根据上级部门相关规定，经审核批准，现将2023年我所代南京学院招收全国统考硕士研究生拟录取名单补充公示如下： 　　一、专业型 考生编号 姓名 初试成绩 复试成绩 ...

根据相关规定及微电子所2023年硕士研究生招生复试规程，经审核批准，现将我所2023年招收硕士研究生（全国统考）拟录取名单补充公示如下： 　　1. 专业型 考生编号 姓名 初试成绩 ...

根据相关规定及微电子所2023年硕士研究生招生复试规程，经审核批准，现将我所2023年招收硕士研究生（全国统考）拟录取名单公示如下： 　　一、学术型 考生编号 姓名 初试成绩 ...

为确保硕士研究生招生复试程序规范，录取结果公平公正，依据教育部、北京市及中国科学院大学有关文件精神，结合我所实际，特制定本规程。 　　一、复试原则 　　坚持公平、公正、公开和科学选拔的原则，对考生进行德、智、体全面衡量，择优选拔，确保招生质量。 　　二、复试分数线及招生计划 　　我所一志愿考生的初试成绩 ...

中国科学院微电子研究所（以下简称微电子所）成立于1958年，是我国微电子技术和集成电路产业领域的创新研发核心机构之一，是国内具备从原理器件、集成工艺、系统封装到核心芯片开展全链条研发、成体系进行核心技术攻关的重要科研机构。学科方向涉及集成电路设计、制造、封装、设备，微纳加工，光学检测、物联 ...

根据上级部门相关招生管理规定，本着公开、公平、公正，择优录取的原则，经研究批准，现将我所招收2023年秋季入学博士研究生（申请-考核制）拟录取名单公示如下： 考生编号 姓名 ...

为确保招生复试程序规范，录取结果公平公正，根据教育部、北京市及中国科学院大学有关文件精神，结合我所实际，特制定本规程。　　一、复试原则 　　严格按照全面衡量，择优录取，保证质量，宁缺毋滥和公开、公平、公正原则，做到统筹安排、精心组织，加强信息公开和过程监管，确保选拔录取质量 ...

根据教育部、中国科学院大学有关规定，经过硕博连读考核，并经所招生工作领导小组审核批准，现将微电子所招收2023年春季入学博士研究生拟录取名单公示如下，最终录取以国科大批复的录取名单为准： 　　 陈传科、戴塞飞、戴卓玉、丁湘杰、董英雷、董泽伟、杜文倩、段亚驰、樊梦浩、高塨、高行行、高瑞萦、何犇、黄怡菲、季瑞 ...

中国科学院微电子研究所（以下简称微电子所）成立于1958年，是我国微电子技术和集成电路产业领域的创新研发核心机构之一，是国内具备从原理器件、集成工艺、系统封装到核心芯片开展全链条研发、成体系进行核心技术攻关的重要科研机构。学科方向涉及集成电路设计、制造、封装、设备，微纳加工，光学检测、物联 ...

根据上级部门相关招生管理规定，本着公开、公平、公正，择优录取的原则，经研究批准，现将我所招收2022年秋季入学博士研究生（普通招考）拟录取名单公示如下： 序号 考生编号 复试成绩 ...

根据上级部门相关招生管理规定，本着公开、公平、公正，择优录取的原则，经研究批准，现对我所招收2022年秋季入学博士研究生（普通招考）拟录取名单补充公示如下： 序号 考生编号 姓名 ...

一、复试分数线 　　根据教育部、北京市招考委及中国科学院大学有关规定，结合微电子所2022年硕士生入学考试情况，经研究决定，微电子所2022年硕士研究生招生复试分数线如下： 招生专业 政治 ...

根据相关规定及微电子所2022年硕士研究生招生复试规程，经审核批准，现将我所2022年招收硕士研究生（全国统考）拟录取名单公示如下： 　　一、学术型 考生编号 初试成绩 复试成绩 ...

