光学工程(专业学位)
光学
招生专业 物理学硕士
光学工程硕士
物理学博士
科研项目 国家自然科学基金“面上”：非晶态金属氧化物透明TFT的研究，2014-01-01--2017-12-31，80.0万元，主持
国家自然科学基金“面上”：p型氧化物透明薄膜晶体管的研制，2013-01-01--2016-12-31，86.0万元，参加
科技部“973”：石墨烯的可控制备、物性与器件研究，2011-01-01--2012-12-31，263.0万元，参加
红果园：国防基础科研，2011-01-01--2012-12-31，275.0万元，参加
基本科研业务费：聚合物光电材料和器件，2010-01-01--2012-12-31，36.0万元，参加
国家自然科学基金“面上”：有机/ZnMgO复合薄膜结构新型紫外探测器的研究，2010-01-01--2012-12-31，35.0万元，主持
北京市自然基金“面上”：新型ZnO基合金薄膜紫外探测器的研制，2009-01-01--2011-12-31，12.0万元，主持
红果园：国防预研专项，2008-01-01--2009-12-31，180.0万元，参加
校科技基金：新型ZnO基合金薄膜紫外(日盲)探测器的研制，2007-01-01--2009-12-31，20.0万元，主持
北京市科委：新型高密度光存储材料的制备与应用研究，2006-09-30--2008-12-30，60.0万元，参加
国家自然科学基金“重点”：高质量氧化锌单晶薄膜的界面工程和能带工程及其光电子器件应用，2006-01-01--2009-12-31，25.0万元，主持
教育部：高对比度电致发光显示屏，2005-01-01--2007-12-31，15.0万元，参加
国家自然科学基金：锌铅钡氧化物等薄膜及其量子阱的MBE生长和特性研究，2005-01-01--2007-12-30，25.0万元，主持
教育部：ZnO薄膜的制备及其激光特性的研究，2003-12-12--2004-12-30，3.0万元，主持
教育部：新型光存储材料和器件的集成，2003-05-01--2005-04-01，20.0万元，参加
教育部：教育部跨世纪人才基金--彩色电致发光显示屏试制，2000-03-12--2002-10-12，30.0万元，参加
北京交通大学：长余辉发光材料及电致发光软屏技术的研究与开发，2000-05-01--2005-05-01，13.0万元，参加
教育部：陶瓷铝合金摩擦制动材料及其在高速铁路中的应用研究，2000-01-31--2001-12-31，36.0万元，参加
国家自然科学基金：ZnCdSe量子点的分子束外来延生长及激子特性研究，1997-01-01--1999-12-01，10.0万元，主持
教学工作 本科生：发光学
硕士：半导体光学性质
博士：纳米结构与低维物理
论文/期刊 Zuofu Hu, Zhenjun Li, Lu Zhu,Fengjuan Liu, Yanwu Lv, Xiqing Zhang and Yongsheng Wang, Narrow-band ultraviolet photodetector based on MgZnO and NPB heterojunction , Optics Letters, 37（2012）3072
F. J. Liu, Z. F. Hu, L.Zhu, Z. J. Li, H. Q. Huang, J.W. 5 Zhao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang，Solar-Blind Photoresistors Based on Mg_0.48Zn_0.52OThin Films Grown on r-Al₂O₃ Substrates by Radio-FrequencyPlasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy，IEEE Transactions onelectron devices，59(2012)1970
Zhenjun Li, Zuofu Hu, LiJiang, Haiqin Huang, Fengjuan Liu, Xiqing Zhang, Yongsheng Wang, Penggang Yin ,Lin Guo, Nanoporous ZnO film grown on sapphire by chemical vapor deposition, Materials Letters 79 (2012) 209–211
F.J.Liu, Z.F. Hu, J. Sun, Z.J. Li, H.Q. Huang, J.W. Zhao, X.Q. Zhang, Y.S. Wang，Ultraviolet photoresistors based on ZnO thin filmsgrown by P-MBE, Solid-State Electronics,68(2012)90
Jian-WeiZhao, Jian Sun, Hai-Qin Huang, Feng-Juan Liu, Zuo-Fu Hu, Xi-Qing Zhang，Effectsof ZnO buffer layer on GZO RRAM devices, Applied Surface Science, 258(2012)4588
Zhenjun Li, Zuofu Hu,Fengjuan Liu, Haiqin Hang, Xiqing Zhang，Yongsheng Wang, Lateral growth and optical propertiesof ZnO microcrystal on sapphire substrate, Opticalmaterials, 34(2012)1908
Zhenjun Li, Zuofu Hu, LiJiang, Haiqin Huang, Fengjuan Liu, Xiqing Zhang, Yongsheng Wang, Synthesis andoptical properties of three-dimensional nanowall ZnO film prepared byatmospheric pressure chemical vapor deposition, Applied Surface Science,258 (2012)10175-10179
