删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

248 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展

本站小编 Free考研考试/2022-01-01

魏孜博1,2, 马文超1,2, 邱迎昕1,2
1. 中国石油化工股份有限公司 北京化工研究院 燕山分院, 北京 102500;
2. 橡塑新型材料合成国家工程研究中心, 北京 102500
2019-10-28 收稿, 2019-12-10 录用
基金项目: 中石化总部项目(G3365-2019-Z1912)
*通讯作者: 魏孜博

摘要: 综述了用于248 nm化学增幅型深紫外光刻胶的不同种类和结构的成膜树脂,以及所使用单体的研发进展,包括聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物、聚对羟基苯乙烯及其衍生物、N取代的马来酰亚胺衍生物,以及其他聚合物等,对不同结构成膜树脂的曝光条件、对光刻胶性能的影响进行了介绍。
关键词: 光刻胶成膜树脂化学增幅型曝光
Development of Matrix Resins for 248 nm Deep UV Photoresist
WEI Zibo1,2, MA Wenchao1,2, QIU Yingxin1,2
1. Yanshan Branch, Sinopec BRICI, Beijing 102500, P. R. China;
2. Rubber and Plastic Synthesis National Engineering Research Center, Beijing 102500, P. R. China

Abstract: Different kinds of matrix resins and structures used in 248 nm chemically amplified deep UV photoresist were summarized, including poly(methyl methacrylate) and its derivatives, poly(p-hydroxystyrene) and its derivatives, N-substituted maleimide derivatives and other polymers, and the influences of the structure and exposure conditions of film-forming resins or monomers on photoresist properties were discussed.
Key words: photoresistmatrix resinchemical amplificationexposure
1 引言光刻胶又称作光致抗蚀剂[1],广义上是指经过不同波长的光或电子束、离子束、X射线等照射或辐射后,在曝光区域发生交联或降解,从而改变其在显影液中的溶解度和亲疏水性的混合物。根据曝光后在显影液中溶解度的变化情况,可分为正型光刻胶(光降解型,所得图形与掩膜版相同)和负型光刻胶(光交联型,所得图形与掩膜版相反)。光刻胶的主要成分包括成膜树脂、感光剂、阻溶剂、溶剂和添加剂等。成膜树脂作为其中重要的组成部分,关系到光刻胶整体的性能。随着光刻工艺的曝光波长由紫外光向单波长的G线(435 nm)和I线(365 nm)发展,再到目前的深紫外[2]乃至下一代的曝光技术(极紫外、电子束等),不同的曝光波长对应的成膜树脂被逐步开发出来,其中,基于氟化氪(KrF)准分子激光光刻技术的248 nm光刻胶逐渐被应用于各个领域。
248 nm光刻胶为化学增幅型光刻胶。化学增幅型由日本科学家Ito首次提出[3],其特点是在光刻胶中加入光致产酸剂,在光辐射下分解产生H+,在后烘过程中,H+可以催化成膜树脂主链上的保护基团脱除(正型光刻胶),或者催化交联剂与树脂发生交联(负型光刻胶),在脱去保护基团反应或交联反应之后, H+会被重新释放,继续起催化作用。产酸剂的存在大大降低了曝光所需的能量,大幅提高了光刻胶的光敏性。其机理如图 1所示。
