近年来，重点实验室与微电子所先导中心、中科院新疆理化所等所内外科研单位合作，在FinFET器件、DSOI器件和VDMOS器件抗辐照性能上进行了深入研究。研究表明，在导通偏置下的辐照过程中，体硅FinFET展现出高抗总剂量辐射能力，辐照诱发阈值电压增大、跨导增加并改善了其亚阈值特性，引起“反向”的辐照后室温退火效应。相同工艺下的新型DSOI器件结构将SOI抗总剂量效应能力提高了1到2个数量级，而对电离辐照效应不敏感的复合电荷平衡终端结构，提高了电荷平衡VDMOS器件的抗总剂量辐照能力，这两种结构为高剂量下器件总剂量辐照加固提供了解决方案。
基于上述研究成果，重点实验室向2017 RADECS投送的3篇学术研究论文均被录用，并受邀参加了2017年10月在瑞士日内瓦举办的2017 RADECS国际学术大会。其中，重点实验室助理研究员杨玲的论文“Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs”受邀作了大会报告。这是中国科学院的科研团队首次受邀在该国际会议上作大会报告，也是本次大会唯一受邀作大会报告的中国科研团队。重点实验室助理研究员黄杨、副研究员宋李梅的论文“An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure”和“A Novel Combined Charge Balance Termination Structure Insensitive to Ionizing Radiation Effect”在会议期间进行了海报展示并同与会代表进行了深入交流。
RADECS会议是关于空间辐射及其对材料、器件和系统影响的顶级国际会议，现已成为器件抗辐射领域的年度学术盛会。2017年度RADECS会议，中国学术文章数量首次位列第3名，表示中国在该学术领域的科研成果受到国际同行的广泛关注和认可，中国在这领域的相关影响力在不断地增强！
图1. FinFET器件的辐照机理研究进展
图2. DSOI器件的辐照机理研究进展
图3. VDMOS器件的辐照机理研究进展
重点实验室科研团队受邀参加2017 RADECS国际学术大会