Zhao Jian-Wei, Liu Feng-Juan, Huang Hai-Qin, Hu Zuo-Fu, andZhang Xi-Qing，Effects of substratetemperature on ZnO-based resistive random access memory devices, Chinese Physics B，21（2012）065201
DAI Qian, ZHU Lu, SUN Jian,ZHANG XiQing & WANG YongSheng，Organic photodetectors basedon transparent electrodes for application in ultraviolet light detection，Science China, 55(2012)1551
Jianwei Zhao ,Fengjuan Liu, Jian Sun,Haiqin Huang, Zuofu Hu , and Xiqing Zhang*，Low power consumption bipolar resistive switching characteristics ofZnO-based memory devices, Chin. Optics Lett.,10 (2012) 013102
L. Zhu,W. Sh. Wang, Zh. G.Yao, X. Q. Zhang, and Y. S. Wang , Ultraviolet Photodetectors With Narrow-BandSpectral Response Using TAPC Donor, IEEE Transactions on Electron Devices，59(2012) 3583
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Lu Zhu, Qian Dai, Zuo-fuHu, Xi-qing Zhang, and Yong-sheng Wang， Organic Deep Ultraviolet Photodetector With ResponsePeak Focusing on 270 nm Using the Acceptor BAlq, IEEE Photonics Technology Lett., 23（2011）1835
Zhenjun Li, Zuofu Hu,Fengjuan Liu, Jian Sun, Haiqin Huang, Xiqing Zhang, Yongsheng Wang, High quality hexangular ZnO crystals grown by chemicalvapor deposition，Materials Letters, 65 (2011) 809
H.Q.Huang, F.J. Liu, J. Sun, J.W. Zhao, Z.F. Hu, Z.J. Li, X.Q. Zhang, Y.S. Wang, Effectof MgO buffer layer thickness on the electrical properties of MgZnO thin filmtransistors fabricated by plasma assisted molecular beam epitaxy, Applied Surface Science, 257(2011) 10721
Fengjuan Liu, Rui Zhang,Zuofu Hu, Jian Sun, Haiqin Huang, Zhenjun Li, Jianwei Zhao, Penggang Yin, LinGuo, Xiqing Zhang, and Yongsheng Wang, Structural and optical properties ofnon-polar (11-20) ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy, IEEETransactions on Plasma Science, 39(2011)700
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SUN Jian, DAI Qian, LIU FengJuan,HUANG HaiQin, LI ZhenJun, ZHANG XiQing* & WANG YongSheng, Ultraviolet photoconductive detector based onAl-doped ZnO thin film with fast response，Science China（Physics, Mechanics & Astronomy）, 54（2011）102
HUANGHai-Qin, SUN Jian, LIU Feng-Juan, ZHAO Jian-Wei, HU Zuo-Fu, LI Zhen-Jun, ZHANGXi-Qing, WANG Yong-Sheng, Characteristics and Time-Dependent Instability ofGa-Doped ZnO Thin Film Transistor Fabricated by Radio Frequency MagnetronSputtering, Chin. Phys. Lett. 28(2011) 128502
Jian Sun, Kuanjun Peng, LuZhu, Zuofu Hu, Qian Dai, Xiqing Zhang, and Yongsheng Wang, Ultravioletphotodetector with bandpass characteristic based on a blend of PVK and PBD, Chin. Optics Lett., 9(2011) 052501
Q. Dai and X. Q. Zhang, High-responseultraviolet photodetector based on NPB and PBD, Optics Express, 18（2010）11821
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Z.G. Yao, X.Q.Zhang, Ikuo. Suemune, S.H. Huang, Room-temperature stimulated emission fromZnO thin films grown by radio-frequency magnetron sputtering, J. Lumin., 122-123（2007）825