图 1
图 1 化学增幅型光刻胶光化学反应示意图

248 nm光刻胶的研究始于20世纪90年代,由于之前使用的酚醛树脂-重氮萘醌体系在248 nm处有强的非光漂白性吸收[4],光敏性很差,无法继续应用于248 nm光刻工艺中。因此,人们后续开发了其他几种体系的成膜树脂。
2 248 nm深紫外光刻胶成膜树脂2.1 聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物由于聚甲基丙烯酸甲酯不含芳环,在248 nm处透明度高,是最早应用于成膜树脂的一类化合物[5],但是由于其通过主链断裂成像,需要曝光能量较高,在化学增幅技术引入之前限制了其应用。随着化学增幅技术的引入,通过取代改性侧链接上各种基团,合成了一系列聚甲基丙烯酸甲酯的衍生物类成膜树脂。例如:1997年,Kim等[6]以己内酰胺与乙炔反应引入双键,再通过与二碳酸二叔丁酯反应引入t-BOC(叔丁氧羰基)保护基团,制备248 nm化学增幅型光刻胶成膜树脂。该树脂在248 nm时吸光度为0.018 μm-1,具有良好的光透过性,在22 mJ/cm2的曝光能量下得到的图形分辨率为0.6 μm。后来,为了克服后烘过程中H+向未曝光区域扩散影响其分辨率,在t-BOC保护的聚己内酰胺中引入甲基丙烯酸叔丁酯,在25 mJ/cm2能量下曝光,得到图形分辨率为0.3 μm[7]。其结构如图 2所示。
图 2
图 2 聚[3-(t-叔丁基羰基)-1-乙烯基几内酰胺-co-甲基丙烯酸叔丁酯]结构

聚甲基丙烯酸酯由于其不含芳环,在等离子体作用下容易断裂,造成其作为成膜聚合物的抗干法腐蚀性差,限制了其应用[8],在实际使用中多与其他单体以共聚物的形式使用[9-11]
2.2 聚对羟基苯乙烯及其衍生物聚对羟基苯乙烯具有良好的紫外光透过能力。由于其结构含有大量苯环,使得其抗蚀刻能力强,因此成为248 nm光刻胶成膜树脂的理想材料[12, 13],也是目前研究、生产和使用最多的一类化合物。早期,为了增加显影时的溶解度,合成的聚对羟基苯乙烯衍生物为t-BOC基团全保护。但是这种聚合物亲油性太强,存在膜易脆裂、与硅片附着力较差、在后烘过程中尺寸易收缩等问题。为解决上述问题,随着对此体系的不断深入研究,人们发现t-BOC基团部分保护就能够降低在显影液里的溶解性,并且改善了全保护的聚对羟基苯乙烯存在的缺点。商品化的248 nm光刻胶多采用t-BOC基团部分保护的对羟基苯乙烯与其他树脂的共聚物作为成膜树脂[14, 15]。一些已经公开的聚合物结构如图 3所示,主要包括聚对羟基苯乙烯与其衍生物的共聚物、聚对羟基苯乙烯-聚丙烯酸酯共聚物、聚对羟基苯乙烯-N-马来酰亚胺共聚物等[16-20]。所取代的保护基团除t-BOC外,已经报道的主要有缩醛[21]、缩酮、呋喃基[22]、乙烯基乙基、硅烷基[23]、苯并噁嗪[24]、内酯基[25, 26]、萘羰基[27],此外还有醚类与酚羟基形成的缩醛保护基[28]。此外,也有从聚合物链结构方向进行改性的报道,如支化型聚羟基苯乙烯共聚物等[29]。DiPietro等[30]通过对羟基苯乙烯与2,2-二甲基-5-(4-乙烯基苯基)-1, 3-二氧六环-4, 6-二酮共聚,等到的成膜树脂用于248 nm光刻胶,分辨率达到0.15 μm。
图 3
图 3 部分含有对羟基苯乙烯单体结构的成膜树脂

2.3 N取代的马来酰亚胺衍生物近年来,对N取代马来酰亚胺类产品的研究成为新的热点[8],如N-苯基马来酰亚胺、N-(p-羟基苯基)马来酰亚胺、N-环己基马来酰亚胺等,结构如图 4所示。N-取代马来酰亚胺类共聚物具有较高的玻璃化转变温度、良好的透明性、热稳定性、低吸水性等优良性质,被用来与其他烯烃类共聚,作为光刻胶成膜树脂材料使用[20, 31-33]。Turner等[34]制备了一系列烯烃与N取代马来酰亚胺衍生物的交替共聚物,并对它们的性质进行表征,结果显示,这些共聚物普遍具有较高的Tg(>200 ℃),热稳定性较好,可用于耐高温光刻胶成膜树脂。
图 4