　一、复试分数线 　　根据教育部、北京市招考委及中国科学院大学有关规定，结合微电子所2021年硕士生入学考试情况，经研究决定，微电子所2021年硕士研究生招生复试分数线如下： 　　说明： 　　1.所有考生的初试成绩（单科及总分）均须达到《教育部2021年全国硕士研究生招生考试考生进入复试的初试成绩基本要求》（ ...

根据相关规定及微电子所2021年硕士研究生招生复试规程，经审核批准，现将我所2021年招收硕士研究生（全国统考）拟录取名单公示见附件。　　公示期：10个工作日 　　监督电话：010-82995537 　　 　　 　　 　　 ...

中国科学院微电子研究所（以下简称微电子所）2022年继续招收学术型及专业学位硕士研究生。学术型硕士招生专业为：微电子学与固体电子学（080903）、电路与系统（080902）、光学工程（080300）；专业学位硕士招生专业为：电子信息（085400）。2022年我所预计招收120名左右全日制统考硕士研究生，实际招生人数以 ...

据上级部门相关招生管理规定，本着公开、公平、公正，择优录取的原则，经研究批准，现将我所招收2021年秋季入学博士研究生（普通招考）拟录取名单公示如下： 序号 考生编号 复试成绩 ...

根据教育部、中国科学院大学有关规定，经过硕博连读考核程序，并经所招生工作领导小组审核批准，现将微电子所招收2022年春季入学博士研究生拟录取名单公示如下： 　　包滨豪、曾庆阳、陈旭、迟元晓、豆树考、范林杰、封瑞泽、冯识谕、冯万进、巩永恒、果椿林、韩添、蒋鑫、李爱琳、李琳、李茂、李彤、李政、梁全振、林淮、林 ...

近期，微电子所感知中心低功耗智能技术与系统团队在低功耗集成电路设计领域取得新进展，设计了兼容近/亚阈值工作区的基础电路单元，可以广泛应用于低功耗智能计算芯片。　　功耗已经成为制约集成电路发展的重要瓶颈。近/亚阈值技术通过将芯片工作电压降低到晶体管的阈值电压附近或者阈值电压以下，可以大幅降低数字系统的 ...

近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在源漏接触技术研究方面取得重要进展。　　随着集成电路制造技术进入10纳米及以下节点，器件寄生电阻已超过沟道电阻使得器件延迟与功耗显著增大。阻率可降低源漏寄生电阻，对提升器件性能具有重要意义。提高Si表面杂质激活浓度（Ns）以有效增加接触界面的载流子隧穿概率，是减 ...

6月8日至9日，国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目“二维电子材料及纳米量子器件的研究和原位分析仪器”验收会在微电子所召开。基金委副主任陆建华，基金委信息科学部主任郝跃、常务副主任张兆田、副主任何杰，中科院副院长李树深，条财局副局长曹凝，微电子所党委书记、副所长（主持工作）戴博伟，微电子所副所长 ...

近日，微电子所EDA中心研发的“集成电路设计自动化（EDA）平台的网络化服务系统” 被中国科学院评为2020年度十大中国科学院信息化优秀案例，并入选《中国科学院信息化年度报告（2020）》。　　“集成电路设计自动化（EDA）平台的网络化服务系统”是微电子所EDA中心陈岚研究员团队研发完成的国内首个基 ...

12月14日，由微电子所牵头承担的国家科技重大专项课题“基于国产化MEMS和CMOS工艺的智能中医脉诊核心芯片与设备研发”综合绩效评价会召开。综合绩效评价专家组成员、课题责任专家出席会议。微电子所副所长曹立强、副总工程师张海英研究员、课题负责人李志强研究员及课题参与单位科研管理骨干等参加了会议。会议 ...

当今世界信息技术突飞猛进，海量的数据对信息的快速实时处理提出了更高要求，实现这一目标的有效途径之一是开发具有边缘计算能力的智能感知系统，缓解数据传输带来的延迟与能耗，从而实现实时、高效的信息处理。　　电解质栅控晶体管是近年来提出的一种三端忆阻器件，其结构与传统场效应晶体管类似。不同的是，电解质栅控晶 ...