X.Q. Zhang, Z. G. Yao, and S. H. Huang, Intrinsic excitontransitions in high-quality ZnO thin films grown by plasma-enhancedmolecular-beam epitaxy on sapphire substrates, J. Appl. Phys. 99 (2006) 063709
Peng Du, XiqingZhang, Xuebai Sun, and Yongsheng Wang，n-typeZnS used as electron transport material in organic light-emitting diodes,Chin.Phys. 15(2006)1370
Yao Zhi-Gang, ZhangXi-Qing, Shang Hong-Kai et al, Lasing action of ZnO thin film grown byradio-frequency magnetron sputtering, Chin. Phys., 14(2005)1205
D.D. Wang, Y.S. Wang, X.Q. Zhang, Z.Q. He, L.X. Yi, L.E. Deng, C.X. Zhang, X. Han, Enlargementof complete two-dimensional band gap by using photonic crystal heterostructure, Appl. Phys. B, 340(2005)1882
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D. P. Xiong，X. Q. Zhang et al, Optical properties of ZnO thin films deposited by rf sputteringon SiO₂ substractes. Chin Opt. Lett 2 (2004)179
X.Q. Zhang, Ikuo Suemune et al, Surface-emitting stimulatedemission in high-quality ZnO thin films, J. Appl. Phys., 96(2004)3733
X.Q. Zhang, ZK Tang et al, Second harmonic generation inself-assembled ZnO microcrystallite thin films, Thin Solid Films 250 (2004)320
X.Q. Zhang, Z. K. Tang, A. Ohtomo, and H. Koinuma,Opticalgain in second harmonic generation in self assembled ZnO microcrystannite thinfilms J. Crystal Growth 259(2003) 286
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X.Q. Zhang, S. Ganapathy, I. Suemune et al, Improvement ofInAs quantum-dot optical properties by strain compensation with GaNAs cappinglayers, Appl. Phys. Lett. 83(2003) 4524.
Sasikala Ganapathy, X.Q. Zhang, Ikuo Suemune et al, GaNAs as Strain Compensating Layer for 1.55_mLight Emission from InAs Quantum Dots, Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 5598.
X.Q. Zhang, Sasikala Ganapathy, Ikuo Suemune et al,Photoluminescence study of InAs quantum dots embedded in GaNAs straincompensating layer grown by metalorganic-molecular-beam epitaxy, J. Appl.Phys. 92(2002) 6813.

专著/译著

专利 1．张希清,李彬,王海龙,周东站,彭云飞,高耸,衣立新,王永生，一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法（2013 1 **.5）
2．张希清,周东站,王海龙,李彬,高耸,彭云飞,王永生，一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法（2013 1 **.X）
3．张希清等MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法（8.2）
4．张希清等，MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法（18）
5．代千张希清等一种基于NPB和BND的紫外光探测器(ZL7.6)
6．张希清 孙 建 黄海琴 刘凤娟 胡佐富 赵建伟，在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法（ZL2.8）
7．张希清 刘凤娟 孙 建 黄海琴 姚志刚 王永生，光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法（ZL9.5）
8．张希清 刘凤娟 孙 建 黄海琴 姚志刚 王永生，在SiO₂衬底上生长ZnO薄膜的方法 （ZL0.8）
9．张希清 姚志刚 杜鹏，一种有机薄膜电致发光器件（ZL 2.2）
10．张希清 王丽 姚志刚，新型有机薄膜电致发光器件（ZL2.0）
11．张希清 徐征 王永生，多层有机薄膜电致发光器件（ZL 6.2）
12．张希清 王丽 姚志刚，一种有机薄膜电致发光器件（ZL 3.5）


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