图 4 常用的几种N-取代马来酰亚胺单体

2.4 合成方法及其他聚合物目前,248 nm光刻胶用成膜树脂以上述三类化合物为主,其中使用最广泛的是聚对羟基苯乙烯的衍生物。为了得到更好的综合性能,这三类化合物经常采用多类单体进行共聚,多使用自由基聚合。如,刘建国等[5]使用对特丁氧基苯乙烯与N-羟基-5降冰片烯-2, 3-二甲基酰亚胺甲基丙烯酸酯,通过自由基共聚得到树脂,其性能较好,满足了248 nm光刻胶成膜树脂的需要;徐文佳等[35]使用丙烯酸酯类单体与对乙酰氧基苯乙烯共聚,得到的光刻胶玻璃化转变温度升高,分辨率可达0.5 μm;Zheng等[36]采用自由基聚合,使用多种单体合成了星形聚合物应用于248 nm光刻胶。除了传统的自由基聚合方法,近年来有RAFT聚合的报道,Li等[37]使用四甲基丙烯酸酯的衍生物作为单体,采用RAFT聚合,得到的聚合物可以作为KrF光刻胶的树脂使用。
近两年,KrF光刻领域的研究多集中于光刻技术的改进[38]、基材表面处理[39]和新的光产酸剂[40]等,对于成膜聚合物结构的报道较少,主要是将聚合物中引入杂原子化合物[41]、无机纳米粒子[42]、生物活性基团[43]等方面。虽然这些聚合物目前并没有商业化应用,却为248 nm光刻胶成膜聚合物乃至光刻胶用树脂的发展提供了新的思路。
3 总结与展望目前,国内光刻胶的研发水平与国际相比大约差3代以上,光刻胶制造中,配方技术、超洁净技术、超微量分析技术,以及应用检测等关键技术都具有较高的门槛。国内在本领域的研发机构主要为大学和研究所,专门研发和生产光刻胶的企业较少。目前,248 nm光刻胶在国外已是较为成熟的产品,但在中国只有科华和南大光电能提供部分产品,剩余需求只能通过进口满足,这成为制约我国在高端LCD和半导体行业发展的瓶颈,因此,研发性能优良、低成本的248 nm光刻胶的成膜聚合物,生产出性质稳定、能产满足市场需求的光刻胶产品,是对未来国内相关研究机构和企业提出的迫切要求。

参考文献
[1] 庞玉莲, 邹应全. 光刻材料的发展及应用[J]. 信息记录材料, 2015, 16(1): 36-51.
Pang Y L, Zou Y Q. Development and Application of Lithography Materials[J]. Information Recording Materials, 2015, 16(1): 36-51. DOI:10.3969/j.issn.1009-5624.2015.01.009
[2] Bruning J H. Optical lithography-thirty years and three orders of magnitude:the evolution of optical lithography tools[J]. Proceedings of SPIE, 1997, 3049: 14-27. DOI:10.1117/12.275825
[3] Ito H. Chemical amplification resists:Inception, implementation in device manufacture, and new developments[J]. Journal of Polymer Science Part A Polymer Chemistry, 2003, 41(24): 3863-3870. DOI:10.1002/pola.10963
[4] Sturtevant J L, Conley W E, Webber S E. Photosensitization in dyed and undyed APEX-E DUV resist[C]. Advances in Resist Technology and Processing XIII. International Society for Optics and Photonics, 1996-6-14.
[5] 刘建国, 蒋明, 曾晓雁. 一种248 nm光刻胶成膜树脂的合成及相关性能研究[J]. 影像科学与光化学, 2013, 31(5): 349-360.