在生物体中，感受神经系统是本体与外界环境交互的基本信息感知系统。生物体对于生存环境的信息甄别与过滤主要基于感受神经系统的习惯化功能。当前，人类社会正由信息化向智能化演进。智能化社会需要高效智能的信息感知系统对感知到的巨量信息进行有效的甄别、处理和决策，并对重复无意义的信息进行有效的过滤。因此，基于生 ...

近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心陈大鹏研究员课题组与中北大学熊继军教授课题组合作在表面增强拉曼（SERS）生化检测研究领域取得了阶段性进展。　　陈大鹏研究员课题组提出了一种开放式SERS液滴传感器，该传感器打破了传统基底型SERS器件所需的复杂制备工艺问题，利用烛灰纳米链结构的多孔易断性，以滚 ...

传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键，可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动，因此表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态，单层二维材料（如二硫化钼和石墨烯）在边界原子的终止和重建可以产生边界态，这使二维材料产生了许多独特的现象，使其得到 ...

为确保招生复试的规范，有效控制招生质量，依据教育部、中国科学院大学有关文件精神，结合我所的具体情况，特制定本规程。 　　一、复试原则 　　坚持公平、公正、公开和科学选拔的原则，对考生进行德、智、体全面衡量，择优选拔，按需招生，宁缺毋滥，确保招生质量。 　　二、招生指标 　　本次计划招收学术型硕士50名，专 ...

一、复试分数线 　　根据教育部和中国科学院大学有关规定，结合微电子所2020年硕士生入学考试初试成绩情况，经研究决定，微电子所2020年硕士研究生招生复试分数线如下： 　 　　其中，报考微电子所2020年的少数民族高层次骨干人才计划、退役大学生士兵专项计划的考生，进入复试的初试成绩基本 ...

中国科学院微电子研究所2020年秋季入学博士考试大纲附件： 2020年秋季博士入学考试大纲.zip ...

根据教育部、中国科学院大学等有关规定，经过硕转博考核等程序，并经所招生工作领导小组批准，现将微电子所2020年春季入学博士招生拟录取名单公示如下： 　　刁华彬、相恒永、杨浩涵、王玉莲、石大山、李东浩、黄嘉伟、董春娇、万伟康、张喆、甘维卓、来龙坤、陈倩、徐彦楠、菅光忠、杨燎、陈颖、刘东阳、丁庆婷、王皓冉、晏 ...

近日，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士的科研团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了进展，提出了一种基于Hf0.5Z0.5rO2（HZO）材料的铁电二极管（Fe-diode），并实现了三维集成。 铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。然而， ...

近日，微电子所高频高压中心贾锐研究员团队，在欧阳晓平院士指导下，创新性地将高功函数钝化接触异质结技术应用到硅漂移探测器（SDD）中，成功研制出新型SDD核心元器件。目前，该团队在硅异质结漂移探测器的器件设计、工作机理和工艺制备等方面形成了核心竞争力，并具有完全自主知识产权。 硅漂移探测器是高能粒子探 ...

当前，人类社会正由信息化向智能化发展。智能化社会的构建需要信息技术系统能够对外界环境信息进行实时获取、高效处理并及时做出决策。发展“感存算一体化”的低功耗智能信息处理系统是其重要趋势。脉冲神经网络作为下一代神经形态计算技术，是构建高能效存算一体数据处理中心的理想选择。为实现脉冲机制的感存算一体智能处 ...

近日，2019国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了新型存储器件（选通管、可编程二极管）、负电容晶体管紧缩模型、类脑神经元器件电路的最新研究成果。　　在存储器件方面，刘明团队提出了一种基于HZO铁电薄膜极性反转调制的电场可编程二极管及1T2D结构的电压输出 ...

垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。在2018年底举办的国际集成电路会议IEDM上，来自IMEC的Ryckaert博士1将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的控制列为关键挑战之一。 微电子所先导中心朱慧珑研究员及其课 ...

半导体光伏结构因其能够有效地将太阳能转化为电能，被认为是实现清洁能源的重要途径。然而早在1961年，美国科学家肖克莱、德国科学家凯赛尔便提出光伏单元的效率由于难以避免的损耗而存在理论极限。其中，由于光子吸收和再辐射导致的自发辐射损耗最为关键，这种损耗正比于自发辐射立体角和太阳光立体角的比值。太阳光的 ...

9月16日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目中期检查工作在微电子所召开。　　在科技部高技术研究发展中心的组织下，项目责任专家云南大学柳清菊教授，上海交通大学邓涛教授；同行专家中国信息通信科技集团周彬教授级高工，北京工业大学岳明教授，北京科技大学于广华教授 ...

近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（简称VLSI国际研讨会）在日本召开。微电子所刘明院士科研团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。　　交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM）高密度集成的主要障碍，研制具有 ...

近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心，面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求，基于主流后高K金属栅（HKMG-last）三维FinFET器件集成技术，成功研制出高性能的负电容FinFET器件。　　现有硅基晶体管受玻尔兹曼热力学限制，室温下亚阈值摆幅SS≥60mV/dec，阻碍了工作电压的 ...

4月30日，中科院科技促进发展局组织调研评估组在无锡对微电子所牵头承担，中科微至智能制造科技江苏有限公司、中科院物联网研究发展中心以及微电子所昆山分所参加的中科院科技成果转移转化重点专项（弘光专项）项目“支撑现代物流体系建设的核心智能装备系统产业化”进行了项目阶段评估论证。　　中科院科技促进发展局局 ...

在4月20—21日召开的第十四届中国电子信息技术年会上，微电子所 “28纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”项目荣获中国电子学会科学技术奖二等奖。　　“28纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”项目由EDA中心陈岚研究员领衔的先进集成电路设计及EDA技术团队完成，团队面向国 ...

根据《中国科学院关于授予2018年度中国科学院杰出科技成就奖的决定》，微电子所刘明院士领导的“新型存储器件及集成研究集体”荣获2018年度中国科学院杰出科技成就奖。　　微电子所“新型存储器件及集成研究集体”成员包括：突出贡献者刘明（女）、谢常青、龙世兵；主要完成者刘琦、吕杭炳、李泠、管伟华、陈宝钦、 ...

近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。　　对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直是工业界和科研界研究的热点。刘明 ...

近日，微电子所在有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究上取得重要进展。　　薄层过渡金属二硫化物（TMDCs）以其独特的电学、光电、机械和磁学特性为探索低维系统中的新物理特性和应用途径提供了一个新的平台。其中，在场效应晶体管应用中，少层二硫化钼（MoS2）可以突破传统半导体材料的短沟道极限。然而，硫 ...

近日，中国科学院微电子研究所研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆。该项技术突破，实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率 ...

近期，中国科学院微电子研究所副所长刘新宇研究员团队及合作者（中国科学院固体物理研究所王先平课题组、中国科学院微电子研究所先导中心工艺平台等）在氮化镓界面态起源研究方面取得创新性进展。　　氮化镓界面态问题是III-N材料体系研究一直面临的核心问题，制约着器件的规模化和实用化。其中，深能级界面态很容易造 ...

近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心在氮化镓高压电力电子器件领域取得突破性进展，提出了一种低损伤、高性能的新型氮化镓横向肖特基二极管结构，有望提升各类电源和无线充电系统的效率和功率密度，显著降低系统成本，具有广阔的市场前景。　　肖特基二极管是各类电源模块、UPS、光伏发电、电动汽车、无线充电应用 ...

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线（Gate-all-around silicon nanowire，GAA SiNW） MOS器件的结构和制造方法研究上取得重要进展。　　5纳米以下集成电路技术中现有的FinFET器件结构面临诸多挑战。环栅 ...