Liu J G, Jiang M, Zeng X Y. Research on the synthesis and properties of a matrix resin to be used for 248 nm photoresist[J]. Imaging Science and Photochemistry, 2013, 31(5): 349-360.
[6] Kim J B, Jung M H, Chang K H. Synthesis and polymerization of 3-(t-butoxycarbonyl)-1-vinylcaprolactam and application as deep UV resists[J]. Polymer Bulletin, 1997, 38(3): 241-247. DOI:10.1007/s002890050044
[7] Kim J B, Choi J H, Kwon Y G, et al. Acid diffusion control in chemically amplified resists[J]. Polymer, 1999, 40(4): 1087-1089.
[8] 冯波, 艾照全, 朱超. 光刻胶成膜树脂的研究进展[J]. 粘接, 2015, 2: 78-81.
Feng B, Ai Z Q, Zhu C. Research progress of matrix resin for photoresist[J]. Adhension, 2015, 2: 78-81.
[9] 刘敬成, 李虎.一种基于RAFT聚合法制备248 nm深紫外光刻胶成膜树脂[P].中国专利, CN105237669B.2018-5-11.
Liu J C, Li H. Preparation of 248 nm deep ultraviolet photoresist film forming resin based on RAFT polymerization method[P]. Chinese patent, CN105237669B.2018-5-11.
[10] 冉瑞成, 沈吉.含倍半萜内酯成膜树脂及其正性248 nm光刻胶[P].中国专利, CN104592436B. 2018-5-8.
Ran R C, Shen J. Sesquiterpene lactone-containing film-forming resin and positive 248 nm photoresist[P]. Chinese patent, CN104592436B. 2018-5-8.
[11] 冉瑞成, 魏正华, 宋红波.一种丙烯酸酯共聚物及包含其的光刻胶组合物[P].中国专利, CN108373520A.2018-8-7.
Ran R C, Wei Z H, Song H B. An acrylate copolymer and a photoresist composition thereof[P].Chinese patent, CN104592436A. 2018-8-7.
[12] Kotani T, Sano M, Hayashi K I, et al. Characteristics of new KrF excimer laser resist[J]. Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering, 1990, 1262: 468-475.
[13] Fujimoto H H, Sasago M, Tani Y, et al. Evaluation of resist materials for KrF excimer laser lithography[J]. Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering, 1990, 1262: 331-343.
[14] 郑金红, 黄志齐, 侯洪森. 248 nm深紫外光刻胶[J]. 影像科学与光化学, 2003, 21(5): 346-256.
Zheng J H, Huang Z Q, Hou H S. 248 nm deep UV photoresists[J]. Imaging Science and Photochemistry, 2003, 21(5): 346-356. DOI:10.3969/j.issn.1674-0475.2003.05.005
[15] 毛国平, 霍建辉.一种包含聚对羟基苯乙烯类聚合物和丙烯酸酯共聚物的光刻胶组合物[P].中国专利, CN108132584A. 2018-6-8.
Mao G P, Huo J H. Photoresist composition comprising polyhydroxy styrene polymer and acrylate copolymer[P]. Chinese patent, CN108132584A. 2018-6-8.
[16] Conley W E, Breyta G, Brunsvold W R, et al. Lithographic performance of an environmentally stable chemically amplified photoresist (ESCAP)[J]. Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering, 1996, 2724: 34-60.
[17] Kunz R R. PED-stabilized chemically amplified photoresist[J]. Advances in Resist Technology & Processing XIII, 1996, 2724: 61-69.
[18] Choi S J, Jung S Y, Kim C H, et al. Design and properties of new deep-UV positive photoresist[J]. Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering, 1996, 2724: 323-331.
[19] 刘建国, 郑家燊, 李平. 聚羟基苯乙烯在光致抗蚀剂中的应用及其合成[J]. 感光科学与光化学, 2006, 24(1): 67-74.
Liu J G, Zheng J S, Li P. Applications and syntheses of polyhydroxystyrene in deep UV Photoresist[J]. Photographic Science and Photochemistry, 2006, 24(1): 67-74.
[20] Ahn K D, Koo J S, Chung C M. Photoacid generating polymers based on sulfonyloxymaleimides and application as single-component resists[J]. Journal of Polymer Science Part A Polymer Chemistry, 2015, 34(2): 183-191.
[21] Malik S, Blakeney A J, Ferreira L, et al. Polymer structural variation towards enhancing krf resist lithographic properties[J]. Journal of Photopolymer Science and Technology, 1998, 11(3): 431-438. DOI:10.2494/photopolymer.11.431
[22] Lee C W, Kim A Y, Lee S H. Synthesis and properties of tailor-made supramolecular photo acid generators for conducting patterns of polyaniline[J]. Chemistry of Materials, 2005, 17(2): 366-372. DOI:10.1021/cm048936k
[23] Antonios M D, Frieda V R, Mieke G, et al. Partially fluorinated, polyhedral oligomeric silsesquioxane-functionalized (meth) acrylate resists for 193 nm bilayer lithography[J]. Chemistry of Materials, 2012, 18(17): 4040.
[24] 杨刚.含苯并噁嗪结构的共聚物成膜树脂及其深紫外负性化学增幅型光刻胶[P].中国专利, CN101463106B. 2010-7-28.
Yang G. Copolymer film forming resin containing benzoxazine structure and deep UV negativity chemical amplification type photo resist[P]. Chinese patent, CN101463106B. 2010-7-28.
[25] 邹应全.包含聚对羟基苯乙烯类氧杂环丁烷树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物[P].中国专利, CN108303851B. 2019-9-10.
Zou Y Q. Photoresist composition comprising poly (p-hydroxy styrene) oxetane resin used as film formation resin[P]. Chinese patent, CN108303851B. 2019-9-10.
[26] 邹应全.包含聚对羟基苯乙烯类环氧树脂作为成膜树脂的光刻胶组合物[P].中国专利, CN108255018A. 2018-7-6.
Zou Y Q. Photoresist composition containing poly-p-hydroxystyrene epoxy resin serving as film-forming resin[P]. Chinese patent, CN108255018A. 2018-7-6.
[27] Kazuyoshi M, Shinichi S. Positive resist composition and pattern forming method using the same[P]. US patent, 8142977B2. 2012-3-27.
[28] Sou K, Yasutomo K, Kenji W, et al. Resist composition containing novel sulfonium compound, pattern-forming method using the resist composition and novel sulfonium compound[P]. US patent, 8110333B2. 2012-2-7.
[29] 刘敬成.一种可用于248 nm光刻胶的支化型聚对羟基苯乙烯共聚物[P].中国专利, CN105254791A. 2016-1-20.
Liu J C. Branched poly (p-hydroxystyrene) copolymer used for 248nm photoresist[P]. Chinese patent, CN105254791A. 2016-1-20.
[30] DiPietro R A, Sooriyakumaran R, Swanson S A, et al. Low outgassing photoresist compositions[P]. US patent, 7951525B2. 2011-5-31.
[31] 许箭, 秦龙.一种聚合物树脂及其制备方法和应用[P].中国专利, CN109679023A.2019-4-26.
Xu J, Qin L. Polymer resin as well as preparation method and application thereof[P]. Chinese patent, CN109679023A. 2019-4-26.
[32] Barclay, George G, Cronin M F, et al. Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component[P]. US patent, 5861231A. 1999-1-19.
[33] Namba K, Nakanishi J, Uetani Y. A chemical amplifying type positive resist composition[P]. EU patent, 1225479B1. 2012-12-5.
[34] Turner S R, Arcus R A, Houle C G, et al. High-TG base-soluble copolymers as novolac replacements for positive photoresists[J]. Polymer Engineering and Science, 1986, 26(16): 1096-1100. DOI:10.1002/pen.760261604
[35] 徐文佳, 郑祥飞, 纪昌炜, 等. 248 nm光刻胶用丙烯酸酯共聚物的合成与性能[J]. 高分子材料科学与工程, 2017, 33(11): 5-9.
Xu W J, Zheng X F, Ji C W, et al. Synthesis of methacrylic copolymers applied in 248 nm photoresist[J]. Polymer Materials Science and Engineering, 2017, 33(11): 5-9.
[36] Zheng X F, Ji C W, Liu J C, et al. Novel star polymers as chemically amplified positive-tone photoresists for KrF lithography applications[J]. Industrial & Engineering Chemistry Research, 2018, 57: 6790-6796.
[37] Li H, Liu J C, Zheng X F, et al. Synthesis of chemically amplified photoresist polymer containing four (meth)acrylate monomers via RAFT polymerization and its application for KrF lithography[J]. Journal of Polymer Research, 2018, 23(5): 102.
[38] Jacob J, Shanmugavelu P, Balasubramaniam R, et al. Study of excimer laser ablation of photoresist polymer in presence of hydrogen gas environment for micro-fluidic applications[J]. Materials Research Express, 2019, 6(8): 085316. DOI:10.1088/2053-1591/ab1d1b
[39] Jacob J, Shanmugavelu P, Balasubramaniam R. Investigation of the performance of 248 nm excimer laser assisted photoresist removal process in gaseous media by response surface methodology and artificial neural network[J]. Journal of Manufacturing Processes, 2019, 38: 516-29. DOI:10.1016/j.jmapro.2019.01.002
[40] Wang Q Q, Zhang C, Yan C, et al. One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning[J]. European Polymer Journal, 2019, 114: 11-18. DOI:10.1016/j.eurpolymj.2019.01.064
[41] 冉瑞城.含硅烷偶联剂共聚物成膜树脂及其有机防反射膜[P].中国专利, CN1847274A. 2006-10-18.
Ran R C. Filming copolymer resin containing silicon coupler and its organic antiflecting coating[P]. Chinese patent, CN1847274A. 2006-10-18.
[42] 冉瑞城, 沈吉.含纳米硅深紫外正性光刻胶及其成膜树脂[P].中国专利, CN101974119B. 2012-10-3.
Ran R C, Shen J. Nano silicon containing deep ultraviolet positive photoresist and forming resin thereof[P]. Chinese patent, CN101974119B. 2012-10-3.
[43] Ji C, Liu J, Zheng X, et al. Photo-sensitive bio-based copolymer containing cholic acids:novel functional materials for 248 nm photoresist[J]. Journal of Polymer Research, 2018, 25(9): 192. DOI:10.1007/s10965-018-1584-5




相关话题/结构 化学 技术 光刻 材料

  • 领限时大额优惠券,享本站正版考研考试资料!
    大额优惠券
    优惠券领取后72小时内有效,10万种最新考研考试考证类电子打印资料任你选。涵盖全国500余所院校考研专业课、200多种职业资格考试、1100多种经典教材,产品类型包含电子书、题库、全套资料以及视频,无论您是考研复习、考证刷题,还是考前冲刺等,不同类型的产品可满足您学习上的不同需求。 ...
    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19
  • 三种影像技术联合对乳腺疾病的诊断效能研究
    王亮,彭勇,蒋宇宏武汉市第一医院医学影像科,湖北武汉4300222019-11-14收稿,2020-01-13录用*通讯作者:蒋宇宏摘要:该回顾性研究旨在探究超声(US)、钼靶(MG)、MRI及其联合技术对乳腺疾病诊断的效果。选取2018年10月~2019年10月期间收集的456例乳腺疾病患者作为研 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • 大螺距低剂量肺部CT技术在COPD患者中的应用价值
    陆伟,柯荣湖,蔡俊黄石市第五医院放射科,湖北黄石4350052019-11-29收稿,2020-01-06录用*通讯作者:柯荣湖摘要:选择2014年1月~2018年12月本院呼吸内科住院部收治的拟实施肺部CT扫描的270例慢性阻塞性肺疾病(COPD)患者作为研究对象,根据不同螺距和辐射剂量,将患者分 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • 彩色多普勒超声结合弹性成像技术在鉴别乳腺良恶性肿瘤中的应用价值
    薛红芳1,陈娟21.邢台市中医院超声科,河北邢台054000;2.邢台市中医院肿瘤科,河北邢台0540002019-10-30收稿,2020-01-13录用*通讯作者:陈娟摘要:本文对彩色多普勒超声(CDUs)结合弹性成像技术(UE)在鉴别乳腺良恶性肿瘤中的应用价值进行了分析。选取2018年1月~2 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • 双配体Zn(Ⅱ)MOFs材料的构筑及光致发光性能
    朱文庆,樊盼,李扬,朱玉梦,张瑾西安工程大学环境与化学工程学院,陕西西安7100482019-08-12收稿,2019-09-02录用基金项目:陕西省科技攻关项目(2011K07-23)和陕西省自然科学基础研究计划项目(2019JQ-546)资助*通讯作者:朱文庆摘要:以2,5-二羟基对苯二甲酸(H ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • IDose4迭代重建技术应用于低剂量CT肾动脉血管造影的临床分析
    周永霞,周容重庆医科大学附属永川医院,重庆4021602019-09-09收稿,2019-11-27录用基金项目:重庆市卫计委资助项目(2016MSXM053)资助*通讯作者:周容摘要:为探讨IDose4迭代重建技术在低剂量CT肾动脉血管造影中的应用价值,选取205例拟行肾动脉CT血管造影患者,随机 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • 无损检测技术及应用
    马超乐凯医疗科技有限公司,河北保定0710542019-07-21收稿,2019-07-25录用摘要:无损检测技术经历了3个发展阶段,即无损探伤、无损检测和无损评价。目前一般统称为无损检测(NDT),而不是特指上述的第二阶段。无损检测技术在产品质量控制中起着不可替代的作用,很多无损检测技术是从航空航 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • 多维度信息记录与再现技术的进展
    王倩1,余乐2,冯云鹏1,吴恒宇11.北京理工大学光电学院,北京100081;2.北京理工大学深圳研究院,广东深圳5180572019-05-22收稿,2019-06-24录用基金项目:深圳市科技创新计划项目(JCYJ20170817114558026,JCYJ20170817114937658)资 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • 纸基柔性导电材料及器件
    张凯丽, 导师:陈广学柔性电子产品因其独特的柔性、高效、低成本的制造工艺等诸多优势受到广泛关注,但与日俱增的柔性电子器件却产生很多不可降解的塑料废弃物,对人类赖以生存的环境造成破坏。为了更好地契合可持续发展的时代理念,科研工作者开始寻找“绿色”基材代替现有的塑料来制备环境友好型的柔性电子器件 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • SMI技术测定血流分布模式、消融灶体积与甲状腺结节良恶性诊断及患者疗效预测的关系研究
    瞿炜,江翠华上海市第五人民医院超声医学科,上海2002402019-08-22收稿,2019-09-16录用*通讯作者:江翠华,E-mail:wkmgch@163.com摘要:分析SMI(微血管成像技术)测定血流分布模式、消融灶体积与甲状腺结节良恶性诊断及患者疗效预测的关系。将我院2017年1月~2 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01
  • 纤维素基智能凝胶的制备、结构及性能研究
    李楠, 导师:陈广学纤维素是自然界中最丰富的生物质资源,因其具有可再生性、生物相容性、无毒、可降解等诸多特性,纤维素及其衍生物不仅广泛应用于传统的工业领域,而且在药物控释、组织工程、可穿戴设备材料等领域也有着广阔的应用前景。受到工程技术应用需求的驱动,以纤维素及其衍生物为基材的智能凝胶材料已 ...
    本站小编 Free考研考试 2022-01-01